製品概要
この精密設計されたマルチゾーン加熱システムは、高度な材料科学および産業研究開発向けの高度な熱処理機能を提供します。4ゾーン分割式チューブ炉として設計された本装置は、4つの個別の100mmセグメントの熱出力を独立して調整することで、正確なステップ温度勾配または非常に長い均一温度ゾーンを作成することができます。分離型温度制御コンソールにより、電子部品が輻射熱から保護され、1200℃までの高温サイクル中のシステム全体の長期的な信頼性と動作安定性が向上します。
気相輸送（VPT）、化学気相成長（CVD）、物理気相輸送（PVT）に最適な本装置は、外径1インチまたは2インチの処理チューブに対応できる柔軟性を研究者に提供します。分割ヒンジ設計によりサンプルの出し入れが容易になり、急速冷却が可能になります。これは特定の冶金および薄膜成長プロセスに不可欠です。高純度アルミナファイバー断熱材と高度な加熱エレメントを統合することで、本システムは優れたエネルギー効率を達成しながら、作業者の安全のために外面温度を低温に保ちます。
要求の厳しい実験環境向けに製造された本装置は、一貫性と再現性を重視しています。4つのゾーンはそれぞれ専用のデジタルコントローラーによって制御され、高品質結晶の成長や新規材料の合成に不可欠な複雑な温度プロファイルを設定することができます。標準プロセス用の水平構成で使用する場合でも、特殊用途向けに垂直に設置する場合でも、重要な産業研究やハイステークスな材料特性評価に必要な堅牢性と精度を提供します。
主な特長
- 独立制御式4ゾーン加熱：本システムはそれぞれが専用のPIDコントローラーを搭載した4つの独立した100mm加熱ゾーンを備えています。このアーキテクチャにより、ユーザーは特定の温度勾配を設定したり、±1℃の精度で定温ゾーンを最大250mmまで拡張したりすることができます。
- 高度な断熱およびシェル設計：空冷技術を統合した二層鋼製ケースにより、外面温度を60℃以下に維持します。内部チャンバーは省エネルギー性の高純度繊維状アルミナ断熱材を使用しており、放熱を最小限に抑え、温度応答時間を改善します。
- 高性能合金加熱エレメント：モリブデンドープ1300℃グレードFe-Cr-Al合金エレメントを搭載した本炉は、長寿命な動作を保証し、毎分最大20℃の急速加熱速度で1200℃のピーク温度に到達することができます。
- 高精度PIDデジタルコントローラー：制御コンソールには、加熱、冷却、保持時間のPID自動制御を備えた4つの個別のデジタルユニットが搭載されています。各コントローラーは最大30のプログラム可能なセグメントをサポートし、複雑な熱シーケンスをきめ細かく制御できます。
- 分割式炉構造：分割ヒンジ設計により炉を迅速に開放することができ、処理チューブへの迅速なアクセスが必要な実験セットアップや、高温処理後の材料焼入れのために冷却速度を加速する場合に非常に重要です。
- 汎用性の高い設置構成：加熱モジュールは柔軟性を持って設計されており、実験の特定の要件（垂直ブリッジマン結晶成長や水平CVDプロセスなど）に応じて、水平または垂直に配置することができます。
- 統合された安全監視：過熱および熱電対断線に対する内蔵保護により、故障時にシステムが安全にシャットダウンし、装置と処理チューブ内の敏感なサンプルの両方を保護します。
- 拡張可能な通信インターフェース：標準のRS485通信ポートにより、外部PCソフトウェアと統合して、すべての加熱ゾーンのリモート監視、データロギング、複雑なプログラム同期を行うことが可能です。
用途
| 用途 | 説明 | 主な利点 |
|---|---|---|
| CVD / PECVD | 正確な前駆体蒸発および堆積温度が必要とされる薄膜およびナノ材料の化学気相成長。 | 正確な温度勾配により、最適な反応速度論と膜の均一性が確保されます。 |
| 物理気相輸送 | 原料を高温で気化させ、より低温のゾーンで堆積させることで合成結晶を回収。 | 4つの独立したゾーンにより、高純度結晶成長に必要な正確な温度差を実現できます。 |
