製品概要


この高性能熱処理システムは、先端材料科学研究向けに設計されており、特に急速熱処理(RTP)および化学気相成長(CVD)の厳しい要求を満たすよう最適化されています。電動スライド機構と高温チューブ炉を統合することで、加熱ゾーンと冷却ゾーン間の瞬時の移行を可能にしました。この機能は、薄膜成長、半導体ドーピング、および材料の最終特性に精密な熱履歴が不可欠な高純度ナノ構造の合成に取り組む研究者にとって極めて重要です。
汎用性と拡張性に最適化された本システムは、グラフェン、カーボンナノチューブ、その他の二次元材料のCVD成長を専門とする研究室にとって主要な選択肢となります。スライドレール設計により、固定式炉構成では達成困難な超高速加熱および急冷速度を実現します。本装置は、真空や低圧環境を含む様々な雰囲気条件下で、新しい材料相の探索や成長パラメータの最適化を高い再現性で行うために必要な機敏性を提供します。
産業グレードのコンポーネントで構築され、長期的な信頼性に重点を置いているため、過酷なR&Dスケジュール下でも一貫したパフォーマンスを保証します。堅牢な機械構造と高度なPLCロジックの組み合わせにより、複雑な熱サイクルに対して安定したプラットフォームを提供します。学術研究から産業製品開発まで、本システムは高温材料処理および半導体工学におけるイノベーションを推進するために必要な精度、安全機能、および構造的完全性を提供します。
主な特徴
- 精密電動スライド機構: 高精度スライドレールを装備しており、炉本体をチューブ軸に沿って高速移動させることが可能です。これにより、試料を静止させたまま熱環境を瞬時に変化させることができ、毎秒最大3°Cの冷却速度を実現し、産業規模の急速熱アニールプロセスを模倣します。
- 高度なPLCおよびタッチスクリーンインターフェース: 直感的なタッチスクリーンインターフェースを備えた洗練されたプログラマブルロジックコントローラ(PLC)が、すべての動作パラメータを管理します。ユーザーはスライド速度の調整、自動移動シーケンスの設定、および炉の動作と特定の温度プログラムセグメントの同期を容易に行うことができ、完全なハンズフリー操作が可能です。
- 最適化された急速熱処理(RTP): RTP用途向けに特別に設計されており、最大加熱速度10°C/分と非常に高速な急冷が可能です。加熱ゾーンを試料エリアからスライドさせて離すことで、500°Cから100°Cまで最大3°C/秒の速度で急速冷却でき、先端合金の準安定相を保持するために不可欠です。
- 統合されたCVD成長機能: 熱および雰囲気制御機能により、グラフェンやカーボンナノチューブのCVD成長に理想的なプラットフォームとなります。ガス流量、400mm加熱ゾーン内の温度均一性、および迅速なサイクルタイムの精密な制御により、ナノ材料合成のスループットと品質を大幅に向上させます。
- 堅牢な真空および雰囲気シール: 二重Oリングシールとネジ式圧縮を備えたステンレス製真空フランジを採用しており、高い真空度を維持します。分子ポンプ使用時に最大10^-5 torrの真空レベルをサポートし、酸素に敏感なプロセスや高純度雰囲気制御に適しています。
- デュアルPID温度制御: 50セグメントのプログラムが可能な2つの自動PIDコントローラーを使用しています。これにより±1°Cの精度を確保し、温度オーバーシュートを防ぐことで、繊細な試料を保護し、様々な保持時間や昇温速度全体で実験結果の再現性を保証します。
- 包括的な安全保護: 過熱防止や熱電対断線アラートなど、組み込みの安全プロトコルにエンジニアリングの卓越性が反映されています。機械的なスライド範囲は精密なリミットスイッチによって制御され、ハードウェアの干渉を防ぎ、高速移動中の安全な動作を保証します。
- 柔軟なチューブ構成対応: 外径25mmから100mmまでの幅広い石英チューブ径に対応するように設計されています。この柔軟性により、研究者は小規模試料の実現可能性試験から大規模なバッチ処理まで、熱ユニット本体を変更することなく実験をスケールアップできます。
- 強化されたデータロギングとPC接続: 詳細なプロセス分析のために、DB9 PC通信ポートとMTS-02制御モジュールが含まれています。これにより、接続されたコンピュータを介したリモート監視、データ取得、および複雑なプロファイルプログラミングが可能となり、R&Dの反復記録に不可欠です。
アプリケーション
| アプリケーション | 説明 | 主な利点 |
|---|---|---|
| グラフェン合成 | CVD技術を用いた銅またはニッケル箔上での大面積グラフェン成長。 | 急速冷却により単層の品質を維持し、多層形成を防ぐ。 |
