製品概要

この高温熱処理システムは、従来のチューブ炉とラピッドサーマルプロセシング(RTP)装置の間のギャップを埋めるために特別に設計されています。手動スライドレール機構と高性能1500℃加熱チャンバーを統合することで、研究者は処理チューブを高温域に瞬時に挿入・引き抜くことが可能です。この機能は、静的熱システムの能力を超える精密な昇温・冷却速度に依存する微細構造制御を必要とする材料科学アプリケーションにおいて極めて重要です。その価値は、自動化されたRTPシステムの数分の一のコストで極端な温度勾配を達成する能力にあり、先進材料合成のための汎用性の高いツールを提供します。
本装置の主な使用例には、固体電解質の開発、半導体アニーリング、先進セラミックスの相変態研究などが含まれます。対象産業は、航空宇宙、エネルギー貯蔵からマイクロエレクトロニクス、産業研究開発ラボまで多岐にわたります。ユニットの設計は柔軟性を優先し、ムライト管と石英管の両方をサポートして、様々な雰囲気と温度要件に対応します。予熱されたチャンバーへの迅速な挿入や、強制空冷のための即時引き抜きを可能にすることで、反復的な実験ワークフローに必要な操作性と俊敏性を提供します。
本装置への信頼は、その堅牢な構造と高品質なコンポーネントによって支えられています。1500℃対応の炭化ケイ素(SiC)発熱体とデュアルS型熱電対を採用し、過酷な熱サイクル下でも一貫した性能を確保します。クロムメッキ鋼製のダブルスライドレールの採用により、長期にわたる滑らかで信頼性の高い動作が保証されます。高真空下でも不活性ガス環境下でも、この炉はハイステークスの産業研究と品質重視の材料生産に必要な精度と信頼性を提供します。
主な特徴
- ラピッドサーマルプロセシング機能: 統合されたスライドレールにより、処理チューブを手動で予熱された炉内に移動させて瞬時に加熱したり、引き抜いて加速冷却したりできるため、サイクルタイムを大幅に短縮します。
- デュアルコントローラー温度管理: 30プログラム可能セグメントを備えた2つの独立したデジタル温度コントローラーが炉温を管理し、サンプルのリアルタイム温度プロファイルを監視し、プロセスの透明性を最大限に確保します。
- 高精度SiC発熱体: 高品質1500℃対応炭化ケイ素ロッド4本を装備し、1400℃までの連続運転および1500℃での間欠使用において、信頼性が高く安定した熱エネルギーを供給します。
- 先進的な真空シール技術: 内蔵デジタルゲージ付きステンレス鋼製真空フランジを備えており、分子ポンプと組み合わせることで10E-5 torrまでの高真空を達成可能で、酸素敏感プロセスに最適です。
- 交換可能な処理チューブ: 米国製ムライト管と高純度石英管の両方が付属しており、ユーザーは特定の温度および化学的適合性のニーズに最適な材料を選択できます。
- リアルタイム熱フィードバック: 内部のS型熱電対に加え、チューブ内に直接挿入する二次プローブにより、サンプルの実際の熱環境を正確に1:1で読み取ります。
- 産業用グレードスライドレール: 350mmのクロムメッキ鋼製ダブルレールシステムは、高速熱遷移時のチューブの手動移動のための安定した滑らかな機械的インターフェースを提供します。
- コンピューター制御インターフェース: 統合RS485ポートにより、ラボソフトウェアとの完全なシステム統合が可能で、自動データロギングと複雑な熱レシピの遠隔管理を実現します。
- 強化された安全構造: 内蔵の過熱警報と自動保護回路により、システムは常時監視なしで安全に動作し、装置とサンプルの両方を保護します。
- 最適化された定温域: 加熱ゾーンの設計により、±1°C以内の100mmの安定領域を提供し、サンプル全長にわたる均一な熱分布を確保します。
アプリケーション
| アプリケーション | 説明 | 主な利点 |
|---|---|---|
| 固体電解質 | 急速冷却技術を用いたLPS固体電解質粉末の調製。 | 冷却時の結晶相を制御することで、イオン伝導度を向上させます。 |
| 半導体アニーリング | 制御雰囲気下でのシリコンまたは化合物半導体ウェハーのラピッドサーマルアニーリング。 | ドーパント拡散を最小限に抑えながら、イオン注入種を効率的に活性化します。 |
| セラミック焼結 | 粒成長を制限するための先進技術セラミックスの高速サイクル焼結。 | 優れた機械的特性を持つ高密度セラミック部品を製造します。 |
