製品概要
この高性能3ゾーンチューブ炉は、複雑な温度プロファイルの精密制御を必要とする研究者や産業技術者向けに特別に設計された、実験用熱処理の最高峰です。単一の高純度アルミナチューブ環境内に3つの独立した加熱ゾーンを統合することで、結晶成長、化学気相成長（CVD）、高度な材料合成に不可欠な洗練された熱勾配の生成を可能にします。本装置のコアバリューは、連続したワークスペース全体で異なる温度を維持する能力にあり、標準的な熱処理から非常に特殊な研究プロトコルまで対応できる多用途なプラットフォームを提供します。
本装置の主な用途は、電子、航空宇宙、エネルギー研究の分野にわたり、これらの分野では機能性材料を厳しい雰囲気条件下で調製する必要があります。3ゾーン構造は、前駆体の蒸発と基板への堆積を異なる温度で精密に維持する必要があるエピタキシャル膜成長やナノワイヤ合成に特に効果的です。対象業界としては、半導体製造、高度セラミックス開発、冶金研究施設など、熱サイクルにおいて妥協のない精度と再現性が求められる分野が含まれます。
要求の厳しい産業・実験環境向けに設計された本システムは、堅牢な二層鋼製筐体と高度な空冷システムを搭載しており、長時間の高温運転中でも安全な低温の外郭を維持します。高純度繊維状アルミナ断熱材から、中心部の極熱と周辺部の制御された安定性の技術的要件を両立する二重加熱素子構成まで、すべてのコンポーネントに信頼性が組み込まれています。本装置は長時間実験に必要な安定性を提供し、優れた熱工学によって重要なデータと材料の生成物が保護されるという安心感をユーザーに提供します。
主な特長
- 3ゾーン独立温度制御：本システムは3つの別個のデジタルマイクロプロセッサを使用して各ゾーンを独立して制御し、精密な熱勾配の生成を可能にします。この機能は、前駆体をあるゾーンで気化させ、別の温度の別のゾーンで堆積させるプロセスに不可欠です。
- 二重加熱素子アーキテクチャ：中心ゾーンは1700°Cに到達するSuper-1800 二ケイ化モリブデン（MoSi2）加熱素子を搭載し、両側のゾーンは最大1400°Cまで安定動作する炭化ケイ素（SiC）素子を使用しています。このハイブリッド設計により、全長25インチの加熱長全体でエネルギー効率と加熱性能が最適化されます。
- 高度なPID制御ロジック：3つのコントローラーすべてに30のプログラム可能セグメントが搭載されており、自己調整機能と過熱または熱電対断線に対する高度な保護機能を提供します。これにより、直線的な昇温速度と安定した均熱時間が確保され、繊細なサンプルへの熱衝撃が最小限に抑えられます。
- 高純度アルミナチューブ環境：純度99.8%のアルミナチューブを使用しているため、非常に不活性な処理雰囲気を提供します。この高密度素材は汚染を防ぎ、高温CVD操作中の反応性の高い前駆体による化学的侵食に耐性を示します。
- 優れた真空・耐気密性：バルブと圧力計が一体型になったステンレス鋼製真空封止フランジを搭載しており、ターボポンプと組み合わせることで10-4 Torr までの真空度を達成できます。ダブルガスケット設計により、不活性ガスまたは還元ガス下での処理において気密性能を確保します。
- 設計された断熱構造：本炉は高純度繊維状アルミナ断熱材を使用しており、熱伝導率が低く蓄熱量が少ないという特長があります。この設計により、昇温・降温サイクルを高速化すると同時に、高温安定性の維持に必要なエネルギー消費を大幅に削減します。
- 堅牢な安全・冷却システム：一体型のデュアル冷却ファンを備えた二層鋼製筐体により、安全な外面温度を維持します。この設計により実験スタッフと内部電子部品が保護され、制御システムの耐用年数が大幅に延長されます。
- マルチゾーン熱電対統合：本システムは高温中心ゾーンにB型熱電対を1本、側部ゾーンにS型熱電対を2本採用しています。この構成により、PIDコントローラーに対する最高レベルの測定精度と応答性の高いフィードバックが提供されます。
