80mm径、最高温度1200℃、3チャンネルガスミキサーおよび真空ポンプシステムを備えたデュアルゾーン石英管炉

管状炉

80mm径、最高温度1200℃、3チャンネルガスミキサーおよび真空ポンプシステムを備えたデュアルゾーン石英管炉

商品番号: TU-42

最高温度: 1200 °C チューブ径: 80 mm OD ガス混合: 3チャンネル統合ステーション
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製品概要

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この高性能デュアルゾーン分割管炉は、先端材料科学研究および産業R&D向けの多用途ソリューションです。マルチチャンネルガス供給システムと高真空機能を統合することにより、このシステムは化学気相成長(CVD)、化学気相輸送(CVT)、およびさまざまな高温アニーリングプロセスに必要な制御された環境を提供します。この装置は、遷移金属ダイカルコゲナイドや薄膜半導体などの次世代材料の開発において、熱勾配と雰囲気組成を完全に制御し、再現性のある結果を保証する必要がある研究者向けに設計されています。

このユニットのコアバリューは、デュアルゾーンアーキテクチャにあり、高純度石英管全体にわたる正確な温度勾配の作成を可能にします。この機能は、前駆体昇華と基板堆積が個別に制御された異なる温度で発生する必要があるプロセスに不可欠です。ターゲット産業には、半導体製造、ナノテクノロジー研究、先端冶金が含まれます。分割炉設計は、急速冷却とプロセスチャンバーへの容易なアクセスを可能にし、実験実行間のダウンタイムを大幅に削減し、忙しい実験室環境のスループットを向上させます。

信頼性は、この熱処理システムのすべてのコンポーネントに組み込まれています。ファン冷却を統合した二重層鋼製ケーシングから精密PIDコントローラーまで、この装置は過酷な条件下での連続運転に耐えるように作られています。耐腐食性真空計の付属により、攻撃的なガスを扱う場合でも、センサーの劣化なしに正確な圧力監視を維持できます。このユニットは、最新の実験室環境に必要な堅牢なパフォーマンスと安全コンプライアンスを提供し、ユーザーに最小限の監督で複雑な熱プロファイルを実行する自信を与えます。

主な特徴

  • 独立したデュアルゾーン加熱:炉はそれぞれ長さ200mmの2つの独立した加熱ゾーンを備えており、合計400mmの加熱領域を提供します。これにより、正確な温度勾配を作成したり、両方のゾーンを同期させた場合に最大250mmの大きな一定温度ゾーンを作成したりでき、化学気相輸送(CVT)に比類のない柔軟性を提供します。
  • 精密PID温度制御:2つの高度なPIDコントローラーを搭載したこのシステムは、加熱速度、冷却速度、および保持時間の詳細な管理のために30のプログラム可能なセグメントを提供します。精度は±1℃以内に維持され、敏感な材料成長のための高いプロセス安定性を保証します。
  • 統合された3チャンネルガス混合ステーション:3つの独立した流量計と混合タンクを備えたプロフェッショナルなガス供給システムが含まれています。これにより、さまざまなプロセスガスの正確な混合が可能になり、石英反応チャンバー内での複雑なCVD反応と雰囲気制御が可能になります。
  • 高性能真空統合:このシステムには、最大10^-2 torrの真空レベルを達成できるヘビーデューティー156 L/m二段ロータリーバキュームポンプが含まれています。真空システムは、長期的な真空整合性と5 m-torr/min未満の漏れ率を確保するために、高品質のKF25ステンレス鋼フランジとバルブで固定されています。
  • 耐腐食性ピラニ静電容量ゲージ:標準ゲージとは異なり、このユニットはセラミックコーティングされた静電容量ダイヤフラムゲージを使用しています。この特殊センサーは、攻撃的な化学前駆体からの腐食に耐えるように設計されており、過酷なプロセス環境で10^-5から1000 torrまでの信頼性の高い真空測定を提供します。
  • 高度な安全性と冷却:二重層鋼製ケーシングには、自動空冷システムが組み込まれています。ケース温度が55℃を超えると、内蔵サーモスタットが内部ファンを起動し、外部が触れても安全であることを保証すると同時に、内部電子部品を熱応力から保護します。
  • 高純度石英プロセスチャンバー:このシステムは、80mm ODの高純度石英管を使用しています。この材料は優れた熱衝撃抵抗と化学的安定性を提供し、熱処理中のサンプルと前駆体の視覚的監視を可能にする透明な環境を提供します。
  • 自動化と接続性:内蔵のRS485通信ポートにより、外部データロギングが可能です。このシステムはLabViewベースのソフトウェアとも互換性があり、PCを介したリモート操作とレシピ管理を可能にし、高度に自動化された研究ワークフローを実現します。

