1200℃ 高温 5インチ スライディングチューブ炉（RTP・ウェハーアニール用）

製品概要

本高性能熱処理システムは、現代の材料科学および半導体研究の厳しい要求に応えるよう設計されています。高度なスライド機構を採用することで、固定式チューブ炉では不可能な急速加熱・冷却サイクルを実現しました。この機能は、熱力学的な精密制御が試料の結晶構造や電気的特性を決定づける急速熱処理（RTP）を行う研究者にとって不可欠です。本装置の最大の価値は、試料を温度ゾーン間で瞬時に移動させることができ、ハイスループットな実験や高度な薄膜開発のための多用途なプラットフォームを提供できる点にあります。

汎用性と精度を追求した本システムは、半導体ウェハーのアニール、化学気相成長（CVD）、金属相変態研究を専門とする研究室の要となる装置です。大口径の石英管を採用しているため、最大4インチ径のウェハーを処理でき、基礎的な学術研究から産業用R&Dまで幅広く対応可能です。堅牢な構造により、構造的完全性や温度均一性を損なうことなく、繰り返しの急速熱サイクルに耐えることができ、過酷な産業環境下でも再現性の高い結果を求める研究者に一貫性を提供します。

信頼性は本装置の設計の核心です。二重構造のスチール製ケーシングと統合された空冷技術により、1200℃での長時間運転時でも外装温度を安全に保ちます。分離型の制御ユニットは遠隔操作を可能にし、繊細な電子機器を熱から保護するとともに、実験室スタッフにとってより安全な作業環境を提供します。反応性金属のアニールから高密度セラミックスの焼結まで、本システムはハイレベルな実験室や産業用熱処理プロセスに必要な性能、耐久性、安全性を備えています。

主な特長

• 急速熱力学管理： 統合された電動スライドモーターにより、炉体が石英管上を可変速度で移動します。加熱ゾーンを試料から移動させることで、最大2℃/秒の加熱レートと最大4℃/秒の急冷レートを実現します。
• 高度なデュアルPID制御システム： 30セグメントのプログラムが可能な2つの独立したPID自動コントローラーを搭載し、加熱レート、保持時間、冷却曲線を±1℃の精度で精密に制御します。
• 大容量処理環境： 5インチの高純度石英管は、最大100mm（4インチ）径の試料やウェハーに対応し、専用の石英ボートが移動中の安定した試料配置をサポートします。
• 堅牢な真空・雰囲気アーキテクチャ： 二重シリコンOリングを備えたステンレス製真空フランジとデジタルゲージにより、10^-5 torrまでの高真空環境を実現。不活性ガス、還元ガス、真空雰囲気が必要なプロセスに対応します。
• 優れた断熱性と安全性： アクティブファン冷却を備えた二重層スチールケーシングにより、外殻温度を60℃以下に維持。過熱防止および熱電対断線保護システムが装置とオペレーターを保護します。
• 精密加熱エレメント： 抵抗加熱エレメントが戦略的に配置されており、300mmの加熱ゾーンと100mmの均熱ゾーンを確保し、ワークピース全体に均一な熱分布を実現します。
• デジタル接続と遠隔監視： 付属のMTS-02制御モジュールとRS485ポートにより、PCベースの完全操作が可能です。データの記録、リアルタイムのサイクル監視、複雑な熱プロファイルの自動化を実現します。
• 産業グレードのスライドレール： 重荷重用クロムメッキ鋼レール上を移動するため、振動のないスムーズな動作を実現し、急速な遷移フェーズでもデリケートな試料を保護します。

アプリケーション

技術仕様

このスライディングチューブ炉を選ぶ理由

• 比類なき熱的俊敏性： 標準的な炉とは異なり、精密設計されたスライド機構により業界最高水準の昇降温レートを実現。サイクル時間を大幅に短縮し、独自の材料特性を引き出します。
• 研究グレードの精度： デュアルPIDコントローラーとPCベースのデータ収集により、あらゆる熱変数を完全に制御可能。何百回もの実行にわたり、実験条件を正確に再現できます。
• 産業用ビルド品質： クロムメッキのスライドレールから二重層スチールケーシングまで、すべてのコンポーネントが過酷な環境下で劣化することなく動作するように選択されています。
• 包括的な真空統合： 高品質なステンレス製フランジとデジタル真空ゲージを標準装備しており、導入後すぐに繊細な雰囲気制御プロセスを開始できます。
• 将来への適応性： オプションの自動スライド駆動やカスタムソフトウェア構成により、研究要件の変化に合わせて進化できるため、長期的な投資として最適です。

特定のプロセス要件のご相談や、研究室セットアップ向けのカスタマイズ見積もりについては、弊社の技術エンジニアリングチームまで今すぐお問い合わせください。