- カスタマイズ可能なガス供給オプション：標準のかえし付きホース継手をKF25アダプターまたはSwagelokチューブ継手にアップグレード可能で、高度な薄膜成長のための高真空システムまたは高圧ガス供給マニホールドとシームレスに統合できます。
用途
| 用途 | 説明 | 主な利点 |
|---|---|---|
| エピタキシャル膜成長（CVD） | 上流ゾーンで前駆体を気化させ、中心高温ゾーンの基板上に堆積させます。 | 膜厚と分子構造の精密制御が可能です。 |
| ナノワイヤ合成 | 触媒合金化と軸方向成長に個別の熱段階が必要な酸化ガリウム（Ga2O3）成長を促進します。 | 形態の規則性が最適化され、電子特性が向上します。 |
| 熱勾配焼結 | セラミックまたは金属サンプルに対し、長手方向全体で制御された温度変化を印加します。 | 1回の実行で相転移と拡散速度論の研究が可能になります。 |
| 電子部品のエージング試験 | 極端な局所熱下で高出力半導体材料の耐久性を試験します。 | 実際の高負荷環境をシミュレートする信頼性の高い試験が可能です。 |
| 粉末仮焼 | 高純度真空または不活性ガス下で化学触媒または電池材料を処理します。 | エネルギー貯蔵用途において、酸化を防止し高純度な最終生成物を確保します。 |
| 焼鈍しと焼き戻し | 制御された環境下で精密金属合金の応力除去を行い、機械的特性を向上させます。 | 表面仕上げや純度を損なうことなく内部応力を除去します。 |
| 状態図マッピング | 柔軟な3ゾーン構造を利用して、温度依存性の材料特性を迅速に測定します。 | 新しい機能性材料の探索における研究開発時間を大幅に削減します。 |
技術仕様
| 項目 | 仕様詳細（TU-79） |
|---|---|
| 製品モデルシリーズ | TU-79 |
| 電圧 | AC 208-240V 単相、50/60 Hz |
| 消費電力 | 10 KW（75Aのエアブレーカーが必要です） |
| ゾーン1 仕様 | 長さ7.5インチ（190mm）；SiC素子×4本；400 - 1400°C（1時間未満であれば最大1500°C） |
| ゾーン2（中心） 仕様 | 長さ10.0インチ（250mm）；MoSi2素子×6本；800 - 1700°C |
| ゾーン3 仕様 | 長さ7.5インチ（190mm）；SiC素子×4本；400 - 1400°C（1時間未満であれば最大1500°C） |
| 全加熱ゾーン長 | 2つの耐火セパレーターを含め合計25インチ（630mm） |
| 定温度ゾーン | 長さ200mm、精度± 1°C（全コントローラー同期時） |
| 最大昇温速度 | ≤ 10°C/分（側部ゾーン）；≤ 5°C/分（中心ゾーン） |
| チューブ素材とサイズ | 純度99.8% アルミナ；外径オプション：60mm、80mm、100mm；長さ1200mm |
| 真空封止 | バルブ・計器付きステンレス鋼フランジ；ダブルガスケット標準装備 |
| 真空圧力限界 | ターボポンプ使用時に最大10-4 Torr（真空使用時は1500°C未満に制限されます） |
| 温度コントローラー | デジタルPIDコントローラー×3台、30セグメント、オートチューニング、精度± 1°C |
| 熱電対種別 | B型×1本（中心）、S型×2本（側部）；挿入長210mm |
| 安全・認証 | CE認証取得；要望に応じNRTL/CSA認証取得可能 |
| 筐体 | 二層鋼製、高速冷却ファン×2基搭載 |
当社を選ぶ理由
- 洗練された熱工学：MoSi2とSiC加熱素子の独自の組み合わせを利用することで、標準的な単一素子システムよりも広い動作範囲とより安定した熱勾配を提供します。
- 比類のない雰囲気制御：高純度アルミナチューブと精密ステンレス鋼真空フランジを標準搭載することで、最も敏感な化学気相成長や半導体プロセスに対しても汚染のない環境を確保します。
- 産業グレードの信頼性：二重壁鋼構造とCE認証済み電子部品により、本システムは性能を劣化させることなく、継続的な高温研究開発作業の過酷さに耐えられるように設計されています。
