製品概要

この高温熱処理システムは、従来のチューブ炉とラピッドサーマルプロセシング(RTP)装置の間のギャップを埋めるために特別に設計されています。手動スライドレール機構と高性能1500℃加熱チャンバーを統合することで、研究者は処理チューブを高温域に瞬時に挿入・引き抜くことが可能です。この機能は、静的熱システムの能力を超える精密な昇温・冷却速度に依存する微細構造制御を必要とする材料科学アプリケーションにおいて極めて重要です。その価値は、自動化されたRTPシステムの数分の一のコストで極端な温度勾配を達成する能力にあり、先進材料合成のための汎用性の高いツールを提供します。
本装置の主な使用例には、固体電解質の開発、半導体アニーリング、先進セラミックスの相変態研究などが含まれます。対象産業は、航空宇宙、エネルギー貯蔵からマイクロエレクトロニクス、産業研究開発ラボまで多岐にわたります。ユニットの設計は柔軟性を優先し、ムライト管と石英管の両方をサポートして、様々な雰囲気と温度要件に対応します。予熱されたチャンバーへの迅速な挿入や、強制空冷のための即時引き抜きを可能にすることで、反復的な実験ワークフローに必要な操作性と俊敏性を提供します。
本装置への信頼は、その堅牢な構造と高品質なコンポーネントによって支えられています。1500℃対応の炭化ケイ素(SiC)発熱体とデュアルS型熱電対を採用し、過酷な熱サイクル下でも一貫した性能を確保します。クロムメッキ鋼製のダブルスライドレールの採用により、長期にわたる滑らかで信頼性の高い動作が保証されます。高真空下でも不活性ガス環境下でも、この炉はハイステークスの産業研究と品質重視の材料生産に必要な精度と信頼性を提供します。
主な特徴
- ラピッドサーマルプロセシング機能: 統合されたスライドレールにより、処理チューブを手動で予熱された炉内に移動させて瞬時に加熱したり、引き抜いて加速冷却したりできるため、サイクルタイムを大幅に短縮します。
- デュアルコントローラー温度管理: 30プログラム可能セグメントを備えた2つの独立したデジタル温度コントローラーが炉温を管理し、サンプルのリアルタイム温度プロファイルを監視し、プロセスの透明性を最大限に確保します。
- 高精度SiC発熱体: 高品質1500℃対応炭化ケイ素ロッド4本を装備し、1400℃までの連続運転および1500℃での間欠使用において、信頼性が高く安定した熱エネルギーを供給します。
- 先進的な真空シール技術: 内蔵デジタルゲージ付きステンレス鋼製真空フランジを備えており、分子ポンプと組み合わせることで10E-5 torrまでの高真空を達成可能で、酸素敏感プロセスに最適です。
- 交換可能な処理チューブ: 米国製ムライト管と高純度石英管の両方が付属しており、ユーザーは特定の温度および化学的適合性のニーズに最適な材料を選択できます。
- リアルタイム熱フィードバック: 内部のS型熱電対に加え、チューブ内に直接挿入する二次プローブにより、サンプルの実際の熱環境を正確に1:1で読み取ります。
- 産業用グレードスライドレール: 350mmのクロムメッキ鋼製ダブルレールシステムは、高速熱遷移時のチューブの手動移動のための安定した滑らかな機械的インターフェースを提供します。
- コンピューター制御インターフェース: 統合RS485ポートにより、ラボソフトウェアとの完全なシステム統合が可能で、自動データロギングと複雑な熱レシピの遠隔管理を実現します。
- 強化された安全構造: 内蔵の過熱警報と自動保護回路により、システムは常時監視なしで安全に動作し、装置とサンプルの両方を保護します。
- 最適化された定温域: 加熱ゾーンの設計により、±1°C以内の100mmの安定領域を提供し、サンプル全長にわたる均一な熱分布を確保します。
アプリケーション
| アプリケーション | 説明 | 主な利点 |
|---|---|---|
| 固体電解質 | 急速冷却技術を用いたLPS固体電解質粉末の調製。 | 冷却時の結晶相を制御することで、イオン伝導度を向上させます。 |
| 半導体アニーリング | 制御雰囲気下でのシリコンまたは化合物半導体ウェハーのラピッドサーマルアニーリング。 | ドーパント拡散を最小限に抑えながら、イオン注入種を効率的に活性化します。 |
| セラミック焼結 | 粒成長を制限するための先進技術セラミックスの高速サイクル焼結。 | 優れた機械的特性を持つ高密度セラミック部品を製造します。 |
