製品概要

この高性能熱処理システムは、高度な材料研究および産業用R&D向けに特別に設計された、実験室用熱処理技術のベンチマークとなる製品です。分割ヒンジ構造内にデュアルゾーン加熱構成を採用することで、精密な温度プロファイリングと急速冷却が可能となり、高温雰囲気焼結、CVD実験、真空アニールに不可欠な資産となります。その核心的な価値は、独立した加熱ゾーンの柔軟な制御を提供しながら、極めて均一な温度場を維持できる点にあります。
過酷な実験環境向けに設計されたこのシステムは、材料科学研究所、航空宇宙研究施設、半導体開発ラボなどで頻繁に導入されています。複雑な化学気相成長(CVD)から単純な雰囲気還元まで、この装置は高い再現性と精度を保証します。二重壁構造により効率的な空冷が促進され、内部チャンバーが極限温度に達しても外装表面は安全に触れられる温度に保たれ、性能と作業者の安全の両立を追求しています。
エンジニアや調達チームは、その堅牢な構造と高品質な熱コンポーネントを信頼していただけます。日本製の多結晶アルミナファイバー断熱材から炭化ケイ素(SiC)発熱体に至るまで、細部に至るまで長寿命とエネルギー効率を最適化しています。このシステムは、新材料の合成や厳格な熱応力試験を行うための安定した制御可能な環境を提供し、最も過酷な実験条件下でも一貫した研究成果を保証します。
主な特徴
- デュアルゾーン独立制御: 各ゾーンに専用のコントローラーと熱電対を備えた2つの独立した加熱ゾーンにより、特定の温度勾配を作成したり、長く均一な恒温領域を維持したりすることが可能です。
- 精密PID温度管理: 高度な40セグメントデジタルコントローラーを採用し、オーバーシュートを防ぐために低・中・高温域に合わせて調整された6つのPIDパラメータにより、プロフェッショナルグレードの精度を提供します。
- 優れた断熱性能: チャンバーは高純度の多結晶アルミナファイバーで構成されており、優れた保温性、高反射率、熱膨張・収縮への耐性を備え、エネルギー消費を大幅に削減します。
- 高性能SiC発熱体: 炭化ケイ素発熱体は、頻繁な高温サイクルにさらされても、均一な温度場と長い動作寿命を確保するように戦略的に配置されています。
- 統合安全保護システム: カバーを開けると自動的に電源を遮断するオーバートラベルリミットスイッチに加え、過熱および過電流保護機能を備え、フェイルセーフな動作を実現します。
- 真空および雰囲気の汎用性: ステンレス製の二重リングシールフランジを備えており、分子ポンプと組み合わせることで10⁻⁴ Paまでの真空度に到達可能で、制御された雰囲気処理のための様々なガスフロー構成をサポートします。
- 油圧サポート付き分割チャンバー設計: 油圧リフターを使用して炉体を簡単に開くことができ、チューブの急速冷却や、サンプルの配置・メンテナンスのためのアクセスが容易です。
- 高度なデータ通信: 統合された485通信インターフェースにより、専用ソフトウェアを介してコンピュータに接続し、リアルタイム監視、データロギング、加熱曲線の生成が可能です。
- 信頼性の高いパワーエレクトロニクス: ドイツ設計のサイリスタや位相シフトトリガーなどのプレミアムコンポーネントで構築されており、安定した電流供給を確保し、電気的サージから発熱体を保護します。
アプリケーション
| アプリケーション | 説明 | 主なメリット |
|---|---|---|
| 化学気相成長 (CVD) | 加熱されたチューブ内でガス状前駆体を反応させ、薄膜やナノ材料を成長させる。 | 精密なゾーン制御により均一な膜厚を確保。 |
| 熱分解研究 | 不活性雰囲気下で廃タイヤやバイオマスなどの有機材料を熱分解する。 | デュアルゾーンにより局所的な炭化を防ぎ、油/ガス収率を最適化。 |
| 雰囲気焼結 | 酸化を防ぐため、還元ガスまたは不活性ガス中でセラミックや金属粉末を焼結する。 | 信頼性の高いフランジシールが高度な雰囲気純度を維持。 |
