製品概要

この高性能熱処理システムは、精密な雰囲気制御と卓越した熱均一性を必要とする先端材料科学研究および産業R&D用途向けに設計されています。分割可能なチャンバー設計を採用することで、あらかじめ位置合わせされたチューブ部品を乱すことなく、迅速な試料アクセスと複雑な実験構成のシームレスな統合を可能にします。本ユニットは最高1200°Cまでの温度で動作するよう設計されており、高度な合成およびアニーリングプロセスに不可欠な装置です。
本システムは主に、制御された熱勾配が重要となる半導体製造、冶金研究室、ナノテクノロジーセンターで使用されます。3ゾーン構成により、広い加熱長にわたって独立した温度管理が可能となり、研究者は特定の成長環境を構築したり、長い定温域を維持したりする柔軟性を得られます。この適応性により、単純な焼結から複雑な化学気相成長(CVD)ワークフローまで幅広く対応できます。
過酷な条件下でも高い信頼性を発揮するよう構築されており、本炉は二重層鋼製ケースと高純度繊維質アルミナ断熱材を備えています。冷却ファンの採用により操作面の温度を低く保ち、安全性を向上させる一方、堅牢な発熱体は長期にわたる安定性を実現します。高真空下でも特定のガス雰囲気下でも、本ユニットは高圧産業環境において再現性のある科学的成果に必要な安定性と精度を提供します。
主な特長
- 独立した多ゾーン熱制御: 加熱チャンバーは3つの独立した300mmゾーンに分割され、それぞれを専用のデジタルコントローラーで制御します。これにより、精密な熱勾配の形成や、625mmに及ぶ大きな定温域の実現が可能です。
- 高精度PID制御: 3台のマイクロプロセッサベース自己調整PIDコントローラーが±1°Cの精度を提供し、安定した処理温度を維持し、繊細な昇温サイクル中のオーバーシュートを防ぎます。
- 革新的な分割チャンバー構造: 分割可能な設計により、洗浄の容易化、迅速な冷却、チューブ交換の簡素化を実現し、特に繊細な試料配置を伴う複雑な実験構成に有利です。
- 高度な雰囲気保持性能: SS 304ステンレス製真空シーリングフランジと二重の高温シリコンOリングを装備し、高真空レベル(ターボポンプ使用時最大10-5 torr)を維持し、多様なガス雰囲気に対応します。
- 高品質発熱体: モリブデン添加のFe-Cr-Al合金発熱体を採用し、1100°Cまでの連続運転において効率的な熱伝達と優れた耐久性を提供します。
- 堅牢な安全設計: 過昇温保護と熱電対断線アラームを内蔵し、無人運転を可能にします。また、分割カバーにはインターロック保護が備わっており、炉を開けると自動的に電源が遮断されます。
- 省エネルギー断熱: 高純度繊維質アルミナ断熱材により熱損失と消費電力を最小化し、冷却ファン付き二重層鋼製ケースが安全な外装温度を維持します。
- 高度なプログラミング機能: 各温度コントローラーは30セグメントのプログラムに対応し、複雑な加熱・冷却・保持プロファイルを設定して、精密な材料変換を実現できます。
用途
| 用途 | 説明 | 主な利点 |
|---|---|---|
| 2D材料合成 | 特定の熱ステージとガス流量を用いたTaおよびNbドープMoS2の合成。 | エッジ構造とドーピング密度を精密に制御。 |
| ナノワイヤ成長 | Ga2O3のためのアニーリング(400°C)と成長(700-860°C)段階を独立設定。 | 触媒合金化と軸方向成長形態を最適化。 |
| 拡散アニーリング | 1000°CでのFe-Ni-Cu合金の高温均質化。 | 熱均一性により拡散速度の偏差を解消。 |
| 先端セラミックスの焼結 | 真空または不活性ガス下でのセラミック前駆体の制御熱処理。 | 酸化を防ぎ、高密度材料の結果を確保。 |
| CVD / PECVDプロセス | 薄膜の化学気相成長のための熱反応炉として使用。 | 堆積ゾーン全体で安定した温度場を維持。 |
| 冶金研究 | 急冷と正確な保持時間を必要とする相変態研究。 | 分割設計により迅速な焼入れと容易な試料取り出しが可能。 |
| 半導体ドーピング | 制御された純度下でシリコンウェハーやその他の基板へのドーパント拡散。 | 高品質クォーツとSSフランジにより清浄環境を維持。 |
技術仕様
| パラメータ | TU-36-80 | TU-36-101 | TU-36-125 |
|---|---|---|---|
| 石英管サイズ(外径 x 内径 x 長さ) | 80 x 72 x 1400 mm | 101 x 92 x 1400 mm | 130 x 120 x 1400 mm |
| 最大加熱温度 | 1200°C | 1200°C | 1200°C |
| 連続使用温度 | 1100°C | 1100°C | 1100°C |
| 最大温度(真空時) | 1000°C | 1000°C | 1000°C |
| 加熱ゾーン長 | 900 mm(300mm x 3) | 900 mm(300mm x 3) | 900 mm(300mm x 3) |
| 定温域 | 625 mm(25") | 625 mm(25") | 625 mm(25") |
| 温度精度 | ± 1°C | ± 1°C | ± 1°C |
| 昇温速度(最大) | 20°C / min | 20°C / min | 20°C / min |
| 電圧 | 208-240V 単相 | 208-240V 単相 | 208-240V 単相 |
| 最大電力 | 7.0 KW | 7.0 KW | 7.0 KW |
| 温度コントローラー | 3x 30セグメント PID | 3x 30セグメント PID | 3x 30セグメント PID |
| 真空レベル | 10-2 to 10-5 Torr | 10-2 to 10-5 Torr | 10-2 to 10-5 Torr |
| フランジ材質 | SS 304 | SS 304 | SS 304 |
| 通信 | RS-485 | RS-485 | RS-485 |
| 適合 | CE認証済み | CE認証済み | CE認証済み |
当社の三温度ゾーン分割型チューブ炉を選ぶ理由
- 実証済みの熱均一性: 3つの独立制御加熱ゾーンを採用することで、単一ゾーン方式に比べて大幅に長く安定した均一温度領域を提供し、大量処理でも一貫した結果を実現します。
- 産業グレードの信頼性: 高品質なFe-Cr-Al発熱体と二重壁鋼製シャーシにより、24時間365日の産業・研究運転向けに設計され、長寿命による低い総所有コストを実現します。
- 精密設計: マイクロプロセッサベース自己調整PIDコントローラーの統合により、最も複雑な30セグメントの熱プロファイルでも±1°Cの精度で実行され、高純度合成に不可欠です。
- 柔軟な統合性: PC制御、Eurothermコントローラー、各種真空ポンプ構成などのオプションアップグレードにより、あらゆる材料科学ワークフローの要件に合わせてカスタマイズできます。
- 安全性と適合性: 標準装備として過昇温アラーム、熱電対故障保護、CE認証を備え、ラボ用途に求められる国際安全基準に適合しています。
詳細なお見積りや、お客様の研究要件に合わせたカスタム熱処理ソリューションについては、ぜひ本日当社の技術チームまでお問い合わせください。
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