| 相変態 | 金属および合金の微細構造に対する急冷効果の研究。 | 高い冷却速度により準安定相の捕捉を可能にします。 |
| CVD / PECVD研究 | 化学気相成長(CVD)実験の熱基盤としての利用。 | 精密な薄膜成長のための安定した高真空環境を提供します。 |
| ナノ材料成長 | 精密な温度立ち上げを必要とするカーボンナノチューブやナノワイヤーの合成。 | |
| 触媒試験 | 高速サイクリング下での触媒の熱安定性と活性の試験。 | 熱段階間の時間を短縮することで、劣化試験を加速します。 |
技術仕様
| 特徴 | TU-RT03の仕様詳細 |
|---|---|
| モデル番号 | TU-RT03 |
| 炉構造 | 右側に単一スライドフランジ;チューブ移動用手動レール;統合デジタル真空計 |
| 真空性能 | 10E-5 torr(ターボポンプ時);10E-2 torr(機械ポンプ時) |
| 定格電力 | 2.5 KW (20Aブレーカーが必要) |
| 入力電圧 | 単相 AC 208-240V, 50/60 Hz |
| 最高温度 | 1500°C |
| 連続使用温度 | 1400°C (ムライト管使用時) |
| 温度精度 | ± 1°C |
| 加熱ゾーン長さ | 6インチ (152 mm) |
| 定温域 | 800 - 1500°C範囲内で100 mm (±1°C) |
| 発熱体 | 1500°C対応SiCロッド 4本 |
| 熱電対 | デュアルS型(炉制御用1本、サンプル監視用1本) |
| 温度コントローラー | RS485ポート付きデュアル30セグメントプログラム可能デジタルコントローラー |
| ムライト管仕様 | 外径50mm x 内径44mm x 長さ304.8mm;最大1500°C(空気中)/ 1300°C(真空中) |
| 石英管仕様 | 外径50mm x 内径44mm x 長さ304.8mm;最大1200°C(空気中)/ 1000°C(真空中) |
| スライドレールタイプ | クロムメッキ鋼製ダブルレール;スライド長350mm |
| 昇温速度(ムライト) | 10°C/秒(室温-800°C);7°C/秒(800-1000°C);1.5°C/秒(1200-1300°C) |
| 冷却速度(ムライト) | 14°C/秒(1350-1000°C);7°C/秒(1000-800°C);2.5°C/秒(500-400°C) |
| 昇温速度(石英) | 30°C/秒(室温-500°C);12°C/秒(500-800°C);1°C/秒(1000-1100°C) |
| 冷却速度(石英) | 16°C/秒(1100-800°C);9°C/秒(800-600°C);2.5°C/秒(400-300°C) |
| 適合規格 | CE認証済み;NRTL/CSAは要請に応じて対応可能 |
当社を選ぶ理由
- 比類なき熱俊敏性: 手動スライド設計は、高価な自動化RTPシステムに代わる費用対効果の高い選択肢を提供し、高速材料スクリーニングのための最大16°C/秒の冷却速度と最大30°C/秒の昇温速度を実現します。
- 精密工学と監視: デュアルS型熱電対と独立したコントローラーにより、炉環境とチューブ内部状態の両方のリアルタイムデータを提供することで、推測作業を排除します。
- 高真空・クリーンプロセシング: ステンレス鋼製シール技術とデジタル監視により、10E-5 torrまでの超高純度プロセシングが可能で、高純度半導体および電解質研究に不可欠です。
- 耐久性のある産業用構造: クロムメッキ鋼製レールと高品質SiC発熱体で構築され、集中的な24時間365日の研究開発環境における長寿命と一貫した性能を実現するように設計されています。
- 汎用性の高い材料適合性: 高温用ムライト管と高純度石英管の両方が付属しているため、システムは箱出しで幅広い化学的・熱的要求に対応可能です。
このラピッドサーマルプロセシングシステムへの投資は、次世代材料開発に必要な速度と精度をあなたの研究室に保証します。詳細な見積もりや、特定の研究パラメータに合わせたカスタム構成についてのご相談は、本日より技術営業チームまでお問い合わせください。
引用を要求
弊社の専門チームが 1 営業日以内にご返信いたします。 お気軽にお問い合わせ下さい!
