高温2ゾーン回転式管状炉 1500℃ 炭化ケイ素ヒーター搭載 先端材料合成用

管状炉

高温2ゾーン回転式管状炉 1500℃ 炭化ケイ素ヒーター搭載 先端材料合成用

商品番号: TU-GS04

最高温度: 1500°C (デュアルゾーン) 発熱体タイプ: 高密度炭化ケイ素 (SiC) ロッド 温度安定性: ±1°C
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製品概要

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この高性能2ゾーン回転式管状炉は、熱処理技術の頂点に立つ製品であり、精密な温度勾配と優れた雰囲気制御を必要とする材料科学研究者や産業メーカー向けに特別に設計されています。回転機構と2ゾーン加熱機能を統合することで、粉末処理、コーティング用途、化学気相成長(CVD)において比類のない均一性を実現します。本装置は最高1500℃までの安定した高温環境を提供し、先端セラミックス、電池材料、半導体コンポーネントの開発に不可欠なツールとなります。

厳格なR&D環境や小規模な産業生産向けに設計されており、材料の攪拌が安定した結果を得るために不可欠な用途で優れた性能を発揮します。回転チューブ機能により、加熱チャンバー内で材料が継続的に移動するため、凝集を防ぎ、すべての粒子が均一な熱場にさらされることを保証します。この機能は、高純度アルミナファイバー断熱材および高度なPID制御と組み合わさることで、過酷な条件下でもサンプルの構造的完全性を維持しながら、迅速な昇温・降温サイクルを可能にします。

信頼性は、本システムのエンジニアリングの中核です。最適化された表面負荷設計を持つ高品質な炭化ケイ素(SiC)発熱体と堅牢な機械駆動装置を採用しており、長期的な運用の一貫性を実現するように構築されています。単純な焼成から複雑な多段階の雰囲気合成まで、本ユニットは現代の実験室基準で求められる精度と耐久性を提供します。産業用調達チームは、包括的な安全機能とモジュール式の構成オプションに裏打ちされた、再現性の高いデータと高品質な材料出力を提供する本システムを信頼して導入いただけます。

主な特徴

  • 2ゾーン独立温度制御: 本システムは独立して制御される2つの加熱ゾーンを備えており、ユーザーは精密な温度勾配を作成したり、より広い均一加熱ゾーンを確保したりできます。これは、温度差が重要となる昇華プロセスや気相輸送において特に有利です。
  • 強化された炭化ケイ素(SiC)発熱体: 業界標準の12mmよりも太い直径14mmのSiCロッドを装備しており、単位面積あたりの表面負荷を低減しています。この設計により、発熱体の寿命が大幅に延び、より安定した熱放射が保証されます。
  • 優れた断熱性能: チャンバーは、高度な真空吸引およびフィルター成形技術を用いて製造された高純度アルミナ多結晶ファイバーで構成されています。この日本技術に着想を得た構造により、低熱容量、最小限の熱伝導、高い反射率を実現し、優れたエネルギー効率を誇ります。
  • 統合回転機構: チューブ回転機能により、加熱サイクル中に粉末や粒状材料が継続的に転動します。これにより均一な熱分布と気固相互作用が促進され、均一なドーピングやコーティングプロセスに不可欠です。
  • 高度な30セグメントPIDコントローラー: インテリジェント制御システムにより、最大30セグメントのプログラム可能な複雑な熱プロファイルを設定可能です。自己チューニング機能と高精度調整を備え、動作範囲全体で±1℃の安定性を維持します。
  • 延長されたコールドエンド設計: 発熱体は210mmのコールドエンド(標準は180mm)を備えており、電気接続部をより低い温度に保つことができます。この設計上の選択により、配線への熱応力が軽減され、電気システムの全体的な安全性と寿命が向上します。
  • 包括的な真空および雰囲気の汎用性: 基本的なメカニカルポンプから10⁻³ Paに達する高真空分子ポンプシステムまで、幅広い真空レベルをサポートします。ヒンジ式や水冷式など、さまざまなフランジオプションにより、ガス供給や監視ツールのシームレスな統合が可能です。
  • 堅牢な安全保護機能: 内蔵のエアスイッチと漏電保護装置が、過電流や漏電が発生した場合に自動的に電源を切断します。さらに、過熱保護や熱電対断線保護機能も備えており、無人運転中のハードウェア損傷を防ぎます。

