PECVDプロセス用デュアルチューブ・フランジ付き1200Cデュアルスライド式チューブ炉

RTP炉

PECVDプロセス用デュアルチューブ・フランジ付き1200Cデュアルスライド式チューブ炉

商品番号: TU-RT11

最高温度: 1200°C RFジェネレーター出力: 5 - 300W 調整可能 加熱/冷却速度: 最大15°C/秒
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製品概要

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この高温デュアルスライド式炉システムは、プラズマ化学気相成長(PECVD)および急速熱処理のための洗練されたソリューションです。精密設計されたスライドレール上に2つの独立した加熱ユニットを統合することで、熱勾配と遷移速度を比類のない精度で制御できます。本装置は、様々な熱ゾーンにわたる精密な気相反応と高品質な薄膜堆積を必要とする材料科学研究者の厳しい要求を満たすよう特別に設計されています。

主に半導体製造、ナノ材料合成、高度なコーティング研究で使用されるこのシステムは、特定の材料相を実現するために急速な加熱と冷却が不可欠な環境で優れた性能を発揮します。デュアル炉構成により、前駆体の蒸発ゾーンと基板の堆積ゾーンを物理的に分離することが可能であり、ペロブスカイトや2D結晶のような複雑な材料成長において重要な要件を満たします。対象となる産業には、航空宇宙、エネルギー貯蔵、オプトエレクトロニクスが含まれ、次世代技術開発において材料の純度と構造の完全性が極めて重要です。

産業グレードの信頼性を備えた本ユニットは、高純度石英と高度な断熱材を使用し、卓越した熱安定性を維持します。堅牢なスライド機構と統合されたRFプラズマ源により、過酷な連続運転サイクル下でも一貫した性能を保証します。本システムは、高温合成のための安定した再現性の高いプラットフォームを提供し、産業および学術研究室が精度や安全性を損なうことなく複雑な実験プロトコルを実行できる自信を提供します。

主な特長

  • ダイナミック・デュアル炉スライドシステム: 1200mmのクロムメッキ鋼製スライドレール上に2つの独立した炉を搭載しています。これにより、加熱チャンバーを最大400mm手動で移動させることができ、ソース蒸発ゾーンと堆積ゾーンの切り替えや、熱源をサンプルから遠ざけることによる急速な熱急冷(クエンチング)が可能です。
  • 高性能RFプラズマ統合: 自動マッチング機能を備えた13.56 MHz、300WのRFジェネレーターを搭載し、プラズマ化学気相成長(PECVD)を実現します。プラズマ源により、従来のCVDと比較して大幅に低い温度での膜成長が可能となり、繊細な基板の完全性を維持します。
  • 急速熱処理(RTP)機能: 一方の炉を予熱して処理ゾーン上にスライドさせることで、極めて高い加熱・冷却速度(特定の範囲で最大15°C/秒)を実現でき、高温反応速度論や急速アニールプロセスの研究が可能です。
  • 精密PID温度制御: 各炉ユニットは、30セグメントのプログラム可能なPID自動コントローラーによって制御されます。これにより、±1°Cの恒温ゾーン精度を確保し、繊細な化学気相成長に必要な一貫性を提供します。
  • 高度な安全性と耐久性: 炉は空気冷却を備えた二重層鋼構造を採用しており、外部表面温度を低く保ちます。過熱アラームと保護システムが内蔵されており、長時間の堆積サイクル中でも安全に無人運転が可能です。
  • 高純度材料環境: 外径50mmの高純度溶融石英管とステンレス製真空フランジが含まれています。このセットアップにより、高純度材料合成や低圧処理に適したクリーンで真空密閉された環境が確保されます。
  • 多用途な熱勾配制御: デュアルゾーン設計により、前駆体と基板を独立して加熱できます。これは蒸気圧の異なる材料にとって不可欠であり、反応ゾーンにおける化学量論的バランスを確保します。
  • モジュール式拡張オプション: 研究ニーズに合わせて成長できるよう設計されており、オプションの電動スライドレール、多チャンネルガス混合システム、自動データロギングおよびプロファイル管理用のPCベース制御モジュールをサポートしています。