関連製品
1500℃対応 ハイブリッド高温マッフル・管状炉(真空フランジ付)
ボックス炉と管状炉の機能を統合した先進的な1500℃ハイブリッド炉です。6x6x6インチのチャンバーと真空フランジ付き2インチムライト管を備え、精密なPID制御と優れたアルミナ断熱材により、高温材料研究や産業用R&Dアプリケーションに最適な性能を提供します。
材料研究向け、アルミナ管と真空シーリングフランジを備えた1500°Cスプリットチューブ炉
SiC加熱素子と高精度PID制御を備えたこの高級1500°Cスプリットチューブ炉で、R&Dを最適化します。真空または制御雰囲気での処理に理想的で、優れた熱均一性と迅速な試料アクセスを提供し、要求の厳しい材料科学研究用途に対応します。
1500℃ 高温コンパクト管状炉(外径2インチ、真空フランジおよび付属品一式付き)
2インチの高純度アルミナ管とSiC発熱体を採用した、精密設計の1500℃コンパクト管状炉です。材料科学の高度な研究開発向けに設計されており、真空シール用付属品一式、デジタルPID制御、産業用熱処理アプリケーションのための高度な安全機能を備えています。
1200°C対応 スライド式チューブ炉(外径80mm石英管、真空フランジ付、急速熱処理・高速昇降温用)
最高温度1200°Cのスライド式チューブ炉で、急速熱処理を実現します。外径80mmの石英管と手動スライド機構を備え、毎分最大100°Cの昇降温速度により、先端材料研究や産業用R&Dに最適です。
高温2ゾーン回転式管状炉 1500℃ 炭化ケイ素ヒーター搭載 先端材料合成用
この高精度2ゾーン回転式管状炉で熱処理を最適化。最高温度1500℃と高度なSiC発熱体を備え、世界の研究機関における産業用R&D、化学気相成長(CVD)、高度な材料科学アプリケーションにおいて均一な結果を保証します。
高温1500℃ 4チャンネル管状炉(アルミナ管付)、ハイスループットアニールおよび状態図研究用
ゾーンごとに独立した1500℃制御と統合真空マニホールドを備えたこの高性能4チャンネル管状炉により、材料開発を加速させます。先端セラミックスや合金開発プログラムにおけるハイスループットアニールや体系的な状態図研究に最適です。
材料研究・真空および雰囲気熱処理用 1500℃ 高温分割型チューブ炉
この1500℃高温分割型チューブ炉は、高度な材料研究や工業用焼結用途向けに精密な熱処理を提供します。二重シェル構造、統合型PID制御、真空対応ステンレス製フランジを備え、過酷なラボ環境でも信頼性の高い性能を発揮します。
1500℃ ハイブリッドマッフル管状炉 1.7Lボックス型(2インチムライト管およびプログラムPIDコントローラー付き)
1.7Lマッフルチャンバーと2インチムライト管機能を備えたこの1500℃ハイブリッド炉で、研究室のスペースを最適化します。精密なPID制御と多様な雰囲気制御オプションにより、先端材料科学研究や高温熱処理を行う産業用ラボの用途に最適です。
CVDシステム向け スライドフランジ搭載 1200℃高温 4インチチューブ炉
この1200℃高温4インチチューブ炉は、迅速なサンプルローディングと高真空適合性を実現するスライド式フランジを搭載しています。精密CVDプロセスおよび先端材料研究向けに設計されており、要求の厳しい実験環境下で極めて信頼性の高い性能を提供します。
CVD用 50mmチューブフランジ付き 1200℃対応デュアルスライド式チューブ炉
この1200℃デュアルスライド式チューブ炉は、高精度CVDプロセス専用に設計された50mm石英チューブフランジを備えています。スライド機構による急速加熱・冷却で産業用R&Dを加速させ、優れた材料合成、一貫した結果、そして最高レベルの薄膜堆積性能を実現します。
