製品概要


この高性能な分割型縦型チューブ炉は、精度とアクセス性が極めて重要な高度熱処理のために設計されています。デュアルゾーン独立温度制御と縦型ヒンジ分割構造を組み合わせることで、物理気相成長法(PVD)、近接昇華法(CSS)、化学気相成長法(CVD)など、複雑な実験セットアップへのシームレスな統合が可能です。本システムは、大気の完全性や真空度を損なうことなく、急速加熱および急冷サイクルを必要とする材料科学者や産業研究者にとって汎用性の高いプラットフォームを提供します。縦型構造は、重力を利用したプロセスや垂直方向のサンプル配置を容易にするよう特別に設計されており、特殊なコーティング技術や急冷手法に不可欠です。
本装置の核心的な価値は、4インチの高純度石英プロセスチャンバー内で厳密に制御された環境を維持できる点にあります。分割ケーシング設計は、あらかじめ組み立てられた実験構成や壊れやすいセラミック部品を扱うユーザーにとって大きな利点であり、加熱チャンバーを縦方向に開くことで、チューブの挿入やサンプルの取り出しが容易になります。この効率性により、実験間のダウンタイムが短縮され、反応管の損傷リスクが最小限に抑えられます。材料科学、半導体、再生可能エネルギー産業を対象としており、高純度ナノチューブ、薄膜、特殊触媒を合成するための堅牢なソリューションを提供します。
24時間365日の産業研究開発の過酷な環境に耐えるよう構築されており、システムは頑丈な移動式カートに搭載されているため、実験室内での柔軟な運用が可能です。本システムの信頼性は、高品質な断熱材と、卓越した熱安定性を維持する精密設計のPIDコントローラーによって支えられています。窒素ドープカーボンの構造秩序化や真空下での高温ろう付けなど、最も過酷な熱条件下でも一貫した再現性のある結果を提供します。本装置は、材料合成のスケールアップや、工業グレードの精度で熱処理プロトコルを完成させることに注力する施設にとって、重要な投資となります。
主な特長
- デュアルゾーン独立制御: 本システムは2つの独立した加熱ゾーンを備え、それぞれが3KWのアクティブエレメントで駆動します。独立した温度コントローラーにより、ユーザーは明確な温度勾配を設定したり、合計400mmの加熱長全体にわたって広範囲で均一な等温ゾーンを作成したりすることができ、複雑な気相成長に対して比類のない柔軟性を提供します。
- ヒンジ付き分割ケーシング設計: 炉体は高品質なヒンジ機構で構成されており、加熱チャンバー全体を縦方向に開くことができます。この設計により、プロセスチューブへの迅速なアクセス、素早い冷却、真空ライン全体を解体することなく内部のるつぼや監視機器を簡単にセットアップすることが可能になります。
- 精密な大気および真空の完全性: ステンレス製真空フランジと高温用Oリングを備えており、高純度環境を維持します。アルミナコーティングされたフォームセラミックブロックが熱放射から真空シールを保護し、ピーク温度でもリーク率を毎分5 mTorr以下に抑えます。
- 高度な安全性と熱管理: エアフロー冷却を統合した二重層鋼構造により、外部ケース温度を65°C以下に保ちます。この安全機能は、実験室のスタッフを保護し、高温運転中に周囲の温度変動が近くの敏感な機器に影響を与えるのを防ぎます。
- 高純度アルミナ断熱材: 内部チャンバーは、特殊な表面コーティングを施したプレミアム繊維状アルミナ断熱材で裏打ちされています。これにより、熱を処理ゾーンに反射させてエネルギー効率を最大化し、同時に加熱エレメントを化学蒸気から保護して、ユニットの動作寿命を延ばします。
- プログラム可能なPID計測器: 高度な熱サイクルのため、本システムは30セグメントのプログラムが可能なMET認証コントローラーを採用しています。ユーザーは加熱速度、保持時間、冷却ランプを正確に定義でき、内蔵のPIDオートチューニング機能により、プロセス全体で±1°Cの精度を保証します。
- 工業グレードの機動性: 炉アセンブリ全体が、頑丈で補強された移動式ワークステーションに統合されています。これにより、高温ユニットを施設内で簡単に再配置したり、特殊なガス供給ステーションに安全にドッキングしたりできるため、複数のユーザーが共有する実験室環境に最適です。
- デュアル方式の急冷機能: 縦型構成は、従来のワイヤーカットによる自由落下式と、高度な電磁リリース式の両方の急冷方法をサポートしています。これにより、研究者は高温状態の材料を気体または液体媒体中に急速に凍結させることができ、材料の相転移に関する重要な知見を得ることができます。
