4インチ外径石英管・900℃赤外線加熱式ラピッドサーマルプロセッシング(RTP)スライド管状炉

RTP炉

4インチ外径石英管・900℃赤外線加熱式ラピッドサーマルプロセッシング(RTP)スライド管状炉

商品番号: TU-RT01

最大加熱速度: 50 °C/s 最大動作温度: 900 °C プロセスチューブ径: 4インチ (100mm) 外径
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製品概要

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この高性能ラピッドサーマルプロセッシング(RTP)システムは、現代の材料科学研究および産業用R&Dの厳しい要求に応えるよう設計されています。高輝度赤外線(IR)ハロゲン加熱エレメントと精密制御スライド機構を統合することで、高度な合成技術に不可欠な超高速熱サイクルを実現します。本装置の最大の価値は、最大50℃/秒という極めて高い昇温速度を達成しながら、繊細な薄膜成長やアニールプロセスに必要な熱安定性を維持できる点にあります。

主にグラフェン、カーボンナノチューブ(CNT)、ペロブスカイト太陽電池の成長用に設計されており、化学気相成長(CVD)や急速熱アニール(RTA)用途で優れた性能を発揮します。その汎用性の高さから、半導体、ナノテクノロジー、再生可能エネルギー材料を専門とする研究室の基幹装置として最適です。本装置は、雰囲気の純度と温度勾配を外科手術レベルの精度で管理できる制御環境を提供し、基板の構造的完全性を損なうことなく加熱フェーズから冷却フェーズへ移行することを可能にします。

信頼性は本システムの設計の最優先事項です。空冷機能を統合した二重構造のスチール製ケーシングを採用しており、長時間の高温運転に耐えつつ、外部表面をオペレーターにとって安全な温度に保ちます。高純度溶融石英管からステンレス製真空フランジに至るまで、すべてのコンポーネントは真空および低圧条件下での耐久性と性能を基準に選定されています。これにより、数百サイクルにわたって一貫した再現性の高い結果が得られ、高スループットの研究環境において信頼できる投資となります。

主な特長

  • 急速赤外線ハロゲン加熱:8本の1kWハロゲンライトチューブを使用し、業界最高水準の最大50℃/秒の昇温速度を実現します。これにより、ドーパントの拡散を最小限に抑え、薄膜において特定の結晶相を得るために不可欠な、ほぼ瞬時の温度上昇が可能になります。
  • 自動スライド冷却機構:炉体はモーター駆動の二重レールスライドシステムに搭載されています。加熱プログラム終了後、炉体は自動的にサンプルエリアから離れ、内蔵ファンによるアクティブ空冷が行われるため、急速クエンチのために10℃/秒を超える冷却速度を実現します。
  • 高度なPID熱制御:30セグメントのプログラムが可能な洗練されたPID自動コントローラーを搭載しています。これにより、特定の昇温速度、保持時間、冷却シーケンスを含む複雑な熱プロファイルを、±1℃の温度精度で定義できます。
  • 高純度石英プロセス環境:4インチ外径のプロセスチューブは高純度溶融石英製で、サンプルの汚染をゼロに抑えます。この大口径チューブは最大3インチ径のウェハのアニールが可能で、高スループットのバッチ処理に十分なスペースを提供します。
  • 包括的な真空統合:ステンレス製真空フランジとデジタル真空計を装備しており、導入後すぐに高真空または制御雰囲気下での使用が可能です。ヒンジタイプの右側フランジによりサンプルの出し入れが簡素化され、実験間のダウンタイムを大幅に短縮します。
  • デュアルゾーン監視システム:2つのK型熱電対を使用しており、一方は炉内の加熱エレメントを管理し、もう一方はサンプルゾーン内に直接配置されます。このデュアルフィードバックループにより、表示される温度は材料が実際に受けている温度と一致します。
  • 強化された安全プロトコル:過熱および熱電対断線に対する保護機能を内蔵しています。これらのハードウェアレベルの安全機能により、長時間の熱処理サイクルや複雑なCVDプロセス中でも安心して無人運転が可能です。
  • 堅牢な機械インフラ:スライドテーブルは高トルクDCモーターで駆動され、クロムメッキ鋼製レールで支えられています。このヘビーデューティーな構造により、振動のないスムーズな移動が保証され、急速な移行時でも繊細なサンプルのアライメントを維持するために不可欠です。

