製品概要



本高温熱処理システムは、精密な温度制御と雰囲気の柔軟性が不可欠な先端材料研究および産業用研究開発向けに設計されています。3ゾーン加熱構造を採用することで、高度な温度勾配の作成や、大幅に拡張された恒温ゾーンの確保が可能となり、複雑な合成プロセスにおいて欠かせないツールとなります。本装置は最大1600°Cまで安定して動作し、高純度セラミックスの焼結、半導体ドーピング、金属のアニール処理に必要な熱エネルギーを制御された環境下で提供します。
本システムは、プロセスチャンバーへの迅速なアクセスを可能にする独自の分割型炉体を採用しています。この構成は、複雑なフランジ構造を分解することなく、頻繁にプロセスチューブを交換したり、サイクル間でサンプルの物理的状態を監視したりする必要がある研究者にとって特に有利です。航空宇宙工学、エネルギー貯蔵開発、先端半導体製造など、熱環境の完全性が最終製品の品質を直接左右する業界をターゲットとしています。
信頼性は本ユニットの設計の中心です。高耐久性の炭化ケイ素(SiC)発熱体と高精度のS型熱電対を備えており、過酷な連続運転下でも一貫した性能を維持します。高純度アルミナチューブの構造的完全性と真空シールシステムの効率により、敏感な材料の処理に最適な環境を確保します。本システムは、長期的な運用の一貫性と高精度の熱工学に対する堅牢な投資となります。
主な特徴
- 3ゾーン独立制御: 本炉は3つの独立した加熱ゾーンを組み込んでおり、それぞれが独自のマイクロプロセッサベースのPIDコントローラーによって管理されます。これにより、オペレーターは精密な温度勾配を設定したり、350mmの広い均一温度ゾーンを維持したりすることができ、多様な実験要件に対して比類のない柔軟性を提供します。
- 高性能炭化ケイ素加熱: 本システムは、24本の1600°Cグレードの炭化ケイ素(SiC)発熱体で駆動します。これらの発熱体は、優れた熱安定性と、1550°Cまで迅速に到達しつつ産業環境下で長寿命を維持できる能力を評価して選定されています。
- 精密PID温度管理: 高度な自己チューニングPID制御を利用し、オーバーシュートなしで+/- 1°Cの精度を保証します。3つのコントローラーはそれぞれ30セグメントのプログラムが可能で、複雑な昇温、保持、冷却サイクルを高い再現性で自動化できます。
- アクセス性を高める分割型設計: 炉体は縦方向にロックを解除して開くように設計されています。このエンジニアリング上の選択により、アルミナチューブの取り付け、熱ブロックの配置、内部サンプルの管理が簡素化され、実験間のダウンタイムを大幅に短縮します。
- 高度な真空シールシステム: 高品質のステンレス製真空シールフランジとシリコンOリングを備えており、標準的なポンプで10E-2 Torr、分子ポンプシステムで10-5 Torrの真空レベルを達成可能で、敏感な材料のために酸素を含まない環境を確保します。
- 耐久性に優れたアルミナプロセスチューブ: 本装置には、極端な熱衝撃や化学腐食に耐えることができる外径80mmの高純度アルミナチューブが含まれています。これにより、汚染を嫌う反応性ガスや高純度粉末を扱うプロセスに最適です。
- 統合された安全性と監視: 過熱アラームと熱電対故障アラームが内蔵されており、無人運転のための重要な安全層を提供します。S型熱電対の使用により、本システムが対象とする高温範囲に対して非常に正確なフィードバックを保証します。
- スケーラブルなデジタル通信: 標準のDB9 PC通信ポートが統合されており、リモート監視とデータロギングが可能です。この機能は、熱履歴を文書化し、熱処理サイクルのデジタル記録を維持する必要がある産業用研究開発チームにとって不可欠です。
用途
| 用途 | 説明 | 主な利点 |
|---|---|---|
| CVD & PECVD研究 | 前駆体ガスを使用したカーボンナノチューブ、グラフェン、薄膜コーティングの合成。 | 精密な3ゾーンプロファイリングにより、広範囲にわたる均一な前駆体堆積を実現。 |
| 先端セラミックス焼結 | アルミナ、ジルコニア、その他のテクニカルセラミックス材料の高温緻密化。 | 1600°Cの能力と真空の完全性により、焼結中の酸化を防止。 |