用途
| 用途 | 説明 | 主な利点 |
|---|---|---|
| CVD & PVDコーティング | 4インチ石英チャンバー内での気相前駆体を使用した薄膜およびナノチューブの合成。 | 正確な蒸気制御と大型基板上での均一な堆積。 |
| 構造秩序化 | 電気伝導性を向上させるための窒素ドープカーボンの高温処理。 | 触媒用の安定した均一なCo-Nクラスターサイトの形成を促進。 |
| サンプル急冷 | 垂直落下による1100°Cから常温または極低温への材料の急速移行。 | 材料特性評価のための高温準安定相の保持。 |
| 真空ろう付け | 高真空下でデッドウェイト圧力を使用したフラットサンプル(最大1インチ径)の接合。 | 航空宇宙および電子部品向けの強度が高く酸化のない接合。 |
| 触媒合成 | 制御された窒素またはアルゴンフロー下での粉末および多孔質材料の熱処理。 | 燃料電池触媒における限界電流値とメタノール耐性の最適化。 |
| 近接昇華法 | 2つの加熱ゾーン間の温度勾配を利用した半導体層の成長。 | 高い再現性と結晶品質を伴う制御された昇華速度。 |
| 熱アニール | 合金材料およびテクニカルセラミックスの応力緩和と結晶構造の改善。 | 均一な熱分布により亀裂を防ぎ、一貫した機械的特性を確保。 |
技術仕様
| パラメータ | TU-C07の詳細仕様 |
|---|---|
| モデル識別子 | TU-C07 |
| 炉構造 | 空冷式二重層スチールシェル(ケース温度 <65°C)、高純度繊維状アルミナ断熱材 |
| 合計出力 | 合計6.0 KW(各加熱ゾーン3.0 KW) |
| 動作電圧 | AC 208-240V 単相、50/60 Hz |
| 最高温度 | 1100°C(1時間未満の持続時間) |
| 連続使用温度 | 1000°C |
| 加熱ゾーン構成 | 2ゾーン(200mm + 200mm)、合計加熱長:400mm |
| 恒温ゾーン | 250mm(両ゾーン同期時 ±2°C) |
| 温度均一性 | ±5°C @ 500°C(300mm長にわたって) |
| 最大加熱速度 | ≤ 20°C / 分 |
| 温度精度 | ±1°C |
| コントローラータイプ | MET認証PID、30プログラムセグメント、RS485通信ポート |
| プロセスチューブ寸法 | 高純度石英、外径:100mm、内径:95mm、長さ:1000mm |
| アップグレードオプション | 最大1250°C動作用のムライトチューブ(外径60-100mm)、Eurotherm 3000コントローラー |
| 真空シールシステム | 真空ゲージ付きステンレス製フランジ、ガス入口/出口用1/4インチバーブコネクタ |
| 真空度 | 10E-2 Torr(メカニカルポンプ)/ 10E-5 Torr(分子ポンプ) |
| リーク率 | < 5 mTorr / 分 |
| 加熱エレメント | MoドープFe-Cr-Al合金(1300°C定格) |
| 機動性 | 炉アセンブリ用の頑丈な移動式カート付属 |
| コンプライアンス | CE認証(ご要望に応じてNRTL/CSA対応可能) |
TU-C07を選ぶ理由
- 優れた熱効率: 真空成形されたアルミナファイバーと特殊コーティングの組み合わせにより、熱がプロセスチャンバー内に保持され、エネルギーコストを削減し、加熱ランプの一貫性を向上させます。
- 研究のための精密エンジニアリング: デュアルゾーン独立制御とMET認証PID計測器により、本システムは再現性のあるCVDおよびPVDレシピを開発するために必要なきめ細かな制御を提供します。
- 安全性第一の設計思想: 空冷式二重シェルケーシングから過熱保護、放射線遮蔽セラミックブロックに至るまで、本ユニットは専門的な実験室での安全な無人運転のために設計されています。
- 柔軟なアプリケーションアーキテクチャ: その縦型分割チューブ設計は単なる炉ではなく、急冷、ろう付け、大気合成のための多用途ステーションであり、ダイナミックな研究開発環境の変化するニーズに適応可能です。
- 長期的な動作耐久性: 高合金加熱エレメントとプレミアム石英部品で構成されており、構造と真空の完全性を維持しながら、高温サイクルの過酷さに耐えるよう構築されています。
正式な見積もりや、お客様の特定の熱処理要件に合わせたカスタム工業用ソリューションについては、当社の技術営業チームまでお問い合わせください。
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