2次元材料成長およびTCVD合成用 1200℃デュアル温度ゾーンスライド式チューブ炉

RTP炉

2次元材料成長およびTCVD合成用 1200℃デュアル温度ゾーンスライド式チューブ炉

商品番号: TU-RT10

最高温度: 1200°C 冷却速度: 100°C/分(スライド機構による) 処理チューブ径: 80 mm
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製品概要

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この高性能デュアル炉システムは、高度な2次元材料の合成および複雑な薄膜堆積のために特別に設計されています。80mmの処理チューブ上に2つの独立した炉ユニットを統合することで、昇華および堆積のための精密な温度勾配と異なる熱環境を作り出すことができます。一方の炉は固定ユニットとして設計され、もう一方は高速スライド機構を備えており、研究者や産業エンジニアはサンプルを高温ゾーンと周囲温度環境の間で極めて高い速度と再現性で移動させることが可能です。

本システムは、熱化学気相成長(TCVD)プロセス、特に2次元遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)単層や高度なペロブスカイト微結晶の製造に最適です。前駆体蒸発ゾーンと成長ゾーンを分離することで、蒸気圧と化学量論比を比類のない精度で制御できます。デュアルゾーン構成の汎用性により、グラフェン、カーボンナノチューブ、半導体薄膜に焦点を当てた材料科学研究所やハイテク研究開発施設にとって不可欠なツールとなっています。

要求の厳しい産業用途向けに設計されており、構造的完全性と熱安定性を最優先しています。高純度の溶融石英、精密設計された加熱エレメント、堅牢なリニアスライドレールシステムの組み合わせにより、すべてのサイクルで一貫性と信頼性を保証します。このユニットは、真空または制御された雰囲気条件下での連続運転に必要な耐久性を備えており、調達チームや研究リーダーに長期的な設備投資に対する完全な確信を提供します。

主な特長

  • 独立したデュアルゾーン制御: 本システムは2つの独立した加熱ユニットを使用し、それぞれに専用のPID温度コントローラーを備えているため、熱干渉なしに昇華温度と堆積温度を個別に設定可能です。
  • スライド機構による急速熱処理: 右側の炉はダブルリニアスライドレールシステムに取り付けられており、成長ゾーンから離れることで約100℃/分の超高速冷却速度を実現します。これは相の急冷や材料の形態保持に不可欠です。
  • 精密なリニアモーション: スライド式炉は200Wの電気モーターで駆動され、手動の速度および方向制御が可能です。クロムメッキ鋼製レールにより、重要な成長段階において振動のないスムーズな移動をサポートします。
  • 高度なマルチゾーン固定炉: 左側の固定ユニットは3ゾーン構成(各152.4mm)を採用しており、広い恒温ゾーンを提供し、前駆体ソース全体にわたる熱プロファイルの微調整を可能にします。
  • 高純度石英処理環境: 直径80mmの溶融石英チューブは、敏感な反応のためにクリーンで化学的に不活性な環境を提供し、最大1000 sccmの流量と最大0.4 barの圧力をサポートします。
  • 高度な熱制御: FA-YD518P-AGコントローラーを装備し、昇温、保持、冷却のための30のプログラム可能なセグメントを提供します。自動チューニング機能が組み込まれており、±1℃の精度を維持します。
  • 耐久性の高い加熱技術: モリブデンをドープした高品質のFe-Cr-Al合金加熱エレメントにより、最高使用温度1200℃と優れた耐酸化性を実現し、長寿命を誇ります。
  • 真空統合機能: ゲージ一体型のステンレス製真空フランジが標準装備されており、分子ポンプと組み合わせることで10E-5 torrまでの真空レベルを達成可能です。
  • 包括的な安全モニタリング: システムには過熱防止および熱電対故障アラームが組み込まれており、高温サイクル中の装置とオペレーターの安全を確保します。