- 精度とプログラム性：3つのゾーンすべてが個別の30セグメントPIDコントローラーで制御されるため、同期または個別の熱勾差としてプログラム可能な複雑な多段階レシピに対応できます。
- カスタマイズ可能で将来性がある：THERMUNITSでは、進化する研究要件に対応するため、欧州製高精度コントローラー、LabVIEWベースのソフトウェア管理、特殊ガス供給継手など、豊富なオプションアップグレードを提供しています。
当社の技術工学チームは、お客様の特定の研究ニーズに合わせて理想的な炉の構成をカスタマイズする準備ができています。詳細な見積もりやカスタムシステム改造のご相談は、今すぐお問い合わせください。
引用を要求
弊社の専門チームが 1 営業日以内にご返信いたします。 お気軽にお問い合わせ下さい！
関連製品
真空フランジ付き 三温度ゾーン分割型チューブ炉 36インチ加熱長 高温1200℃ 材料研究用炉
1200℃の高温処理向けに精密設計された三温度ゾーン分割型チューブ炉です。材料科学の研究開発における雰囲気制御および真空用途のための高度なPID制御を備え、卓越した熱均一性と信頼性の高い性能を産業用ラボ環境および研究機関に提供します。
5インチ加熱ゾーン、高純度アルミナチューブ、真空シーリングフランジ付き 1700℃ 高温卓上チューブ炉
この1700℃の高温チューブ炉は、先進材料研究向けに5インチの加熱ゾーンとアルミナチューブを備えています。焼結、焼なまし、化学気相成長のために、精密な雰囲気制御と50 mTorrまでの真空レベルを実現します。
高温3ゾーン分割型チューブ炉 最高1200℃ 加熱長35.4インチ 内径8インチチューブ
この高性能な3ゾーン分割型チューブ炉は、35.4インチの加熱ゾーンと8インチ径のチューブを備え、高度な熱処理を実現します。独立したゾーン管理により、真空またはガス雰囲気下で最高1200℃の温度と優れた均熱性を達成します。
先端材料科学の焼結および化学気相成長（CVD）アプリケーション向け高温三温度帯チューブ炉
最高温度1700℃、独立PID制御を備えたこの精密三ゾーンチューブ炉で熱処理を最適化。CVD、真空焼鈍、材料焼結に最適な優れた均一性を実現し、先端研究・産業用R&Dラボラトリーや大規模製造施設に理想的な装置です。
8インチまたは11インチ石英管と高真空フランジを装備した大型縦型3ゾーン管状炉 1200℃
当社の設計による大容量縦型3ゾーン炉は、独立した温度制御と11インチ石英管への対応により、要求の厳しい実験環境下での重要な産業用焼鈍・焼結研究および先端材料科学開発において、優れた均熱性と向上した真空完全性を実現します。
高温材料合成用、オプションの石英管および真空フランジシステム付き 24インチ 3ゾーン分割式チューブ炉
独立した温度制御、石英管対応、真空シールフランジを備えたこの高級24インチ3ゾーン分割式チューブ炉で、材料研究を加速します。1200°Cまでの精密な熱処理を実現し、要求の厳しい実験室および産業R&D用途に対応します。
材料科学および産業用熱処理向け真空フランジ・プログラム温度コントローラー付き1100℃管状炉
プログラム可能なPIDコントローラーと高真空フランジを備えた、汎用性の高い1100℃管状炉で、研究室の熱処理プロセスを最適化します。精密な材料合成や産業用R&D向けに設計されており、デュアルオリエンテーション（水平・垂直）の柔軟性と、要求の厳しい用途にも対応する一貫した温度均一性を提供します。
1200°C対応 3ゾーン管状炉 最大外径6インチ（チューブ・フランジ付き）
外径6インチの処理能力と高度なタッチスクリーン制御を備えた、この1200°C対応3ゾーン管状炉で熱処理プロセスを最適化します。この高精度システムは、先端材料研究、半導体アニール、工業用熱処理用途において均一な温度分布を保証します。
11インチまたは15インチ石英管とヒンジ式フランジを装備した真空雰囲気熱処理用3ゾーンチューブ炉