| 相変態 | 金属および合金の微細構造に対する急冷効果の研究。 | 高い冷却速度により準安定相の捕捉を可能にします。 |
| CVD / PECVD研究 | 化学気相成長(CVD)実験の熱基盤としての利用。 | 精密な薄膜成長のための安定した高真空環境を提供します。 |
| ナノ材料成長 | 精密な温度立ち上げを必要とするカーボンナノチューブやナノワイヤーの合成。 | |
| 触媒試験 | 高速サイクリング下での触媒の熱安定性と活性の試験。 | 熱段階間の時間を短縮することで、劣化試験を加速します。 |
技術仕様
| 特徴 | TU-RT03の仕様詳細 |
|---|---|
| モデル番号 | TU-RT03 |
| 炉構造 | 右側に単一スライドフランジ;チューブ移動用手動レール;統合デジタル真空計 |
| 真空性能 | 10E-5 torr(ターボポンプ時);10E-2 torr(機械ポンプ時) |
| 定格電力 | 2.5 KW (20Aブレーカーが必要) |
| 入力電圧 | 単相 AC 208-240V, 50/60 Hz |
| 最高温度 | 1500°C |
| 連続使用温度 | 1400°C (ムライト管使用時) |
| 温度精度 | ± 1°C |
| 加熱ゾーン長さ | 6インチ (152 mm) |
| 定温域 | 800 - 1500°C範囲内で100 mm (±1°C) |
| 発熱体 | 1500°C対応SiCロッド 4本 |
| 熱電対 | デュアルS型(炉制御用1本、サンプル監視用1本) |
| 温度コントローラー | RS485ポート付きデュアル30セグメントプログラム可能デジタルコントローラー |
| ムライト管仕様 | 外径50mm x 内径44mm x 長さ304.8mm;最大1500°C(空気中)/ 1300°C(真空中) |
| 石英管仕様 | 外径50mm x 内径44mm x 長さ304.8mm;最大1200°C(空気中)/ 1000°C(真空中) |
| スライドレールタイプ | クロムメッキ鋼製ダブルレール;スライド長350mm |
| 昇温速度(ムライト) | 10°C/秒(室温-800°C);7°C/秒(800-1000°C);1.5°C/秒(1200-1300°C) |
| 冷却速度(ムライト) | 14°C/秒(1350-1000°C);7°C/秒(1000-800°C);2.5°C/秒(500-400°C) |
| 昇温速度(石英) | 30°C/秒(室温-500°C);12°C/秒(500-800°C);1°C/秒(1000-1100°C) |
| 冷却速度(石英) | 16°C/秒(1100-800°C);9°C/秒(800-600°C);2.5°C/秒(400-300°C) |
| 適合規格 | CE認証済み;NRTL/CSAは要請に応じて対応可能 |
当社を選ぶ理由
- 比類なき熱俊敏性: 手動スライド設計は、高価な自動化RTPシステムに代わる費用対効果の高い選択肢を提供し、高速材料スクリーニングのための最大16°C/秒の冷却速度と最大30°C/秒の昇温速度を実現します。
- 精密工学と監視: デュアルS型熱電対と独立したコントローラーにより、炉環境とチューブ内部状態の両方のリアルタイムデータを提供することで、推測作業を排除します。
- 高真空・クリーンプロセシング: ステンレス鋼製シール技術とデジタル監視により、10E-5 torrまでの超高純度プロセシングが可能で、高純度半導体および電解質研究に不可欠です。
- 耐久性のある産業用構造: クロムメッキ鋼製レールと高品質SiC発熱体で構築され、集中的な24時間365日の研究開発環境における長寿命と一貫した性能を実現するように設計されています。
- 汎用性の高い材料適合性: 高温用ムライト管と高純度石英管の両方が付属しているため、システムは箱出しで幅広い化学的・熱的要求に対応可能です。
このラピッドサーマルプロセシングシステムへの投資は、次世代材料開発に必要な速度と精度をあなたの研究室に保証します。詳細な見積もりや、特定の研究パラメータに合わせたカスタム構成についてのご相談は、本日より技術営業チームまでお問い合わせください。
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