用途

用途 説明 主な利点
CVDグラフェン成長 制御されたガス雰囲気下での金属箔への炭素原子の蒸着。 高純度ガス混合により高品質の単層成長が保証されます。
TMDナノリボン合成 遷移金属ダイカルコゲナイド成長のためのカルコゲン蒸気圧の精密制御。 独立したゾーンにより、別々の昇華および堆積温度が可能になります。
化学気相輸送(CVT) 蒸気移動と高純度結晶の結晶化を促進するための温度勾配の作成。 デュアルゾーン制御により、結晶成長に必要な特定の勾配が確立されます。
半導体アニーリング 真空または不活性ガス中でのシリコンまたは化合物半導体ウェーハの熱処理。 耐腐食性ゲージにより、攻撃的なエッチングまたはドーピングガスを使用できます。
粉末焼結 制御雰囲気下でのセラミックまたは金属粉末の高温固結。 均一な温度ゾーンは熱応力を防ぎ、一貫した密度を保証します。
2D材料研究 蒸気相法によるMoS2、WS2などの層状材料の研究。 分割炉設計により、反応相を急冷するための急速冷却が可能です。
蛍光体開発 特定の雰囲気と温度プロファイルを必要とする発光材料の合成。 正確な30セグメントプログラミングにより、複雑な工業用レシピを再現できます。

技術仕様

パラメータグループ 仕様詳細 TU-42の値
一般構造 ケーシング材質 空冷ファン付き二重層鋼
安全サーモスタット ケース温度が55℃を超えると冷却ファンが作動
準拠 CE認証; UL/CSA対応コンポーネント
電源および電気 消費電力 2.5 KW
入力電圧 AC 208-240V 単相、50/60 Hz
熱性能 最高温度 1200 ℃
連続使用温度 1100 ℃
最大加熱速度 ≤ 20 °C/min (1000°C以上では≤ 5 °C/min)
温度精度 +/- 1°C
加熱エレメント MoドープFe-Cr-Al合金
加熱ゾーン 加熱ゾーン長 2ゾーン: 各200 mm (8"); 合計400 mm
一定温度ゾーン(デュアル) 250 mm (10") +/- 1°C (両ゾーン同期)
一定温度ゾーン(シングル) 110 mm (4.3") +/- 1°C (中央ゾーンのみ)
プロセスチューブ チューブ材質 高純度石英ガラス
チューブ寸法 外径80 mm x 内径72 mm x 長さ1000 mm
制御システム コントローラータイプ デュアルPID自動コントローラー
プログラミング 30セグメント(加熱、冷却、保持)
保護機能 過熱および熱電対断線保護
通信 RS485ポート(PC/LabView対応)
真空システム 真空ポンプタイプ 156 L/m 二段ロータリーバキュームポンプ
最大真空度(機械式) 10^-2 torr
真空計 耐腐食性静電容量ダイヤフラムゲージ
ゲージ範囲 10^-5 ~ 1000 torr
シールフランジ ステンレス鋼KF25、デュアルバルブ付き
漏れ率 < 5 m-torr/min; 24時間で< 2 torr
ガス混合 ガス流量計 3つの直読式流量計(10-100、16-160、25-250 cc/min)
混合ハードウェア 内部混合タンクと4つのステンレス鋼制御バルブ
圧力監視 混合タンク用統合圧力計

なぜ弊社を選ぶのか

  • 優れた熱的汎用性:このシステムのデュアルゾーン構成は、研究者に正確な温度勾配を作成するための不可欠な機能を提供します。これは、シングルゾーン炉では達成できない化学気相輸送や高品質結晶成長に必要とされるものです。
  • 産業グレードの真空信頼性:耐腐食性静電容量ダイヤフラムゲージを標準装備しているため、この炉は攻撃的なガスを扱う際に長寿命と精度を保証し、低グレードシステムで一般的なセンサー故障からお客様の投資を保護します。
  • 精密な雰囲気エンジニアリング:統合された3チャンネルガスミキサーと真空ポンプは、CVD研究のための完全なターンキーソリューションを提供し、サードパーティ製コンポーネントの必要性を排除し、ガス供給と熱処理間の完璧な互換性を保証します。
  • 実証済みの安全性と認証:CE認証とUL/MET/CSA認証の電気部品の使用により、この装置は世界中の主要な学術および産業研究所で要求される厳格な安全基準を満たしています。
  • 堅牢なエンジニアリングとサポート:二重層空冷シェルと高効率Moドープ合金エレメントで構築されたこのユニットは、長年の安定した運用を実現するように設計されています。お客様固有の研究ニーズを満たすための包括的な技術サポートとカスタマイズオプションを提供します。

詳細な見積もり、またはお客様の研究室の要件に合わせたカスタム熱処理ソリューションについてご相談いただくには、今すぐテクニカルセールスチームにご連絡ください。

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