アプリケーション

アプリケーション 説明 主な利点
ペロブスカイト太陽電池 堆積中のMAIおよびPbX2蒸発ゾーンの独立した制御。 膜厚と結晶粒径の均一性を精密に調整可能。
2D材料合成 グラフェン、MoS2、その他の遷移金属ダイカルコゲナイドの大規模CVD成長。 再現性の高い成長パラメータによる高品質な結晶構造。
カーボンナノチューブ (CNT) 金属触媒を使用した様々な基板上での低温PECVD成長。 密度と配向の制御、基板への熱ダメージの低減。
半導体薄膜 窒化ケイ素または酸化ケイ素パッシベーション層の堆積。 より低い熱予算で優れた誘電特性と密着性を実現。
CsPbBr3微結晶 異なる前駆体に対して明確な温度勾配(例:780°Cと465°C)を提供。 反応ゾーンにおける理想的な化学量論比と相純度。
熱急冷研究 加熱チャンバーを急速に移動させて急激な温度降下を誘発。 冶金分析のために高温相を凍結させる能力。
オプトエレクトロニクスコーティング 透明導電性酸化物および多層干渉フィルターの堆積。 バッチ全体にわたる卓越した光学的透明度と一貫した膜厚。

技術仕様

パラメータ TU-RT11の詳細
商品番号 TU-RT11
炉構造 独立したデュアルユニット、空気冷却付き二重層鋼
最高使用温度 1200°C(1時間未満)
連続使用温度 1100°C
加熱ゾーン長 各炉200 mm(合計400 mm)
恒温ゾーン 60 mm(±1°C @ 400-1200°C)
スライド機構 手動クロムメッキ鋼レール、長さ1200 mm、ストローク400 mm
昇温速度 (RT-150°C) 15°C/秒
昇温速度 (150-250°C) 10°C/秒
昇温速度 (250-350°C) 7°C/秒
昇温速度 (350-500°C) 4°C/秒
冷却速度 (1000-950°C) 15°C/秒
冷却速度 (950-900°C) 10°C/秒
冷却速度 (500-400°C) 1°C/秒
プラズマRFジェネレーター 13.56 MHz、5-300W調整可能、±1%の安定性
RFマッチング 自動
処理管 高純度溶融石英、外径50mm x 内径44mm x 長さ1500mm
温度制御 デュアルPIDコントローラー、30セグメント、±1°C精度
熱電対 K型熱電対2本
真空レベル 石英製のため1000°Cまで制限; < 0.2 bar / 3 psi
電源要件 AC 120Vまたは208-240V 単相、50/60 Hz、合計2.5 KW
適合規格 CE認証取得済み(プラズマジェネレーターおよび炉)

TU-RT11を選ぶ理由

  • 高度なデュアルゾーンの汎用性: 標準的なチューブ炉とは異なり、TU-RT11のデュアルスライド設計は、現代の材料科学に不可欠な複雑な多段階熱処理と独立した前駆体管理を可能にします。
  • 優れた熱的機敏性: 最大15°C/秒の冷却および昇温速度を実現する能力は、産業用の急速熱処理(RTP)や急冷環境をシミュレートできるツールを研究者に提供します。
  • 精密エンジニアリング: 自動RFマッチングと±1°Cの温度精度により、このシステムはPECVDにおける変数を排除し、薄膜堆積の再現性と最高品質を保証します。
  • 包括的なコンプライアンスと安全性: すべてのユニットはCE認証を取得しており、二重層安全構造で構築されているため、高温・高出力のRF操作中でも安全な研究室環境を確保します。
  • カスタマイズ可能なソリューション: 高圧用途向けの合金管から、電動スライドや多チャンネルガス供給まで、お客様の研究目標に合わせて装置を調整するための広範なカスタマイズを提供します。

詳細な見積もりや、お客様の特定研究要件に合わせてこの高性能PECVDシステムをカスタマイズする方法については、弊社のテクニカルセールスチームまで今すぐお問い合わせください。

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