製品概要

この高性能な長尺熱処理システムは、現代の材料科学および産業研究開発の厳しい要求に応えるよう設計されています。2つの温度ゾーン構成を採用することで、研究者は正確な温度勾配の設定や、広範囲にわたる均一加熱ゾーンの維持といった柔軟な運用が可能です。本装置の最大の価値は、先進材料の合成や産業用熱処理プロトコルの最適化に不可欠な、一貫性のある再現性の高い熱サイクルを提供できる点にあります。
汎用性を重視して設計された本システムは、半導体、航空宇宙、エネルギー分野における化学気相成長(CVD)、焼結、アニールプロセスを行う研究室で広く採用されています。長尺設計により、長いサンプルの処理や、単一の制御環境内での多段階熱反応の実施が可能です。大気中、真空、あるいは特定のガス組成下での運用を問わず、安定した雰囲気を提供できるため、複雑な材料変換プロセスにおいて欠かせないツールとなります。
本装置の核心は、その信頼性の高い構造にあります。最高品質の加熱エレメントと高純度の断熱材を採用しており、高温下での連続稼働においても劣化することなく耐えうる設計です。堅牢な構造と高度な電子安全保護機能の組み合わせにより、重要な研究開発環境において信頼できる資産であり続けます。精密なエンジニアリングと、過酷な産業条件下での長寿命化への取り組みにより、ユーザーはシステムの性能に全幅の信頼を置くことができます。
主な特長
- 最高品質のスウェーデン製カンタルA1加熱エレメント: 表面温度1420℃に達する輸入カンタルA1抵抗線を採用しています。一般的な国内合金とは異なり、抵抗値が均一であるため、局所的なホットスポットを防ぎ、経年劣化による剥離やスラグの発生がない、バランスの取れた温度場を保証します。
- 高度なアルミナ多結晶ファイバーチャンバー: 炉室には、真空吸引およびフィルター成形によって作られた高純度アルミナファイバーを使用しています。この日本技術を応用した手法により、軽量で熱容量が小さく、優れたエネルギー効率と迅速な昇温・降温応答性を実現しています。
- 最適化された熱場エンジニアリング: 加熱エレメントの間隔とピッチは、熱シミュレーションソフトウェアに基づいて精密に配置されています。4面加熱を採用することで、繊細な化学反応や材料の相変化に不可欠な、優れた温度均一性を実現しています。
- インテリジェントPID温度制御: 30セグメントのプログラムコントローラーを搭載し、±1℃の精度でインテリジェントなPID調整が可能です。停電保護機能が含まれており、プログラムが最初からではなく中断した時点から再開されるため、効率的な運用が可能です。
- 統合された安全・保護システム: 作業者と装置の安全のため、自動開閉カバー電源遮断、過熱保護、熱電対故障保護機能を備えています。統合されたエアスイッチと漏電保護装置が、大電流動作時の二次的な電気的安全層を提供します。
- 包括的な遠隔監視・制御: 標準でRS485通信インターフェースと専用ソフトウェアを備えています。これにより、PCからパラメータを制御し、リアルタイムのPV(現在値)およびSV(設定値)曲線を確認し、品質管理や学術文書作成のために履歴データを記録することが可能です。
- 耐久性に優れたステンレス製外装: 外殻は高級感のある明るいステンレス仕上げです。この素材選択により、研究室環境での錆や腐食を防ぎ、長年にわたりプロフェッショナルな外観と構造的完全性を維持します。
- 多様な雰囲気および真空互換性: 本装置は、さまざまな真空システムやガス供給構成に対応できるよう設計されています。単純なメカニカルポンプから高真空分子ポンプシステム、マスフローコントローラーまで、ユーザーのプロセス特有の雰囲気要件に適応します。
用途
| 用途 | 説明 | 主なメリット |
|---|---|---|
| CVD / PECVDプロセス | 気相前駆体を用いたカーボンナノチューブ、グラフェン、薄膜の成長。 | 均一な堆積のための正確なガス流量と温度勾配制御。 |
| セラミックス焼結 | 先端構造用および電子セラミックスの高温緻密化。 | 均一加熱によりクラックを防ぎ、一貫した材料密度を確保。 |
| 電池材料研究 | 制御された雰囲気下での正極/負極材料の焼成および合成。 | 一貫した電気化学的性能のための長期的な熱安定性。 |
| 金属アニール | 特殊合金や半製品の応力除去および結晶粒構造の微細化。 | 所望の機械的特性を得るための正確な冷却速度制御。 |