| 焼鈍処理 | 金属およびセラミックサンプルの制御された熱処理により、内部応力を緩和し、機械的特性を改質。 | 分割設計により、特定の材料微細構造を実現するための制御された冷却速度が可能になります。 |
| 半導体ドーピング | ガス状前駆体を使用した半導体ウェーハまたは基板への高温拡散ドーピング。 | 最大250mmの一貫した均一温度ゾーン長により、バッチの均質性が確保されます。 |
| 焼成 & 焼結 | 触媒材料またはセラミック粉末の1100℃までの温度での熱処理。 | デジタル制御により、安定した材料バッチ品質のための再現可能な熱サイクルが確保されます。 |
| 真空熱処理 | 酸化を防ぐために高真空または不活性雰囲気下で敏感な材料を処理。 | 特殊な真空フランジとサーマルブロックにより、10-5 torrまでの安全な動作をサポートします。 |
| 結晶成長（ブリッジマン法） | 単結晶形成のために垂直方向を使用し、材料を温度勾配にゆっくりと通過させる。 | モジュール式加熱ゾーンにより、一貫した粒界制御に必要な勾配安定性が提供されます。 |
技術仕様
| パラメータ | TU-44の仕様 |
|---|---|
| モデル番号 | TU-44 |
| 炉構造 | 空冷付き二層鋼製ケース；高純度繊維状アルミナ断熱 |
| 最高使用温度 | 1200℃（1時間未満、真空なし） |
| 連続使用温度 | 1100℃ |
| 最大加熱速度 | ≤ 20℃ / 分 |
| 加熱エレメント | モリブデンドープ 1300℃グレード Fe-Cr-Al合金 |
| 総加熱チャンバー長 | 400 mm |
| 加熱ゾーン構成 | 4つの独立ゾーン、各100 mm |
| 定温ゾーン長 | 4ゾーンすべてを同温度に設定した場合、最大250 mm（± 1℃） |
| ゾーン間最大温度差 | 隣接ゾーン間で200℃ |
| 温度精度 | ± 1 ℃ |
| 温度コントローラー | デジタルPIDコントローラー4セット；30個のプログラム可能セグメント |
| 熱電対タイプ | K型熱電対4本（ゾーンごとに1本） |
| 電圧・電力 | AC 110V 単相、50/60 Hz、30 A（最大3 KW） |
| 外部電気に関する注意 | 208-240Vでは5000W変圧器を使用；NEMA 5-15/20R壁コンセントは絶対に使用しないでください |
| 処理チューブ直径 | 外径1インチまたは2インチのチューブに対応（最小長さ1000mm） |
| 最高真空度 | 真空使用の場合は1000℃以下；低圧ガスの場合は0.2 bar未満 |
| 認証 | CE認証取得（要望に応じてNRTLまたはCSAも対応可能） |
| 通信 | 標準RS485ポート（リモートソフトウェアはオプション） |
当社を選ぶ理由
- 優れた熱的柔軟性：4ゾーンアーキテクチャは、シングルゾーンシステムでは不可能なレベルの勾配制御を提供し、複雑な気相合成や高純度結晶成長に最適です。
- 分離可能な制御アーキテクチャ：制御電子機器を別のコンソールに分離することで、電子機器の熱ドリフトを防止し、PIDコントローラーの寿命を延ばし、長年の産業使用でも一貫した性能を確保します。
- 精密なエンジニアリングと製品品質：Moドープ加熱エレメントから空冷式二重殻ケーシングまで、本装置のすべてのコンポーネントは、要求の厳しい研究および生産環境での耐久性のために選択されています。
- モジュール式でカスタマイズ可能：本システムは、オプションの真空フランジ、デジタルゲージ、さまざまなチューブ材料で容易に適応可能で、水平および垂直の両方の実験セットアップと互換性があります。
- 安全性と適合性：完全なCE認証と、熱電対および過温度イベントに対する内蔵保護メカニズムにより、本装置は最新の研究所や製造施設が要求する厳格な安全基準を満たしています。
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