アプリケーション

アプリケーション 説明 主な利点
粉末焼成 回転チューブ内で一定の動きを維持しながら粒状材料を熱処理。 粒子の焼結を防ぎ、均一な相転移を保証。
CVD / PECVD カーボンナノチューブやグラフェンなどの薄膜およびナノ材料の合成。 2ゾーン制御により、精密な気相輸送と堆積速度を実現。
電池材料研究 制御された雰囲気下での正極および負極材料の合成とアニール。 粉末の均一加熱により、電気化学的性能の一貫性が向上。
セラミック焼結 先端セラミック粉末および前駆体の高温処理。 1500℃の対応能力により、高融点のテクニカルセラミックスを処理可能。
触媒調製 気固反応を伴う触媒担体の含浸および乾燥。 チューブ回転により、反応ガスへの表面積露出を最大化。
半導体ドーピング 高温下での半導体ウェハーまたは粉末へのドーパント拡散。 高精度(±1℃)により、バッチ間での再現性の高いドーピングプロファイルを実現。
航空宇宙材料 耐熱複合材料および合金の試験と合成。 長時間の高温サイクル下でも信頼性の高い性能を発揮し、R&Dの検証に最適。

技術仕様

仕様 TU-GS04-I TU-GS04-II
最高温度 ゾーン1: 1500℃ / ゾーン2: 1500℃ ゾーン1: 1500℃ / ゾーン2: 1500℃
常用温度 ゾーン1: 1400℃ / ゾーン2: 1400℃ ゾーン1: 1400℃ / ゾーン2: 1400℃
チャンバー寸法 Ø60 (外径) x 1200 mm Ø80 (外径) x 1200 mm
電力 9 KW 9 KW
電圧 / 相 220V / 単相 220V / 単相
発熱体 炭化ケイ素(SiC)ロッド 炭化ケイ素(SiC)ロッド
制御システム 30セグメントPID(Yu Electric Instrument製、標準) 30セグメントPID(Yu Electric Instrument製、標準)
制御精度 ±1℃ ±1℃
昇温速度 ≤20℃/分(10℃/分を推奨) ≤20℃/分(10℃/分を推奨)
熱電対タイプ Sタイプ Sタイプ
加熱長 300 mm 300 mm
均熱長 400 - 450 mm 400 - 450 mm
チャンバー材質 アルミナ多結晶ファイバー アルミナ多結晶ファイバー
トリガー 位相シフトトリガー 位相シフトトリガー
SCR 106/16E SEMIKRON 106/16E SEMIKRON
真空レベル 10 Pa(標準)~10⁻³ Pa(オプション:高真空) 10 Pa(標準)~10⁻³ Pa(オプション:高真空)
表面温度 ≤45℃ ≤45℃
通信 RS485インターフェース(標準) RS485インターフェース(標準)

TU-GS04を選ぶ理由

  • 信頼性のための設計: より太い14mmのSiCロッドと長いコールドエンドを採用することで、発熱体の摩耗と電気的な熱ストレスを最小限に抑え、エントリーレベルの実験用炉よりも堅牢なソリューションを提供します。
  • 比類のない熱効率: 日本技術のアルミナファイバーチャンバーにより、内部温度を最大に保ちながら外装を低温(≤45℃)に維持し、エネルギー消費と実験室の周囲温度上昇を低減します。
  • 高精度マルチゾーン制御: 2ゾーン機能により、複雑な温度勾配を作成できます。これは、単一ゾーンシステムでは実現不可能な高度な化学気相輸送や材料工学に不可欠です。
  • 拡張可能な真空ソリューション: 基本的なガス置換から高真空分子システムまで、特定の実験純度要件を満たすために幅広いポンプセットと互換性があります。
  • 業界をリードする安全性: 内蔵のエアスイッチ、漏電保護、自動過熱遮断機能が、研究内容と施設の両方を電気的および熱的な危険から保護します。

カスタム見積もりや、当社の2ゾーン回転式管状炉がお客様の特定の材料処理要件にどのように適合できるかについての詳細は、当社の技術営業チームまで今すぐお問い合わせください。

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