1200°C対応 デュアル加熱ゾーン・コンパクト分割型チューブ炉(1インチ~2インチチューブおよび真空フランジ選択可能)

管状炉

1200°C対応 デュアル加熱ゾーン・コンパクト分割型チューブ炉(1インチ~2インチチューブおよび真空フランジ選択可能)

商品番号: TU-29

最高動作温度: 1200°C 加熱ゾーン構成: デュアル独立ゾーン(合計200mm) 温度制御精度: ±1°C
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製品概要

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この高性能熱処理システムは、先端材料研究および産業用熱処理のために設計された、コンパクトな卓上型ソリューションです。独自の分割チャンバー設計により、研究者はプロセスチューブに容易にアクセスでき、サンプルの迅速な出し入れや、複雑な内部実験セットアップの統合を簡素化できます。デュアルゾーン構成により、精密な温度勾配の作成や、均熱ゾーンの大幅な拡張が可能となり、現代のラボ環境における重要なツールとなります。

信頼性を最適化した本装置は、半導体開発、電池研究、冶金学研究などで広く利用されています。堅牢なシール技術により、制御された雰囲気や真空条件を必要とする用途に優れています。高純度アルミナ繊維断熱材と精密設計された加熱エレメントを統合することで、迅速な熱応答時間と優れたエネルギー効率を確保し、学術機関および民間企業のR&D部門の厳しい要求に応えます。

過酷な連続運転に耐えるよう設計されており、安定した再現性の高い熱環境を提供します。二重層スチール構造により外表面温度を最小限に抑え、オペレーターの安全を確保しつつ内部の熱安定性を維持します。多様なチューブサイズのオプションと洗練された制御アーキテクチャにより、厳格な条件下での化学気相成長(CVD)、アニール、焼結プロセスに必要な精度と耐久性を提供します。

主な特徴

  • 独立したデュアルゾーン制御: 本システムは2つの独立した加熱ゾーンを備え、それぞれが専用の精密PIDコントローラーで管理されます。これにより、200°Cの温度勾配を設定したり、100mmの均熱ゾーンを維持したりすることができ、成長速度や蒸気圧に対して比類のない制御が可能です。
  • 人間工学に基づいた分割チャンバー設計: 炉筐体は長手方向にヒンジで開閉可能な構造となっており、チューブの交換、清掃、および加熱アセンブリ全体を分解することなく反応チューブの状態を監視することが容易です。
  • 高度なPIDプログラミング: 2つの内蔵デジタルコントローラーを搭載し、加熱、保持、冷却の最大30ステップのプログラムが可能です。この自動化により、複雑な熱サイクルの高い再現性を確保し、長時間実験中の人為的ミスのリスクを低減します。
  • 高純度アルミナ断熱材: 加熱チャンバーには高純度Al2O3繊維断熱材がライニングされています。この素材は熱容量が低く優れた断熱特性を持つため、消費電力を大幅に削減し、毎分最大20°Cの昇温速度を可能にします。
  • 強化された真空およびガス処理: 1/4インチバーブ継手付きステンレス製真空シールフランジにより、真空下または制御されたガスフロー下での運転が可能です。これは、敏感な処理ステップ中に酸化を防ぎ、反応性ガス環境を管理するために不可欠です。
  • 堅牢な安全アーキテクチャ: 過熱防止機能と熱電対故障アラームが統合されています。二重シェル構造は空冷を利用しており、内部チャンバーが1200°Cで動作している際も外表面に安全に触れることができます。
  • 精密加熱エレメント: モリブデンをドープしたFe-Cr-Al合金エレメントを使用しており、一貫した放射熱と長寿命を実現します。耐火セラミック上の高純度アルミナコーティングが、化学的劣化からエレメントを保護します。
  • 多様なチューブ互換性: 様々な研究規模に対応できるよう、1インチまたは2インチの外径(O.D.)石英チューブを選択可能です。この柔軟性により、研究者は特定のサンプル要件に基づいて実験規模を調整したり、チューブ容積を変更したりできます。

