材料研究およびCVDプロセス用高温デュアルゾーン真空管状炉

管状炉

材料研究およびCVDプロセス用高温デュアルゾーン真空管状炉

商品番号: TU-GS03

最高動作温度: ゾーン1: 1700°C / ゾーン2: 1400°C 温度制御精度: ±1°C (30セグメントプログラムPID制御) 到達真空度: 最大10-3 Pa (分子ポンプシステム)
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製品概要

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この高温デュアルゾーン真空管状炉は、高度な材料科学研究や産業用R&Dを促進するために設計された、熱工学の頂点に立つ製品です。単一の水平チューブ内に2つの異なる加熱ゾーンを統合することで、複雑な温度勾配の作成や、2つの独立した熱環境を同時に維持することが可能です。このデュアル機能は、化学気相成長法(CVD)、制御雰囲気焼結、および精度と柔軟性が不可欠な複雑なアニールサイクルにおいて極めて重要です。本装置は、高い熱効率と平衡温度フィールドの提供に重点を置いて構築されており、すべての試料に対して一貫した再現性の高い処理を保証します。

要求の厳しい研究室環境向けに設計された本機は、二ケイ化モリブデン(MoSi2)ロッドと炭化ケイ素(SiC)ロッドという高度な発熱体を組み合わせることで、卓越した安定性で高温に到達します。二重シェル構造により外部への熱損失を最小限に抑え、表面温度を低く保つことで作業者の安全性を高めると同時に、エネルギー効率を向上させています。ターゲットとなる業界には、半導体製造、先端セラミックス、航空宇宙冶金、大学の研究機関などが含まれます。本システムは、連続的な高温運転下でも信頼性の高いサービスを提供するよう設計されており、研究者はハードウェアの故障を心配することなく長時間の実験を実行できます。

本装置は単なる炉ではなく、完全な熱処理ソリューションです。統合されたソフトウェア制御、高度な真空管理、多層的な安全機能を備えており、現代の材料合成のための堅牢なプラットフォームを提供します。真空アニールや高温還元プロセスのいずれにおいても、設定された熱プロファイルを厳密に遵守します。高純度アルミナ多結晶繊維断熱材の採用により、迅速な熱応答と耐熱衝撃性を実現しており、高いスループットと妥協のない精度を必要とする研究室にとって不可欠な資産となります。

主な特長

  • 独立したデュアルゾーン制御: 本システムは、個別に制御可能な2つの加熱ゾーンを備えています。これにより、各ゾーンに異なる温度を設定して複雑な温度勾配実験を行ったり、同期させてより大きく安定した恒温ゾーンを提供したりすることが可能です。
  • 高度なハイブリッド発熱体: 第1ゾーンにはプレミアムな1800グレードの二ケイ化モリブデン(MoSi2)ロッドを、第2ゾーンには堅牢な炭化ケイ素(SiC)ロッドを採用しています。このハイブリッドアプローチにより、広い温度範囲にわたって炉の加熱プロファイルと寿命を最適化します。
  • 精密PID温度管理: 高度なデジタル計器を搭載し、30セグメントのプログラム制御を提供します。±1℃の精度でインテリジェントなPID調整を行い、最も繊細な工業プロセスでも厳格な許容範囲内に収めます。
  • 高性能真空シール: 炉管は、二重層シリコンOリングを備えたステンレス製フランジで固定されています。この格納式で取り外しが容易な設計により、優れた気密性が確保され、測定可能な圧力損失なしに12時間の真空保持が可能です。
  • 優れた断熱技術: チャンバーは高品質のアルミナ多結晶繊維で構成されています。この材料は、高い反射率、低い熱伝導率、および粉末化への耐性を考慮して選択されており、バランスの取れた温度フィールドと大幅な消費電力削減を実現します。
  • 包括的なソフトウェア統合: 内蔵の485通信インターフェースにより、コンピュータ経由での遠隔操作が可能です。付属のソフトウェアにより、PV(現在値)とSV(設定値)のリアルタイム監視、データロギング、および実験パラメータの綿密な記録のための熱曲線の生成が可能です。
  • 多層的な安全保護: 炉を開けると自動的に電源を切断するカバー開放保護システムに加え、漏電保護や過熱アラームを搭載しており、温度が1200℃を超えた場合や熱電対の故障が検出された場合にメイン回路を切断します。
  • カスタマイズ可能なガス供給インターフェース: ステンレス製フランジには精密ニードルバルブと圧力計が装備されています。ユーザーは、焼結や還元試験中に正確な雰囲気制御を行うために、フロート流量計やデジタルマスフローコントローラーを簡単に統合できます。
  • 堅牢なフランジサポートシステム: 専用のフランジブラケットがアセンブリを支え、コランダム管への機械的ストレスを効果的に排除します。このエンジニアリングの細部へのこだわりにより、重いフランジ重量による破損を防ぎ、チューブの耐用年数を大幅に延ばします。
  • 急速熱サイクル: 最大20℃/分(推奨10℃/分)の昇温速度により、迅速な起動と冷却が可能となり、研究室の生産性を向上させ、材料の熱特性の迅速な探索を実現します。