用途

用途 説明 主な利点
TMDC単層成長 MoS2、WS2およびその他の遷移金属ダイカルコゲナイドの合成。 高品質な単層を得るための昇華温度と堆積温度の精密制御。
ペロブスカイト合成 CsPbBr3およびその他のハロゲン化物ペロブスカイトの気相堆積。 独立したゾーン制御により、蒸気圧管理を通じて理想的な化学量論比を維持。
グラフェン製造 炭素前駆体を用いた金属触媒上での高温TCVD。 スライド式炉による急冷で、粒径と層数を制御可能。
カーボンナノチューブ(CNT) CVD 触媒媒介による単層または多層ナノチューブの成長。 高流量ガス供給と一貫した温度ゾーンにより均一な配向を確保。
気相エピタキシー 結晶基板上への薄膜の制御された成長。 前駆体と成長基板間の熱干渉を最小限に抑制。
半導体ドーピング 制御された雰囲気下での半導体ウェハへのドーパント拡散。 精密なPID制御により、複数バッチ間で再現性の高いドーピングプロファイルを実現。
ナノワイヤ合成 半導体および酸化物ナノワイヤの気相-液相-固相(VLS)成長。 急速冷却により、不要な二次成長や相転移を防止。

技術仕様

カテゴリ 仕様 パラメータ値 (TU-RT10)
モデル参照 TU-RT10 システム デュアル炉スライド式構成
スライド式炉 (右) 炉モデル シングルゾーン OTF-1200X
スライド距離 300 mm
総加熱ゾーン 440 mm
恒温ゾーン 150 mm (±1 °C)
最高温度 1200 °C (1時間未満); 1100 °C (連続)
固定炉 (左) 炉モデル 3ゾーン OTF-1200X-III-C
加熱ゾーン長 152.4mm + 152.4mm + 152.4mm (合計450mm)
恒温ゾーン 200 mm (±1 °C)
最高温度 1200 °C (1時間未満); 1100 °C (連続)
処理チューブ 材質 高純度溶融石英
寸法 外径80mm x 内径72mm x 長さ1800mm
最大圧力 0.4 bar (5.8 psi)
最大流量 1000 sccm
加熱エレメント タイプ モリブデン添加Fe-Cr-Al合金
温度制御 精度 ±1 ºC (オプションでEurotherm ±0.1°C)
プログラム機能 30セグメント (昇温、冷却、保持)
熱電対 Kタイプ (4本付属)
スライド機構 レール ダブルリニアスライドレール (クロムメッキ鋼)
モーター 208 – 240 VAC 単相, 200 W
電源要件 スライド式炉 AC 208-240V 単相, 3 kW
固定炉 AC 208-240V 単相, 4 kW
真空およびガス 真空フランジ 真空ゲージ付きステンレス製
最大真空度 10E-5 torr (分子ポンプ使用時)
コンプライアンス 規格 CE認証 (NRTL/CSAも利用可能)

TU-RT10を選ぶ理由

  • 優れた熱的柔軟性: 固定式3ゾーン炉とスライド式シングルゾーン炉のユニークな組み合わせにより、市場で最も汎用性の高い複雑なCVDプロセス用プラットフォームを提供します。
  • 実証済みの信頼性: プレミアム合金加熱エレメントと堅牢な機械式スライドシステムで構築されており、集中的な研究開発環境において長寿命と一貫した性能を発揮するように設計されています。
  • 精密エンジニアリング: ±1℃以内の温度精度と高品質なリニアモーションコンポーネントにより、敏感な材料合成において極めて再現性の高い結果を得ることができます。
  • 拡張性とカスタマイズ性: モジュール設計により、より高精度なEurothermコントローラーへのアップグレードや、特定の研究ニーズを満たすマルチチャンネルガス供給システムとの統合が可能です。
  • 包括的なコンプライアンス: 当社のシステムはCE認証を取得しており、国際的な安全基準に基づいて構築されているため、あらゆる専門的な研究所や産業施設への導入が容易です。

詳細な見積もりや、お客様の特定の材料合成要件に合わせたカスタマイズ構成については、今すぐ当社の技術営業チームまでお問い合わせください。

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