| 真空アニール | 低圧環境下で金属部品やウェハの応力を緩和する。 | 高真空性能により表面汚染を防止。 |
| 触媒試験 | 特定の温度勾配下で触媒材料の効率を評価する。 | 独立したゾーンにより、1回のパスで多様な反応段階を実現。 |
| セラミック同時焼成 | 複雑な昇温/保持サイクルを必要とする多層セラミック部品の同時焼成。 | 40セグメントプログラミングにより複雑な熱プロファイルに対応。 |
| 半導体ドーピング | 高温下で半導体ウェハにドーパントを拡散させる。 | プロセスチューブ内の優れた温度均一性。 |
技術仕様
| パラメータ | TU-GS15-I | TU-GS15-II | TU-GS15-III |
|---|---|---|---|
| チューブ外径 | 60 mm | 80 mm | 100 mm |
| チューブ長さ | 1000 mm | 1000 mm | 1000 mm |
| 最高使用温度 | 1400°C | 1400°C | 1400°C |
| 連続使用温度 | 1350°C | 1350°C | 1350°C |
| 加熱ゾーン | 2ゾーン (各260mm) | 2ゾーン (各260mm) | 2ゾーン (各260mm) |
| 恒温長 | 各ゾーン100mm | 各ゾーン100mm | 各ゾーン100mm |
| 昇温速度 | ≤30°C / 分 | ≤30°C / 分 | ≤30°C / 分 |
| 温度精度 | +/- 1°C | +/- 1°C | +/- 1°C |
| 熱電対タイプ | Sタイプ | Sタイプ | Sタイプ |
| 発熱体 | 炭化ケイ素 (SiC) | 炭化ケイ素 (SiC) | 炭化ケイ素 (SiC) |
| 温度コントローラー | 島電 FP93 (40セグメント) | 島電 FP93 (40セグメント) | 島電 FP93 (40セグメント) |
| チューブ材質 | アルミナセラミック | アルミナセラミック | アルミナセラミック |
| チャンバー材質 | 多結晶98%アルミナファイバー | 多結晶98%アルミナファイバー | 多結晶98%アルミナファイバー |
| トリガー | 位相シフトトリガー | 位相シフトトリガー | 位相シフトトリガー |
| 外形寸法 | 1420 x 490 x 855 mm | 1420 x 490 x 855 mm | 1420 x 490 x 855 mm |
| 真空度 | 10⁻¹ ~ 10⁻⁴ Pa (ポンプによる) | 10⁻¹ ~ 10⁻⁴ Pa (ポンプによる) | 10⁻¹ ~ 10⁻⁴ Pa (ポンプによる) |
この炉を選ぶ理由
- 比類なき熱精度: デュアルゾーン構成と日本製のPIDコントローラーの組み合わせにより、繊細な材料合成に対して世界クラスの安定性と精度を提供します。
- 産業グレードの耐久性: SiC発熱体と高密度アルミナファイバーで構築されており、高スループットの産業ラボや学術ラボでの連続運転向けに設計されています。
- 高度な安全プロトコル: 機械式リミットスイッチから電子漏電保護まで、ユーザーと施設を運用上の危険から保護するように設計されています。
- カスタマイズ可能な雰囲気制御: 高真空フランジとオプションのデジタル流量計の搭載により、水素、アルゴン、真空など、作業環境を高度にカスタマイズ可能です。
- 専門的なエンジニアリングサポート: 包括的なドキュメント、制御ソフトウェア、技術支援を提供し、この投資がお客様のワークフローにシームレスに統合されることを保証します。
正式な見積もりや、お客様のラボ向けのカスタム熱処理ソリューションについてのご相談は、当社のテクニカルセールスチームまで今すぐお問い合わせください。
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