製品概要
この高性能熱処理システムは、先端材料科学や産業用R&Dの厳しい要求を満たすように設計されています。洗練された3ゾーン加熱アーキテクチャを採用しており、非常に安定した熱プラトーや精密な温度勾配を作成可能です。高純度アルミナ処理管と分割型炉設計を利用することで、1500℃までの高温合成、焼結、アニーリングのための多用途なプラットフォームを提供します。その核心的な価値は、高真空から制御された雰囲気まで、幅広い環境で再現性の高い精密な結果を提供し、重要な研究の整合性と拡張性を保証する点にあります。
半導体製造、航空宇宙セラミックス、冶金研究などの業界をターゲットとしており、熱均一性が不可欠なアプリケーションで優れた性能を発揮します。本装置は、実験要件に応じて処理管を迅速に交換する必要がある多目的ラボ環境向けに設計されています。堅牢な構造と最先端の加熱素子により、次世代材料に注力する学術機関および産業研究所にとって信頼できる主力装置となります。
信頼性は本装置の設計の中心です。最近更新されたインターロック安全システムと高品質な炭化ケイ素加熱素子を組み込んでおり、長寿命と運用安全性を実現しています。1400℃での連続高温運転下でも、構造的完全性と精度を維持します。産業用ユーザーは、包括的なPID制御と冗長な過熱保護メカニズムにより、安全性やサンプルの完全性を損なうことなく、無人運転が可能なため、過酷なデューティサイクル下での性能に全幅の信頼を置くことができます。
主な特徴
- 独立制御可能な3ゾーン加熱： システムは3つの独立した200mm加熱ゾーン（合計600mm）を備えており、それぞれが独自のコントローラーとS型熱電対によって管理されます。これにより、±2ºCの均一性を備えた350mmの恒温ゾーンや、蒸気輸送用途向けのカスタム熱勾配の作成が可能です。
- 精密PID温度制御： 3つの30セグメントプログラム可能なコントローラーを搭載し、加熱速度、冷却速度、保持時間を±1°Cの精度で管理する高度なマイクロプロセッシングロジックを提供します。
- 人間工学に基づいた分割チャンバー設計： 炉ハウジングは縦方向に開くように設計されており、真空フランジ全体を分解することなく、チューブの交換、サンプルの投入、複雑な内部センサーアレイの統合が容易に行えます。
- 高度な安全インターロックシステム： 炉構造に統合された専用の安全インターロックにより、チャンバーを開くと自動的に加熱素子への電源が遮断され、点検やメンテナンス中の電気的・熱的曝露からオペレーターを保護します。
- 高性能炭化ケイ素（SiC）素子： 24本の高品質1500℃定格SiCロッド（直径14mm）を装備し、セラミック処理管全体にわたって迅速な熱応答と均一な放射熱伝達を保証します。
- 多用途な雰囲気対応： 本装置には高純度アルミナ管と精密加工された真空フランジが付属しており、（分子ポンプ使用時に）最大10E-5 torrまでの真空レベルおよび低圧ガス環境をサポートします。
- 包括的な保護回路： 過熱や熱電対の断線に対する内蔵の安全装置により、長時間のサイクル中でも安心を提供します。偏差が発生した場合には、自動的に作動する音響および視覚アラームが含まれます。
- 拡張可能なデジタル通信： 標準のRS485ポートを備えており、Labviewベースのソフトウェアを介したリアルタイムデータロギング、リモートレシピ管理、自動サイクル検証のためのPCベース制御モジュールにアップグレード可能です。
- 耐久性のあるムライト/アルミナ管オプション： 標準のアルミナ管（外径80mm）やオプションのムライト管（外径82mm）など、様々なチューブ材料をサポートしており、特定のプロセス要件に基づいて化学的適合性と耐熱衝撃性を最適化できます。
アプリケーション
| アプリケーション | 説明 | 主な利点 |
|---|---|---|
| CVD / PECVD | 薄膜成長およびカーボンナノチューブのための化学気相成長法。 | 精密な勾配制御により、大きな基板全体で均一な膜堆積が可能。 |