用途

用途 説明 主なメリット
グラフェン合成 銅またはニッケル箔上でのCVDによる大面積グラフェン成長。 急速な加熱・冷却により、結晶粒径と層の均一性を最適化。
カーボンナノチューブ成長 単層または多層CNTの制御された堆積。 精密な温度制御により、触媒の活性化と成長速度を安定化。
ペロブスカイト太陽電池 結晶性を向上させるためのペロブスカイト薄膜の急速熱アニール。 高い昇温速度により鉛の蒸発を最小限に抑え、膜のモルフォロジーを向上。
半導体アニール シリコンまたは化合物半導体ウェハのラピッドサーマルプロセッシング(RTP)。 熱収支を最小限に抑え、不要なドーパントの再分布を防止。
薄膜堆積 電子機器用高誘電率(High-k)膜および金属薄膜の開発。 制御された雰囲気により酸化を防ぎ、膜の純度を確保。
2D材料研究 MoS2およびその他の遷移金属ダイカルコゲナイドの探索。 高速熱サイクルにより、成長パラメータの迅速なスクリーニングが可能。
材料相研究 合金における温度依存の相転移の調査。 サンプルを急速クエンチすることで、高温相を分析用に保持可能。

技術仕様

項目 パラメータ 仕様 (TU-RT01)
熱性能 最高加熱温度 900℃(1時間未満); 800℃(120分未満); 600℃(連続)
最大昇温速度 50 ℃/秒
最大冷却速度 8 ℃/秒(スライド機構により1000℃から600℃へ)
温度精度 ± 1 ℃
加熱システム 加熱エレメント 1kWハロゲンライトチューブ8本(加熱長200mm)
エレメント寿命 標準2000時間(使用状況による)
熱電対 デュアルK型(制御用およびサンプル監視用)
プロセスチューブ 材質 高純度溶融石英
寸法 100 mm 外径 x 94 mm 内径 x 1400 mm 長
最大ウェハサイズ 最大3インチ径
機械システム スライドレールタイプ 二重クロムメッキ鋼製レール(長さ1200 mm)
スライド駆動 DCモーター(速度調整可能 0-70 mm/秒)
スライド範囲 340 mm
制御・ソフトウェア コントローラータイプ PID(30セグメントプログラム可能)
通信 RS485ポート; PC制御用MTS-02モジュール付属
安全機能 過熱および熱電対断線保護
真空・ガス 真空度 10^-2 Torr(メカニカルポンプ); 10^-4 Torr(分子ポンプ)
フランジタイプ ステンレス製; 右側ヒンジタイプ(出し入れ容易)
流量計 内蔵 16-160 ml/分レンジ
物理・電源 入力電源 AC 208-240V 単相, 50/60 Hz; 最大9KW
ケーシング 空冷付き二重構造スチール
適合規格 CE認証; ご要望に応じてNRTL (UL61010) またはCSA対応可能

TU-RT01を選ぶ理由

  • 優れた熱的機敏性:従来の抵抗加熱炉とは異なり、この赤外線駆動システムは現代のナノ構造合成に必要な速度を提供し、処理時間を数時間から数分に短縮し、独自の材料特性を引き出します。
  • 精密工学とビルドクオリティ:モーター駆動のスライドテーブルから空冷付き二重構造ケーシングに至るまで、本装置のあらゆる側面が、過酷な研究環境における産業グレードの信頼性とオペレーターの安全性を考慮して設計されています。
  • 包括的なプロセス制御:PC通信機能とサンプルレベルの温度監視を統合することで、標準的な管状炉では不可能なレベルのデータロギングとプロセス再現性を実現できます。
  • ターンキー真空ソリューション:高品質のステンレス製フランジ、デジタルゲージ、精密ニードルバルブが付属しているため、設置後すぐに高真空用途に使用可能です。
  • 実証済みの材料科学的実績:この炉のアーキテクチャは、ペロブスカイトやグラフェンといった最先端材料の成長において実証済みのツールであり、トップクラスの研究機関での実績に裏打ちされています。

当社の技術チームが、お客様の具体的な研究要件に合わせてこのラピッドサーマルプロセッシングシステムの構成をサポートいたします。詳細な技術相談や正式な見積もりについては、今すぐお問い合わせください。

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