用途

用途 説明 主なメリット
TMDナノリボン成長 上流ゾーンと下流ゾーンの温度差を維持し、カルコゲン蒸気圧を精密に制御。 過飽和制御を通じて、成長速度とナノリボン幅の独立した調整が可能。
触媒熱分解 制御された石英チューブ環境下で、特定の昇温速度にて有機廃棄物やポリマーを処理。 局所的な過熱を防ぎ、ガスやチャーなどの熱分解生成物の均一な分布を確保。
半導体アニール 真空または不活性ガス下でシリコンウェハや薄膜を高温処理し、格子欠陥を修復。 高い再現性で電気的特性と材料の結晶構造を改善。
CVD / PECVD研究 カーボンナノチューブやグラフェンを合成するための、化学気相成長システムの熱源として使用。 均一な気相反応と高品質な膜成長に必要な安定した熱環境を提供。
セラミック焼結 最大1200°Cの温度でセラミック粉末を緻密な部品に固化。 加熱ゾーン全体にわたる均一な熱分布により、高い密度と機械的強度を実現。
電池材料合成 制御された雰囲気下での正極または負極活物質の焼成および熱処理。 合成粉末の化学的均一性と安定した電気化学的性能を確保。

技術仕様

システム一般パラメータ

項目 仕様詳細 (モデル TU-29)
モデル番号 TU-29
電圧 / 電力 110V AC, 単相, 50/60 Hz; 1.5 KW
最高温度 1200°C (1時間未満)
連続運転温度 1100°C
最大昇温速度 ≤ 20°C/分
総加熱ゾーン長 200 mm (100 mmの独立した2ゾーン)
温度精度 +/- 1°C
加熱エレメント モリブデン添加Fe-Cr-Al合金
コントローラータイプ ソリッドステートリレーによるデュアルPID自動制御; 30プログラムステップ
真空度 10-2 torr (メカニカルポンプ); 10-4 torr (ターボポンプ使用時)
本体重量 35 Kg

均熱ゾーン性能

性能指標 ゾーン長 @ +/- 1°C ゾーン長 @ +/- 2°C ゾーン長 @ +/- 5°C
均一性 (デュアルゾーンマッチング時) 50 mm 70 mm 100 mm

温度勾配能力

指標 最大値
最大温度勾配 1°C / mm (シングルゾーン加熱モード)
隣接ゾーン最大温度差 ~100°C (1ゾーンのみ稼働、内部断熱材なし)

プロセスチューブおよびフランジのオプション

チューブオプション 寸法 (外径 x 内径 x 長さ) 付属アクセサリー
1インチ 石英チューブ 25mm x 22mm x 450mm 繊維状セラミックチューブブロック2個; ステンレス製真空フランジ
2インチ 石英チューブ 50mm x 44mm x 600mm 放射遮断セラミックブロック2個; ステンレス製真空フランジ

寸法と重量

構成 長さ 高さ
蓋を閉じた状態 340 mm 300 mm 400 mm
蓋を開けた状態 340 mm 300 mm 560 mm

本分割型チューブ炉を選ぶ理由

  • 精密エンジニアリング: デュアルゾーン独立制御アーキテクチャにより、シングルゾーン炉では不可能な高度な熱プロファイリングが可能であり、勾配依存型の材料合成において大きな利点を提供します。
  • 卓越したビルドクオリティ: 二重層スチールシェルと高品質な耐火セラミックで構成されており、産業環境や高頻度の研究環境での長寿命化を想定して設計されています。
  • 運用の多様性: 高真空、不活性雰囲気、特定の温度勾配など、プロセスの要件に応じて、モジュール式のチューブおよびフランジオプションで柔軟に対応可能です。
  • 安全性と信頼性: 過熱防止機能や冷却ファンシステムを含む内蔵のフェイルセーフ機能により、高温サイクル中でも装置とオペレーターの両方を確実に保護します。
  • 実証済みの性能: 当社の炉は、厳しい用途における一貫性、再現性、堅牢な熱性能により、世界中の主要な研究機関から信頼されています。

詳細な見積もりや、特定の用途に向けたカスタマイズされた熱ソリューションのご相談については、今すぐ弊社の技術営業チームまでお問い合わせください。

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