精密温度コントローラーおよびクイックフランジ真空システム付き 7ゾーン 1200℃ 分割型チューブ炉

管状炉

精密温度コントローラーおよびクイックフランジ真空システム付き 7ゾーン 1200℃ 分割型チューブ炉

商品番号: TU-50

最高温度: 1200°C 加熱ゾーン: 7つの独立したゾーン(35インチの恒温ゾーン) チューブ径: 130mm 外径(5インチ)石英チューブ
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製品概要

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この高性能熱処理システムは、温度プロファイルと勾配の精密な制御を必要とする先端材料科学および産業用研究開発向けに設計されています。独自の7ゾーン加熱構造を採用することで、研究者は非常に長い恒温ゾーン、または非常に特定の段階的な熱勾配を確立することが可能です。この汎用性により、標準的な単一ゾーン炉では必要な空間温度分解能が得られない化学気相成長(CVD)、結晶成長、高度なアニーリングサイクルなどの複雑なプロセスに不可欠なツールとなります。

現代の実験室環境の厳しさを考慮して設計されたこのシステムは、大口径の石英プロセスチューブと、サンプルの装填やチューブのメンテナンスが容易な分割型炉設計を統合しています。加熱チャンバーと電子制御ユニットを分離することで、コンポーネントの長期的な信頼性を確保し、既存の実験室ワークフローやグローブボックス環境への統合を簡素化します。対象産業には、一貫性と再現性が不可欠な半導体製造、電池技術開発、高性能セラミックス研究などが含まれます。

過酷な24時間365日の産業および学術サイクル向けに構築されたこのユニットは、比類のない熱安定性とオペレーターの安全を提供します。堅牢な構造工学と高度な高純度繊維状アルミナ断熱材の組み合わせにより、エネルギー効率を最大化しつつ、外部表面温度を人員にとって安全なレベルに保ちます。ユーザーは、熱環境の完全性が得られる材料データの品質に直結する重要な実験において、この装置を信頼して使用できます。

主な特長

  • 7つの独立した加熱ゾーン: 独立してプログラム可能な7つの個別の150mmゾーンを備えています。これにより、35インチの巨大な恒温ゾーンや、合計42インチの加熱長全体にわたる精密な熱勾配を作成でき、蒸気輸送や局所加熱実験において比類のない柔軟性を提供します。
  • 大口径プロセスチャンバー: 標準で5インチ(130mm)外径の石英チューブを採用しており、大規模なバッチ処理や大型コンポーネントの熱処理に対応可能です。また、1インチから4インチまでのさまざまなチューブサイズをサポートする汎用性の高い設計により、特定のプロジェクト要件に合わせてシステムを適応させることができます。
  • 空気圧リフトサポート機構: 使いやすさを確保し、オペレーターの疲労を防ぐため、分割カバーは強力な圧縮空気スプリングによって支えられています。これにより、チューブの交換やサンプルの装填中にスムーズで制御された開閉が可能となり、繊細な石英部品を偶発的な衝撃から保護します。
  • 高度なタッチスクリーンPID制御: 7つのゾーンすべてを同時に調整する中央タッチスクリーンインターフェースを介して管理されます。各30セグメントを含む最大10種類の独自の熱処理プログラムを保存でき、実験バッチ間での絶対的な再現性を保証します。
  • 高品質な熱冶金: モリブデンをドープした1300℃グレードのFe-Cr-Al合金エレメントを使用しており、標準的な加熱ワイヤーと比較して急速な加熱速度と優れた長寿命を実現しています。これらの高品質エレメントは、高温動作時の酸化や熱疲労に対する耐性を考慮して特別に選択されています。
  • 効率重視の断熱材: 内部には省エネ型の高純度繊維状アルミナがライニングされています。この高性能耐火材料は熱損失を最小限に抑え、統合された空冷技術を備えた二層鋼ケースにより、炉の外殻を低温に保ちます。
  • 簡素化された真空シーリング: ステンレス製のクイックアセンブリフランジと耐腐食性のデジタル真空計を備えており、迅速な真空セットアップと分解が可能です。ニードルバルブとK25ポートの採用により、真空ポンプやガス供給マニホールドとの即時統合が可能です。
  • 耐久性のある安全プロトコル: 過熱および熱電対断線に対する組み込み保護機能により、技術的な障害が発生した場合にシステムが自動的にシャットダウンし、装置とチャンバー内の貴重なサンプルの両方を保護します。

