製品概要


この大容量熱処理システムは、大規模な半導体ウェーハ処理、先端材料研究、および工業グレードの熱処理専用に設計されています。大型の3ゾーン加熱構成と大口径の石英管を統合することで、化学気相成長(CVD)やアニールサイクルに必要な熱的精度を犠牲にすることなく、広範な処理容積を提供します。本装置は1100°Cで連続運転が可能であり、再現性の高い結果と高純度な雰囲気を求める高スループットなラボ環境やパイロット生産ラインに堅牢なプラットフォームを提供します。
半導体、航空宇宙、エネルギー貯蔵分野をターゲットとしており、ウェーハ拡散から触媒材料の構造最適化まで、幅広い用途で優れた性能を発揮します。3ゾーン設計により、精密な温度勾配の作成や、大幅に拡張された均熱ゾーンの確保が可能であり、大型基板や複数のサンプルを同時に処理する際に不可欠です。この汎用性により、ベンチトップ実験から産業用プロトタイプへのスケールアップを目指す施設にとって、本システムは中核的な役割を果たします。
信頼性を最優先に設計されており、二重層スチールケーシングと高度な繊維状アルミナ断熱材を使用して、運用上の安全性とエネルギー効率を確保しています。水冷式のステンレス製密閉フランジを搭載しているため、高真空下での運用や制御された雰囲気中での処理が可能であり、最も要求の厳しい冶金・化学プロセスであっても、安定したクリーンな環境内で実行できます。本システムは耐久性に優れた投資であり、過酷なR&Dスケジュール下でも長期的なパフォーマンスを提供します。
主な特長
- 独立した3ゾーン温度制御: 各300mm長の3つの独立した加熱ゾーンを備え、個別のPIDプログラムコントローラーで制御されます。これにより合計900mm(約35.4インチ)の加熱長を実現し、600mmの恒温ゾーンや、特殊な気相輸送プロセスに必要な複雑な温度勾配を柔軟に設定できます。
- 大型石英管の統合: 外径8.5インチ(216mm)から11インチ(279mm)までの石英管を収容可能で、大型のウェーハボートや特大の工業用部品に対応します。この大容量はラボスケールの管状炉としては稀であり、小規模研究と本格的な工業生産のギャップを埋めるものです。
- 高性能FeCrAl発熱体: 高品質な鉄クロムアルミニウム(FeCrAl)抵抗線を、耐火性の繊維状アルミナ断熱材内に戦略的に埋め込んでいます。これらの発熱体は耐酸化性と耐熱疲労性に優れており、最高運転温度まで頻繁にサイクルさせても長い耐用年数を保証します。
- 高度な密閉真空シール: ヒンジ式の水冷ステンレス製フランジを装備しています。これらのフランジには真空計、ニードルバルブ、KF40ポートが統合されており、メカニカルポンプで最大5e-2 torr、オプションのターボポンプシステムを使用すればさらに高い真空レベルを達成可能です。
- 優れた断熱性と安全性: 空冷機能を備えた二重層スチールケーシングにより、ピーク運転時でも外表面温度を70°C以下に保ちます。高純度アルミナ繊維断熱材の使用により熱損失と消費電力を最小限に抑えつつ、最大10°C/分の高い昇温・降温速度を維持します。
- 精密PID計装: 各ゾーンはデュアルK型熱電対によって監視され、+/- 1°Cの精度を持つ30セグメントのプログラムコントローラーによって管理されます。この制御レベルは、長時間の焼鈍や拡散工程において、オーバーシュートを防ぎ、繊細な基板の完全性を確保するために不可欠です。
- 堅牢なガスハンドリング機能: フランジ構造にはステンレス製ニードルバルブとクイックコネクトポートが含まれており、不活性ガスや反応ガスの導入を容易にします。ガス流量と圧力を厳密に維持する必要がある雰囲気制御プロセスに最適です。
- ウェーハ処理に最適化: オプションの石英バッフルブロックや専用ウェーハボート(大型チューブ用は最大8インチまで)に対応しており、半導体のアニール、酸化、拡散プロセス向けのターンキーソリューションとなります。
用途
| 用途 | 説明 | 主な利点 |
|---|---|---|
| 半導体ウェーハアニール | シリコンや化合物半導体ウェーハの高温処理による結晶欠陥の修復とドーパントの活性化。 | 大口径(最大11インチ)にわたる優れた均一性により、一貫した電気的特性を確保。 |
| 触媒材料合成 | 1100°Cでの窒素ドープカーボンおよびCo-Nクラスターサイトの構造秩序化と黒鉛化。 | 活性サイトの安定性と均一な分布を強化し、限界電流値を向上。 |
