製品概要
本高性能デュアルゾーンチューブ炉は、先端材料研究および産業分野の研究開発向けに設計された高度な熱処理システムです。外径11インチの特大溶融石英チューブを搭載しており、直径8インチまでの半導体ウエハや大規模サンプルに対応可能な広々とした加熱環境を提供します。デュアルゾーン構成により、精密な温度勾配の作成やより広範囲な定温ゾーンの設定が可能で、複雑な熱処理プロファイルの制御において研究者に比類のない柔軟性をもたらします。高純度アルミナ繊維断熱材を統合することで、最大限のエネルギー効率と迅速な熱応答性を確保しています。
本装置は特に、真空下または制御されたガス雰囲気下での新材料サンプルの焼結や半導体ウエハのアニーリングを含む高純度用途向けに設計されています。対象業界は半導体製造、冶金からナノテクノロジー、再生可能エネルギー研究まで多岐にわたります。大口径の処理チャンバーは高い処理能力と特殊なるつぼやボートの収容を可能にし、小規模実験からパイロット規模開発へ移行する研究室にとって理想的な選択肢です。堅牢な真空性能とガス処理機能により、重要な処理工程における化学環境を精密に制御することができます。
信頼性と安定性は本装置設計の特徴です。過酷な産業条件に耐えられるように設計されており、高精度デジタルコントローラーと耐久性のあるNiCrAl抵抗線ヒーターを使用して、長期間にわたり安定した性能を維持します。水冷式ステンレスフランジを搭載することで真空シールの完全性を保護し、高温サイクル中であっても漏れのない環境を確保します。このような優れた設計へのこだわりにより、基本的な焼成から先端的な化学気相成長まで、あらゆるプロセスが専門研究者の信頼に応えられる再現性のある高精度な結果で実施されることを保証します。
主な特長
- 精密なデュアルゾーン温度制御: 本システムはそれぞれ長さ300mmの独立制御可能な2つの加熱ゾーンを備え、高精度PIDデジタルコントローラーで管理されます。これにより安定した温度勾配の設定、または合計300mmの定温ゾーンを±1℃の精度で実現することができ、TMDナノリボン成長などのプロセスに不可欠です。
- 特大11インチ石英チャンバー: 外径279mmの特大溶融石英チューブを搭載しており、標準的な8インチ半導体ウエハを含む大判サンプルを収容可能です。高純度石英素材は優れた耐熱衝撃性と化学的不活性を提供し、汚染のない環境を確保します。
- 先進的なヒンジ式真空フランジ: ステンレス製真空フランジはヒンジ設計により、サンプルの出し入れが容易です。二重フランジ構造に統合された水冷チャネルがOリングシールを効果的に保護し、1100℃までの温度での持続運転中も真空完全性を維持します。
- 高効率断熱構造: 高純度アルミナ繊維断熱材を使用することで、放熱を最小限に抑えエネルギー消費を削減します。この軽量で高性能な断熱材は加熱・冷却速度の向上も実現し、研究室の処理能力における全体のサイクルタイムを最適化します。
- 堅牢な発熱体と安全性: 長寿命のNiCrAl抵抗線ヒーターが安定した熱分布を提供します。作業者と装置の安全のため、2次温度モニターを標準搭載しており、過昇温状態や熱電対の断線から保護し、無人運転時も安心です。
- 統合されたガス・真空ポート: 本システムには機械式真空計、ステンレス製ニードルバルブ2個、KF25真空ポートが付属しています。この包括的な継手セットにより精密な雰囲気管理が可能で、機械ポンプ使用時は10-2 torr、ターボ分子ポンプシステム使用時は10-4 torrまでの真空度に対応します。
- プログラム可能な熱処理プロファイル: 両方の温度コントローラーが30のプログラム可能セグメントに対応しており、ユーザーは複雑な昇温・保持・冷却シーケンスを自動化することができます。これにより複数バッチ間での高い再現性が確保され、標準化された研究や産業品質管理において非常に重要です。
- コンピューターインターフェースとデータロギング: 本装置は専用のLabviewベース制御ソフトウェアと互換性があり、研究者がPC上で温度プロファイルの編集、レシピ管理、リアルタイムデータの記録を行い、プロセス後の徹底した分析とドキュメント作成が可能です。