用途

用途 説明 主な利点
化学気相成長(CVD) 高温でのガス前駆体を使用したカーボンナノチューブ、グラフェン、薄膜の成長。 大きなチューブ径とマルチゾーン制御により、大きな基板上での均一な膜堆積を保証。
物理気相輸送(PVT) 制御された熱勾配を介して、高温源から低温基板へ材料を移動させる。 7つの独立したゾーンにより、結晶成長に必要な温度勾配を微調整可能。
材料アニーリング 特殊合金や半導体ウェハーの熱応力緩和および結晶粒径制御。 分割型チューブ設計により、真空またはガス環境下での急速冷却サイクルと容易なサンプル回収が可能。
テクニカルセラミックスの焼結 セラミック粉末を高密度の機能的な実験室用コンポーネントへ高温固化。 高い熱均一性により、ひび割れを防ぎ、大きなサンプル全体で一貫した密度を確保。
電池電極開発 制御された雰囲気条件下でのアノード/カソード材料の焼成および合成。 優れた雰囲気制御と精密なPIDチューニングにより、処理中の化学的安定性を確保。
固体合成 長時間の高温暴露による複雑な酸化物や金属間化合物の合成。 1100℃での信頼性の高い連続運転により、性能ドリフトなしで数日間の処理サイクルが可能。

技術仕様

仕様カテゴリ パラメータ詳細 (TU-50)
モデル識別 TU-50 7ゾーン分割型チューブ炉
最高動作温度 1200 °C (短時間 < 1時間)
連続使用温度 1100 °C (ガス流動時) / 1000 °C (真空 < 1 torr)
最大昇温速度 ≤ 10 °C / 分
加熱ゾーン構成 7つの独立ゾーン; 各150 mm (6"); 全長1050 mm (42")
等温ゾーン長 最大35" (875 mm) 恒温ゾーン (+/- 2 °C以内)
プロセスチューブ寸法 石英チューブ: 130mm 外径 x 122mm 内径 x 2000mm 長 (5" x 79")
対応チューブ範囲 1"~5"径のプロセスチューブに対応
加熱エレメント材質 モリブデンをドープした1300ºCグレード Fe-Cr-Al合金
電源要件 AC 208-240V 単相, 50/60 Hz; 最大8.5 KW (50A ブレーカー)
温度コントローラー タッチスクリーンデジタルユニット; 7チャンネルPID制御; 10プログラム / 30セグメント
精度と精密さ +/- 1 ºC 精度; 7つのK型熱電対 (ゾーンごとに1つ)
真空システムコンポーネント クイッククランプ付きSSフランジ; ニードルバルブ; K25ポート; デジタル真空計
冷却およびシェル設計 空冷式二層鋼ケース (表面温度 < 60 °C)
コンプライアンスと安全性 CE認証取得; 過熱およびセンサー断線保護機能内蔵
通信 内蔵RS485ポート、データ記録ソフトウェア付属

この7ゾーン炉を選ぶ理由

  • 産業グレードの精度: 7ゾーンアーキテクチャは、分割型チューブ炉で利用可能な最高レベルの空間熱制御を提供し、温度均一性に妥協できない研究者にとって最適な選択肢です。
  • 運用効率: クイックフランジ、エアスプリング補助リフト、包括的なタッチスクリーン制御の組み合わせにより、セットアップとプロセス監視に必要な時間を短縮し、研究室のスループットを向上させます。
  • プレミアムな材料構成: モリブデンをドープした加熱エレメントから高純度アルミナ断熱材に至るまで、すべてのコンポーネントは高温サービスの厳しさに耐え、総所有コストを最小限に抑えるために選択されています。
  • 柔軟な統合: 真空処理、雰囲気制御合成、マルチチャンネルCVDのいずれを行う場合でも、このシステムは標準化されたフランジポートとオプションのガス供給互換性により、容易な拡張を促進します。
  • 実証済みの安定性と信頼性: CE認証と熱分離に焦点を当てた設計に裏打ちされたこの装置は、数千時間の運用にわたって高い性能を維持し、研究データの一貫性を年々保証します。

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