1700℃ スライドプラットフォーム付きボックス炉:急速加熱・冷却対応高温熱処理システム
この高温ボックス炉は、スライド式プラットフォームを搭載し、1700℃までの急速なサンプルの搬入と迅速な熱処理を実現します。材料科学研究に最適で、精密なPID制御と優れたエネルギー効率を産業用ラボに提供します。
1200℃ 高温 5インチ スライディングチューブ炉(RTP・ウェハーアニール用)
材料研究を加速させる、急速熱処理(RTP)対応の1200℃スライディングチューブ炉です。5インチ石英管とデュアルPIDコントローラーを搭載し、先端半導体アプリケーション向けに精密な加熱・冷却レートを実現します。
1500°C 高温卓上マッフル炉(3.6Lチャンバー、石英観察窓付き)
この1500°C卓上マッフル炉は、3.6Lのチャンバーとリアルタイムのサンプル観察が可能な石英窓を統合しています。材料科学研究向けに設計されており、精密なPID制御、高純度アルミナ断熱材、堅牢なSiC発熱体により、安定した性能を提供します。
高温1600℃ 分割型チューブ炉 真空フランジ・バルブ付 オプション:60mm/80mmアルミナチューブ
真空フランジ、バルブ、高精度PID制御を備えた高性能1600℃分割型チューブ炉です。60mmまたは80mmのアルミナチューブに対応し、先端材料の研究開発における雰囲気制御熱処理や高真空処理環境に最適です。
急速熱処理・真空管式ハイブリッド機能搭載 1200℃高温縦型スライディング炉
急速熱処理機能を備えたこの1200℃縦型スライディング炉で、研究効率を最大化できます。このハイブリッドシステムは箱型炉と真空管式炉の両方の機能を提供し、高度な材料科学用途に向けた正確な温度制御と超高速の加熱・冷却を実現します。
1200°C スライディングチューブ炉(外径100mm対応、急速熱処理およびCVDグラフェン成長用)
急速熱処理(RTP)およびCVD用途向けに設計された1200°Cスライディングチューブ炉で、研究を加速させましょう。高精度PLC制御と電動スライドレールを備え、先端材料科学や産業用R&Dラボにおける超高速加熱・冷却サイクルを実現します。
1700℃ 高温3ゾーン管状炉(アルミナ管・水冷フランジ付)
この高度な高温3ゾーン管状炉は、精密な1700℃の熱処理と雰囲気制御を実現します。半導体研究、先端冶金、セラミックス焼結に最適で、独立したPID温度コントローラーにより優れた均熱性を提供します。
1200°C対応 3ゾーン管状炉 最大外径6インチ(チューブ・フランジ付き)
外径6インチの処理能力と高度なタッチスクリーン制御を備えた、この1200°C対応3ゾーン管状炉で熱処理プロセスを最適化します。この高精度システムは、先端材料研究、半導体アニール、工業用熱処理用途において均一な温度分布を保証します。
高速加熱・冷却対応 自動スライド式管状炉 外径2インチ 1100℃対応
この高性能な自動スライド式管状炉で材料研究を最適化します。毎分100℃の超高速加熱・冷却を実現するこの1100℃対応システムは、半導体、ナノテクノロジー、および急速熱サイクルを必要とする産業用R&Dアプリケーションにおいて、精密な熱処理を保証します。
1100°C 大口径石英チューブ炉(24インチ加熱ゾーンおよび水冷フランジ付き)
この1100°C大口径石英チューブ炉は、24インチの加熱ゾーンと精密なCVD処理のための水冷フランジを備えています。材料研究や産業用R&Dに最適で、優れた熱安定性と堅牢な熱性能を提供します。