| テクニカルセラミックス焼結 | 高度な酸化物および非酸化物セラミックスの高温緻密化。 | 1500℃のピーク性能により、高融点テクニカルセラミックスの合成が可能。 |
| 半導体アニーリング | シリコンウェハーまたは化合物半導体材料の制御された熱処理。 | 3ゾーン制御により、処理管の全長にわたって同一の熱履歴を保証。 |
| 結晶成長 | 単結晶合成のための蒸気輸送および方向性凝固技術。 | 独立したゾーンプログラミングにより、固液界面移動の微調整が可能。 |
| 真空脱ガス | 特殊な冶金合金からの揮発性不純物およびガスの除去。 | 高真空フランジ設計により、高温下の深真空でも構造的完全性を維持。 |
| 電池材料研究 | 不活性または酸化雰囲気中でのアノード/カソード前駆体の焼成および熱サイクル。 | 堅牢なS型熱電対が、数日間にわたるサイクル試験に必要な長期安定性を提供。 |
技術仕様
| パラメータ | TU-65の仕様詳細 |
|---|---|
| モデル番号 | TU-65 |
| 最高温度 | 1500°C（1時間未満） |
| 連続使用温度 | 1400°C |
| 加熱速度 | 推奨 5°C/分 |
| 定格電力 | 9KW |
| 入力電圧 | AC220V 単相、50/60Hz（50Aブレーカーが必要） |
| 加熱ゾーン構成 | 3ゾーン：各ゾーン200mm（全長600mm） |
| 均熱ゾーン | 350mm（全ゾーンを同一設定温度にした場合、±2ºC） |
| 温度精度 | PID 30セグメントプログラム制御で±1ºCの精度 |
| 処理管（標準） | アルミナ管：外径80mm × 内径74mm × 全長1200mm |
| 処理管（オプション） | ムライト管：外径82mm × 内径73mm × 全長1200mm |
| 加熱素子 | 炭化ケイ素ロッド 24本（直径14mm × 発熱部150mm × 全長413mm） |
| 熱電対 | S型 3本（各加熱ゾーンに1本） |
| 真空性能 | 10E-2 torr（メカニカルポンプ） / 10E-5 torr（分子ポンプ） |
| ガス流量制限 | 2段レギュレーター使用時 200 SCCM（200 ml/分）未満（3 PSI未満） |
| 最大動作圧力 | 0.02 Mpa未満（ムライト管使用時） |
| 通信インターフェース | RS485（オプションのMTS-02 PC制御モジュールが利用可能） |
| 適合規格 | CE認証取得済み。ご要望に応じてNRTL（UL61010）またはCSA対応可能 |
| 安全機能 | 統合インターロックシステム（2015年6月以降有効）、過熱/熱電対断線アラーム |
TU-65が選ばれる理由
- 優れた熱均一性： TU-65のアーキテクチャは、シングルゾーン炉に共通するコールドエンド効果を排除する3ゾーン独立制御システムを採用しており、使用可能な処理範囲を大幅に拡大しています。
- 精密工学とビルド品質： 高品質な耐火材料と頑丈な分割ハウジングで構築されており、高スループットのラボにおける工業レベルの耐久性とメンテナンスの容易さを実現しています。
- オペレーターの安全性向上： 旧モデルとは異なり、TU-65は最新のハードウェアインターロックシステムを備えており、偶発的な熱的・電気的曝露のリスクを最小限に抑え、現代のラボ安全基準を満たしています。
- 多用途な雰囲気制御： プロセスが高真空を必要とする場合でも、超高純度ガス流を必要とする場合でも、特殊なフランジ設計とサーマルブロックの配置により、一貫した結果を保証し、炉内部を保護します。
- 実証済みの信頼性とサポート： 標準のCE認証に加え、オプションのNRTL/CSA適合により、本システムは材料合成のための世界的に認められたプラットフォームであり、包括的な技術サポートと交換用消耗品が提供されます。
TU-65の詳細情報や、特定のR&D要件に合わせた加熱ゾーン構成のカスタマイズをご希望の場合は、技術営業チームまでお問い合わせください。正式なお見積もりを差し上げます。
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