用途

用途 説明 主な利点
化学気相成長法(CVD) 制御されたガス流と真空下での高品質薄膜およびナノチューブの成長に使用。 高純度環境とデュアルゾーン温度制御により、均一な膜堆積を保証。
真空アニール 酸化を防ぎ機械的特性を向上させるための、真空下での金属および合金の応力除去。 優れたシール性により材料の完全性を維持し、表面汚染を防止。
雰囲気焼結 不活性ガスまたは還元ガス中でのセラミックや金属粉末の高温固化。 平衡温度フィールドにより、高密度で均一な微細構造を実現。
材料合成 精密な熱サイクルと反応管理を通じた新しい化合物の発見。 30セグメントのプログラミングにより、複雑な多段階反応プロトコルが可能。
脱ガスプロセス 高温および真空下で材料から揮発性成分やトラップされたガスを除去。 高真空能力(10-3 Pa)により、不純物の徹底的な除去が可能。
還元試験 水素または一酸化炭素環境下で材料を試験し、化学変化を観察。 統合された安全弁とマスフローインターフェースにより、安全で精密なガス管理を実現。
航空宇宙R&D 航空宇宙ハードウェア向けの耐熱コーティングおよびコンポーネントの試験。 最大1700℃までの信頼性の高い性能により、極限の飛行条件をシミュレート。

技術仕様

パラメータ TU-GS03-60 TU-GS03-80
チャンバーサイズ (外径 x 長さ) 直径60mm x 1200mm 直径80mm x 1200mm
定格出力 7 KW 7 KW
入力電圧 220V, 単相 220V, 単相
最高使用温度 ゾーン1: 1700°C / ゾーン2: 1400°C ゾーン1: 1700°C / ゾーン2: 1400°C
定格恒温 ゾーン1: 1650°C / ゾーン2: 1350°C ゾーン1: 1650°C / ゾーン2: 1350°C
加熱長 (Z1/Z2) 210mm / 210mm 210mm / 210mm
恒温ゾーン 80mm / 80mm 80mm / 80mm
発熱体 Z1: 1800 MoSi2ロッド / Z2: SiCロッド Z1: 1800 MoSi2ロッド / Z2: SiCロッド
温度精度 ± 1 ℃ ± 1 ℃
昇温速度 ≤20 ℃/分 (推奨10 ℃) ≤20 ℃/分 (推奨10 ℃)
熱電対タイプ ゾーン1: Bタイプ / ゾーン2: Sタイプ ゾーン1: Bタイプ / ゾーン2: Sタイプ
チャンバー材質 アルミナ多結晶繊維 アルミナ多結晶繊維
制御計器 Yu Electric製 30セグメントPID Yu Electric製 30セグメントPID
真空オプション 標準: TW-1.5A / 高真空: 2XZ-2 標準: TW-1.5A / 高真空: 2XZ-2
到達真空度 10-1 Pa ~ 10-3 Pa (システム依存) 10-1 Pa ~ 10-3 Pa (システム依存)
トリガータイプ 位相シフトトリガー 位相シフトトリガー
サイリスタ制御 106/16E SEMIKRON 106/16E SEMIKRON
表面温度 ≤ 45°C ≤ 45°C
接続性 RS-485インターフェース (標準) RS-485インターフェース (標準)

このデュアルゾーンシステムを選ぶ理由

  • 比類のない熱的多様性: 1700℃と1400℃の高温ゾーンを組み合わせることで、単一ゾーンの炉では達成できない二段階反応や勾配焼結が可能となり、先端材料研究において大きな優位性を提供します。
  • 工業グレードの信頼性: SEMIKRON製サイリスタから高純度多結晶断熱材に至るまで、すべてのコンポーネントは、専門的な研究室環境での連続稼働サイクルに耐えうる能力に基づいて選択されています。
  • 精密設計された真空完全性: 当社独自の二重リングシール技術とステンレス製フランジブラケットにより、サンプルを保護し、雰囲気の影響を受けやすいプロセスの純度を保証する真空密閉環境を確保します。
  • 高度な安全性と監視: リアルタイム追跡のための統合ソフトウェアと複数の自動シャットダウンプロトコルにより、ユーザーと実験の両方が保護されているという安心感のもとで研究室を運用できます。
  • 実証済みの性能の卓越性: 当社のシステムは、その一貫性、エネルギー効率、および長期的な耐久性により、世界中の主要な大学や産業研究施設から信頼を得ています。

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