用途
| 用途 | 説明 | 主なメリット |
|---|---|---|
| 半導体ウエハアニーリング | 結晶欠陥の修復またはドーパント活性化のための大判ウエハ（最大8インチ）の熱処理 | ウエハ表面全体にわたる優れた均一性 |
| TMDナノリボン成長 | デュアルゾーンを利用したカルコゲン蒸気圧と基板反応温度の独立制御 | 過飽和によるナノリボン幅と成長速度の精密制御 |
| 触媒熱分解 | 制御された雰囲気下での廃タイヤなど有機物の高温分解 | 安定した勾配による局所的過熱と過度な炭素化の防止 |
| 材料焼結 | 構造セラミックス・電子セラミックス研究のための粉末材料の緻密化 | ±1℃の精度により安定した密度と結晶組織を実現 |
| 化学気相成長（CVD） | 特殊なガス混合と大口径処理チューブを使用した薄膜の精密成膜 | 大型基板と大容量ガス流に対応し、スケーラブルな研究が可能 |
| 真空熱処理 | 無酸素環境での金属部品の応力除去または硬化処理 | 高温サイクル中の酸化と表面汚染を排除 |
技術仕様
| パラメータ | TU-32の仕様 |
|---|---|
| 型番 | TU-32 |
| チューブ素材 | 高純度溶融石英 |
| チューブ寸法 | 外径279mm × 内径269mm × 長さ1000mm（11" × 10.6" × 40"） |
| 最高温度 | 1100℃（不活性ガス下、60分以内） |
| 連続使用温度 | 400℃～1000℃（真空下またはガス流通下） |
| オプション温度 | 1150℃（アップグレードされたGE 214石英チューブの場合） |
| 加熱ゾーン | デュアルゾーン：各300mm（12"）、合計600mm（24"） |
| 定温ゾーン | ゾーン設定が同一の場合、中央300mmで±1℃ |
| 昇温速度 | 最大 20℃/分 |
| 温度精度 | ±1℃ |
| 温度コントローラー | 2台のPIDデジタルコントローラー、30プログラムセグメント対応 |
| 熱電対 | デュアルK型（12" × 径1/4" 接地プローブ） |
| 発熱体 | NiCrAl抵抗線 |
| 入力電圧 | 208～240V AC 単相 |
| 定格電力 | 8 kW |
| 真空フランジ | 二重層ステンレス製、水冷式、ヒンジタイプ |
| 真空ポート | KF25ポート、1/4"ホース継手、ニードルバルブ2個 |
| 到達真空度 | 10-2 torr（機械ポンプ）/ 10-4 torr（ターボポンプ） |
| 冷却要件 | 水流量 ≥ 10L/min、温度 < 25ºC、圧力 > 25 PSI |
| 認証 | CE認証済（ご要望に応じてNRTL/CSAも対応可能） |
当社を選ぶ理由
- 産業グレードの信頼性: 高耐久性抵抗線と先進繊維断熱材で設計された本システムは、過酷な研究環境において長期的に安定した運用を行えるよう設計されています。
- 大規模処理能力: 11インチ径のチューブは研究炉としては希少な仕様であり、産業サイズの装置を必要とせず、8インチウエハ加工や大きな材料バッチに必要な容積を提供します。
- 精密な熱管理: 独立したデュアルゾーン制御は、複雑な化学気相成長やナノ構造成長に必要な熱的柔軟性を提供し、最高レベルの実験制御を保証します。
- 堅牢な安全保護: 内蔵された2次温度監視と水冷フランジシステムが研究資産を保護し、高真空シールの長寿命化を実現します。
- 包括的な統合性: Labviewソフトウェア互換性からカスタマイズ可能なガス混合・真空ステーションオプションまで、本炉は熱処理ニーズに対応する完全で拡張可能なプラットフォームです。
TU-32デュアルゾーン炉の詳細情報、またはお客様の特定の真空・ガス処理要件に合わせたカスタム見積をご希望の場合は、本日中に弊社テクニカルセールスチームまでお問い合わせください。
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