| 半導体ドーピング | シリコンウェハーやその他の半導体基板へのドーパント拡散。 | 高純度チャンバー環境が繊細なウェハーの汚染を防止。 |
| 触媒試験 | 流通管環境における触媒活性と熱安定性の評価。 | 実際の産業用反応器条件を高い精度でシミュレート可能。 |
| 真空脱ガス | 金属やガラス部品からトラップされたガスを除去し、純度を向上。 | 堅牢な真空フランジ設計が高温下でも高真空の完全性を維持。 |
技術仕様
| パラメータ | TU-GS09-I | TU-GS09-II | TU-GS09-III |
|---|---|---|---|
| 最高温度 | 1200 ℃ | 1200 ℃ | 1200 ℃ |
| 常用温度 | 1100 ℃ | 1100 ℃ | 1100 ℃ |
| 管サイズ (外径 x 長さ) | Φ50 x 1200 mm | Φ60 x 1000 mm | Φ80 x 1000 mm |
| 加熱長 | 250 mm | 250 mm | 250 mm |
| 均熱長 | 250 mm | 250 mm | 250 mm |
| 加熱電力 | 4.0 KW | 4.0 KW | 4.0 KW |
| 電圧 / 相 | 220V / 単相 | 220V / 単相 | 220V / 単相 |
| 全体寸法 (mm) | 800 x 290 x 415 | 610 x 370 x 515 | 610 x 370 x 550 |
| 加熱エレメント | カンタルA1 (スウェーデン) | カンタルA1 (スウェーデン) | カンタルA1 (スウェーデン) |
| 制御精度 | ± 1 ℃ | ± 1 ℃ | ± 1 ℃ |
| 昇温速度 | ≤ 30 ℃/分 | ≤ 30 ℃/分 | ≤ 30 ℃/分 |
| 熱電対タイプ | Kタイプ | Kタイプ | Kタイプ |
| チャンバー材質 | アルミナ多結晶ファイバー | アルミナ多結晶ファイバー | アルミナ多結晶ファイバー |
| SCR / トリガー | SEMIKRON / 位相シフト | SEMIKRON / 位相シフト | SEMIKRON / 位相シフト |
| 表面温度 | ≤ 45 ℃ | ≤ 45 ℃ | ≤ 45 ℃ |
オプションシステムおよびモジュール
| システムタイプ | 利用可能なオプション / コンポーネント |
|---|---|
| 真空システム | 一段式 (10Pa)、二段式 (1Pa)、VS-0.1 (0.1Pa)、高真空分子ポンプ (10⁻³ Pa)、定圧ポンプ |
| ガス供給 | ガスバブラー、マスフローメーター (MFC) 供給システム、液体蒸発器 |
| コントローラー | 島電製 FP93 (日本)、Eurotherm (英国)、統合タッチスクリーンインターフェース |
| 真空計 | Inficon (英国) 静電容量式真空計 (PCG550/PCG554)、高精度ガス測定用 |
| 適合性 | UL認証済み電気基板およびコンポーネント (オプション) |
TU-GS09を選ぶ理由
- 優れたコンポーネント品質: スウェーデン製カンタルA1エレメントを統合することで、加熱コンポーネントの2年間の寿命を保証し、標準的な鉄クロムアルミニウム合金を使用する競合他社よりも大幅に高い信頼性を提供します。
- 精密な温度管理: チャンバー設計に日本の熱モデリング技術を採用しており、完全にバランスの取れた温度場を確保し、実験変数を減らして製品歩留まりを向上させます。
- 堅牢な安全エンジニアリング: すべてのユニットに、開閉カバー保護や偶発的な断線保護を含む多層的な安全機能を搭載し、研究室のスタッフと施設の安全を最優先しています。
- 柔軟なシステムカスタマイズ: 高真空機能、マスフローガス制御、国際規格に準拠したUL認証済み電子機器など、特定のプロセス要件に合わせてシステムを調整可能です。
- 統合されたデータインテリジェンス: 標準の485通信とリアルタイムデータロギングにより、本炉は単なる加熱ツールからスマートな研究機器へと進化し、熱プロセス全体の完全なトレーサビリティを提供します。
この長尺管状炉への投資により、精度、安全性、長期的な運用の一貫性を両立させたプレミアムな熱処理ソリューションを研究室に導入できます。カスタム構成や、特定の研究目的に合わせた正式な見積もりについては、当社のテクニカルセールスチームまでお問い合わせください。
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