| 半導体ドーピング | 半導体ウェハーや基板へのドーパントの制御された拡散。 | 優れた+/- 1°Cの温度精度により、一貫した電子特性を保証。 |
| 雰囲気アニール | 不活性または還元雰囲気中での金属合金やガラスの熱処理。 | 真空シールフランジが雰囲気汚染を防ぎ、材料の純度を確保。 |
| 結晶成長 | 融液からの段階的な冷却による単結晶構造の生成。 | 独立したゾーン制御により、低速成長に必要な精密な温度勾配が可能。 |
| 触媒合成 | 化学処理用の触媒担体および活性相の高温活性化。 | 堅牢なSiC発熱体が、効率的な活性化に必要な持続的な高温を提供。 |
| 粉末冶金 | 航空宇宙や自動車用途向けの金属粉末の高密度部品への焼結。 | 分割型炉設計により、複数の重量サンプルの投入が容易。 |
| 熱サイクル試験 | 繰り返し高温ストレス下での部品試験による疲労評価。 | プログラム可能な30セグメントコントローラーが、長期試験用の複雑な熱ストレスプロファイルを自動化。 |
技術仕様
| パラメータ | 詳細仕様(単位/値) |
|---|---|
| モデル識別子 | TU-71 |
| 電源入力 | 9.0 kW |
| 動作電圧 | 208-240VAC, 50/60Hz |
| 最高使用温度 | 1550°C |
| 連続使用温度 | 1500°C |
| 推奨昇温速度 | < 10°C / 分 |
| 発熱体 | 24本 1600°Cグレード炭化ケイ素(SiC) (直径12mm x 発熱部150mm x 全長368mm) |
| 熱電対 | 3本 内蔵S型熱電対 |
| プロセスチューブ材質 | 高純度アルミナチューブ |
| プロセスチューブ寸法 | 外径80mm x 内径74mm x 全長1200mm |
| 加熱ゾーン構成 | 3ゾーン:各200mm(全長600mm) |
| 恒温ゾーン長 | 350mm (+/- 2°C) |
| 温度コントローラー | 3x マイクロプロセッサPID;30セグメント(昇温、冷却、保持) |
| 温度精度 | +/- 1°C |
| 真空能力 | 10E-2 Torr (メカニカルポンプ);10-5 Torr (分子ポンプ) |
| 通信インターフェース | 標準DB9 PCポート(オプションでPC制御モジュール利用可能) |
| フランジシステム | シリコンOリング付き真空シールフランジ付属 |
| 最大内部圧力 | < 0.02 MPa (0.2 bar / 3 PSI) |
| 安全機能 | 過熱アラーム、熱電対故障アラーム |
| コンプライアンス | CE認証取得済み(追加料金でNRTLまたはCSA対応可能) |
| 電源ケーブル | 10フィート 高耐久10-3 AWG UL認定(プラグは付属しません) |
本熱処理システムを選ぶ理由
- 優れた熱精度: 3ゾーン独立制御アーキテクチャにより、350mmもの広大な均一温度ゾーンを実現し、大量バッチの材料処理における誤差を大幅に削減します。
- 工業グレードの耐久性: 1600°CグレードのSiC発熱体と高耐久アルミナチューブで構成されており、連続的な工業生産や高温研究の過酷な環境に耐えるよう設計されています。
- 多用途な雰囲気制御: 高真空環境が必要な場合でも、低圧の不活性ガス環境が必要な場合でも、高度なフランジおよびシールシステムが現代の材料合成に必要な隔離環境を提供します。
- 精密工学と安全性: 完全なCE認証を取得しており、NRTL/CSAへのアップグレードも可能なため、ラボおよび産業用安全に関する世界で最も厳格な基準を満たし、長期プロジェクトにおいても安心です。
- カスタマイズ可能な制御オプション: 標準の高精度PIDコントローラーに加え、さらに高い精度を実現するEurotherm制御へのアップグレードや、包括的なデータ管理のためのLabviewベースのソフトウェアにも対応しています。
当社のエンジニアリングチームが、お客様の特定の用途要件に最適な熱環境の構築をサポートいたします。技術相談や正式な見積もりについては、今すぐお問い合わせください。
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