| 常圧CVD | 制御されたガス流量と高温を用いた、様々な基板への薄膜の化学気相成長。 | 精密な3ゾーン制御により、前駆体反応を促進する必要な温度勾配を実現。 |
| 大規模粉末焼成 | 工業用粉末の大量バッチからの材料の熱分解や揮発性成分の除去。 | 大容量石英管により、標準的なラボ用炉と比較してバッチあたりの処理量を大幅に向上。 |
| 全固体電池研究 | 真空または不活性雰囲気下でのセラミック電解質および電極材料の焼結。 | 密閉シールにより汚染を防ぎ、高純度な材料開発を保証。 |
| 航空宇宙材料試験 | 飛行条件をシミュレートするための、先端合金や複合材料の高温酸化環境試験。 | 信頼性の高い1100°C連続運転により、長期疲労試験に必要な耐久性を提供。 |
| カーボンナノチューブ成長 | 触媒基板上での炭化水素ガスの熱分解によるCNTの大規模合成。 | 拡張された均熱ゾーン(600mm)により、1回あたりの高品質ナノチューブ収量を最大化。 |
技術仕様
| パラメータ | TU-39-8.5 | TU-39-11 |
|---|---|---|
| 石英管寸法 | 外径216 x 内径206 x 長さ1300mm (8.5" x 8.1" x 51") | 外径279 x 内径269 x 長さ1300mm (11" x 10.6" x 51") |
| 最大ウェーハボートサイズ | 6インチウェーハボート | 8インチウェーハボート |
| 電源要件 | 208-240VAC, 単相, 50/60 Hz, 40 A | 208-240VAC, 単相, 50/60 Hz, 40 A |
| 最高温度 | 1200°C (1時間未満) | 1200°C (1時間未満) |
| 連続使用温度 | 1100°C | 1100°C |
| 加熱長 | 900 mm (合計) / 300mm + 300mm + 300mm | 900 mm (合計) / 300mm + 300mm + 300mm |
| 均熱ゾーン長 | 600 mm (+/- 3°C @ 800°C) | 600 mm (+/- 3°C @ 800°C) |
| 昇温・降温速度 | 最大 10°C/分 | 最大 10°C/分 |
| 温度制御 | PIDコントローラー3台、30セグメント | PIDコントローラー3台、30セグメント |
| 制御精度 | +/- 1°C | +/- 1°C |
| 熱電対タイプ | 各ゾーンにデュアルK型 | 各ゾーンにデュアルK型 |
| 真空フランジ | 水冷ステンレス製 (ヒンジ式) | 水冷ステンレス製 (ヒンジ式) |
| 真空レベル | < 5e-2 torr (メカニカルポンプ使用時) | < 5e-2 torr (メカニカルポンプ使用時) |
| 最大圧力 | ≤ 3 psig | ≤ 3 psig |
| シェル構造 | 空冷付き二重層スチール | 空冷付き二重層スチール |
| 冷却水要件 | >16 L/分, 5-30 °C, <80 psig | >16 L/分, 5-30 °C, <80 psig |
この3ゾーン管状炉を選ぶ理由
- 工業グレードのスループット: 11インチ外径のチューブ容量と900mmの加熱長という稀な組み合わせにより、通常は産業用規模の装置を必要とする大型基板や大量の材料を処理できます。
- 精密エンジニアリング: 3ゾーンPID制御と+/- 1°Cの精度により、再現性の高い材料科学および半導体製造に必要な熱安定性を提供します。
- 高度な安全性と安定性: 二重壁ケーシング設計と水冷フランジにより、安全なラボ環境を確保し、高温・長時間サイクル中の内部シールを保護します。
- 高真空の完全性: ヒンジ式密閉フランジとKF40ポートを備え、5e-2 torrまでの真空レベルを必要とする高純度プロセス向けに設計されており、クリーンルーム環境にも適しています。
- カスタマイズ可能な制御オプション: 標準のPID構成に加え、高度なレシピ編集や自動データロギングのために、Eurotherm 3000シリーズコントローラーやLabviewベースのソフトウェアへのアップグレードが可能です。
弊社の技術チームが、お客様のR&Dや生産ニーズに確実に適合するよう、カスタム構成や特定のプロセス要件についてサポートいたします。詳細な見積もりや熱処理仕様のご相談については、今すぐお問い合わせください。
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