| カーボンナノチューブ (CNT) | 様々な基板上での単層および多層CNTの制御された成長。 | 精密な昇温により、均一なチューブ径と高収率の合成を確保。 |
| 急速熱アニール | 半導体ウェハーの堆積後アニールによるドーパントの活性化や結晶損傷の修復。 | 高速スライド機構が必要な急速熱急冷を提供。 |
| 薄膜堆積 | 太陽電池や電子センサー用の機能性薄膜の作成。 | 統合されたガスハンドリングと真空制御により、高純度な膜環境を提供。 |
| 相変態研究 | 制御された加熱・冷却下での材料相変化の動力学調査。 | 急速スライドにより、高温時の微細構造を即座に凍結可能。 |
| 半導体ドーピング | 半導体基板への不純物の高温拡散。 | 均一な400mm加熱ゾーンにより、試料全体で一貫したドーピングプロファイルを実現。 |
| 材料の急冷 | 先端合金やセラミックスの熱処理応答のテスト。 | 汚染なしで、特殊な急冷油に匹敵する冷却速度を達成。 |
技術仕様
| パラメータグループ | 仕様詳細 | 値 / 範囲 |
|---|---|---|
| モデル識別 | 製品アイテム番号 | TU-RT14 |
| 電気電源 | 入力電圧 | AC 208-240V, 単相, 50/60 Hz |
| 定格電力 | 3 kW | |
| 熱性能 | 最高温度 | 1200°C (0.5時間未満) |
| 連続使用温度 | 1100°C以下 | |
| 推奨加熱速度 | ≤ 10°C/分 | |
| 最大加熱速度 (左側試料エリア) | 3°C/秒 | |
| 急速冷却速度 (500-100°C) | 3°C/秒 | |
| 急速冷却速度 (500-200°C) | 0.7°C/秒 | |
| 加熱ゾーン | 加熱ゾーン長 | 400 mm |
| 熱電対タイプ | Kタイプ | |
| 機械的特徴 | スライド距離 | 400 mm (標準、カスタマイズ可) |
| 調整可能速度範囲 | 10-100 mm/秒 (標準、カスタマイズ可) | |
| 動作制御 | 自動/プログラム可能な往復スライド | |
| 温度制御 | コントローラータイプ | デュアルPID(50セグメントプログラム可能) |
| 精度 | ± 1 ºC | |
| 保護システム | 過熱および熱電対断線保護 | |
| 通信インターフェース | DB9 PCポート (MTS-02モジュール付属) | |
| 真空および雰囲気 | フランジ材質 | ステンレス鋼(二重Oリングシール付き) |
| 真空インターフェース | 左: KF25, ニードルバルブ, バーブベントポート | |
| 入口/ゲージ | 右: ニードルバルブ, G1/4入口, 機械式ゲージ | |
| 真空レベル (メカニカルポンプ) | ~10^-2 Torr | |
| 真空レベル (分子ポンプ) | ~10^-5 Torr | |
| 石英チューブオプション | 標準長さ | 1400 mm |
| 直径バリエーション (外径) | 25mm, 50mm, 60mm, 80mm, 100mm | |
| コンプライアンス | 規格 | CE認証取得 (NRTL/UL61010対応可能) |
このスライディングチューブ炉を選ぶ理由
- 実証済みのエンジニアリング信頼性: 最も過酷なR&D環境向けに構築されており、最高級の加熱エレメントと強化された電動レールシステムを採用しているため、精度や性能を低下させることなく数千回のサイクルに耐えられます。
- 優れた熱的機敏性: 低速な自然対流冷却に依存する標準的なチューブ炉とは異なり、本システムの摺動設計は、最先端の材料工学や半導体研究に必要な熱衝撃および急速急冷機能を提供します。
- 完全に統合された制御ロジック: PID温度コントローラーとPLC動作システムのシームレスな統合により、手動介入を必要とし、人為的ミスのリスクを伴うような複雑な多段階レシピを実行可能です。
- 比類のない汎用性: CVDグラフェン成長から急速熱アニールまで、本装置は幅広いチューブ径と高真空互換性により、多様な実験セットアップをサポートし、あらゆる研究室にとって将来を見据えた投資となります。
- グローバルなコンプライアンスとサポート: CE認証に加え、NRTL/CSAアップグレードのオプションもあり、当社の機器は国際的な研究機関や産業施設の最も厳しい安全基準を満たしており、迅速な技術サポートチームによってバックアップされています。
包括的な見積もりや、お客様の研究要件に合わせたカスタマイズされた熱ソリューションのご相談については、今すぐ当社の技術営業チームまでお問い合わせください。
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