本3ゾーンチューブ炉は11インチまたは15インチの石英管を備え、精密な真空制御下での大規模ウェハアニーリングや材料合成に優れた熱均一性を実現します。産業研究所の安全性のため電動式リッド操作に対応しています。
縦型開閉式チューブ炉 0-1700℃ 高温実験装置 CVD・真空熱処理対応
先端材料研究向けに設計されたこの1700℃対応縦型開閉式チューブ炉は、高精度な3ゾーン加熱と急速焼入れ機能を備えています。CVDプロセスや真空焼鈍に最適で、厳しいR&D環境に対応する産業級の信頼性、雰囲気制御性、モジュール式の柔軟性を提供します。
80mmアルミナ管採用 垂直型1700℃真空・雰囲気制御チューブ炉
この高精度垂直型チューブ炉は、材料合成のために最高1700℃までの卓越した熱均一性を実現します。80mmのアルミナ管と高度な真空シールフランジを備え、要求の厳しい産業用R&Dや特殊な熱処理プロセスに安定した雰囲気を提供します。
CVDおよび材料焼結用3ゾーン高温真空管状炉
この高性能3ゾーン管状炉は、各ゾーンを独立して制御することで精密な温度勾配を実現します。CVDや真空アニール用に設計されており、優れた温度均一性、高度なPIDプログラミング、産業用R&D向けの堅牢な真空シールを提供します。
高温1500℃ 3ゾーン分割型チューブ炉（80mmアルミナ管・真空フランジ付）
この設計された1500℃ 3ゾーン分割型チューブ炉は、80mmアルミナ管と精密なPID制御を備えています。高度な材料研究、CVDプロセス、および優れた温度均一性と高真空安定性を必要とする工業用熱処理に最適です。
大型ウェーハ処理用 8.5～11インチ外径石英管および真空フランジ付き 1100°C 3ゾーン管状炉
8.5～11インチの大型石英管と密閉フランジを備えた、精密な1100°C 3ゾーン管状炉です。優れた熱均一性と高真空対応により、産業用R&Dプロジェクトや大規模なウェーハ処理、先端材料研究に最適です。
1700℃ 高温3ゾーン管状炉（アルミナ管・水冷フランジ付）
この高度な高温3ゾーン管状炉は、精密な1700℃の熱処理と雰囲気制御を実現します。半導体研究、先端冶金、セラミックス焼結に最適で、独立したPID温度コントローラーにより優れた均熱性を提供します。
24インチ加熱長・ヒンジ式フランジ石英管システム搭載 3ゾーンチューブ炉
このプロ仕様の3ゾーンチューブ炉は、24インチの加熱長と、効率的なサンプル投入を可能にするヒンジ式フランジを備えています。1200°Cまでの処理に最適化されており、高度な産業材料研究のために精密な温度均一性と真空互換性を提供します。
材料研究および工業用熱処理用 1700℃高温3ゾーン管状炉（アルミナ管 外径50mm 60mm 80mm）
この高性能1700℃ 3ゾーン管状炉は、精密アルミナ管と独立した加熱制御を特徴としています。高度な材料研究向けに設計されており、化学気相成長（CVD）や複雑な雰囲気制御下の工業用熱処理プロセスにおいて、優れた温度均一性と安定性を提供します。
三ゾーン加熱 分割式縦型チューブ炉 1700 高温真空雰囲気熱処理システム
産業研究開発および材料科学用途向けの先進的な1700°C三ゾーン加熱分割式縦型チューブ炉。独立した熱制御、高真空機能、そしてエネルギー効率の高い断熱により、安定した高温処理と迅速な試料急冷結果を実現する高精度システムです。
1200°C 3ゾーン分割式管状炉（加熱長18インチ、真空フランジ付き）
この1200°C 3ゾーン分割式管状炉で熱処理プロセスを最適化しましょう。18インチの加熱長と精密なPID制御を備え、高度な材料研究、アニーリング、焼結、および世界中の研究施設における専門的な産業R&Dアプリケーションに優れた温度均一性を提供します。
1600°C 3ゾーン分割型チューブ炉（アルミナチューブ・真空フランジ付）
この1600°C 3ゾーン分割型チューブ炉は、高度な材料合成や研究開発向けに、精密な温度プロファイリングと真空機能を提供します。複数の独立した加熱ゾーンにより優れた温度均一性を実現し、高い一貫性を備えた堅牢な設計が特徴です。