1500℃ ハイブリッドマッフル管状炉 1.7Lボックス型(2インチムライト管およびプログラムPIDコントローラー付き)

マッフル炉

1500℃ ハイブリッドマッフル管状炉 1.7Lボックス型(2インチムライト管およびプログラムPIDコントローラー付き)

商品番号: TU-HC07

最高温度: 1500°C チャンバー構成: 1.7Lボックス&2インチムライト管ハイブリッド 温度制御精度: ±1°C (30セグメントPID)
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製品概要

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この高温ハイブリッド熱処理システムは、精密マッフル炉と真空対応管状炉の機能を1台のコンパクトな筐体に統合した、研究室の効率化における画期的な製品です。材料科学の研究者や産業エンジニア向けに設計されており、個別の専用装置を導入する必要がなく、1.7リットルの加熱チャンバーと2インチムライト管構成を併せ持つコスト効率の高いソリューションを提供します。この二目的設計により、従来の大気焼結から、特殊な真空または制御雰囲気処理へのシームレスな移行が可能です。

本装置は、スペースと予算が限られている高温研究開発のために特別に設計されています。主な用途は、先端セラミックスや金属粉末の焼結から、化学気相成長(CVD)、不活性環境下でのアニールまで多岐にわたります。ターゲットとなる産業には、半導体製造、航空宇宙材料試験、およびサンプル形状や処理環境の柔軟性を犠牲にすることなく1500℃までの極めて高い熱精度を必要とする先端冶金ラボが含まれます。

信頼性は本システムの設計の核心です。高品質な炭化ケイ素(SiC)発熱体と堅牢な耐火セラミックライニングで構築されており、最も過酷な条件下でも一貫した熱性能を提供します。構造的完全性は工業グレードのコンポーネントによって強化されており、研究者は長い保持サイクルを通じて再現性の高い結果を得ることができます。バルクサンプル用のボックス炉として、あるいは制御されたガス反応用の管状炉として、このシステムはミッションクリティカルな工業用熱処理に必要な安定性と精度を提供します。

主な特徴

  • デュアル構成ハイブリッド設計: 本システムは1.7Lマッフル炉および2インチ管状炉として交換可能に機能し、ボックス型サンプル装入と管状の雰囲気制御の両方を必要とするラボに比類のない汎用性を提供します。
  • 精密PID熱管理: 統合された比例・積分・微分(PID)コントローラーは、昇温、冷却、保持のための30プログラムセグメントを備えており、全熱プロファイルを通じて±1℃の精度を確保し、一貫した材料特性を実現します。
  • 高効率SiC発熱体: 4本のU字型炭化ケイ素発熱体を装備し、特殊な高温用途向けに最高動作温度1500℃を維持しながら、迅速な熱遷移を実現します。
  • 高度な真空および雰囲気制御: 本装置には、真空シールフランジとメカニカルゲージを備えた2インチムライト管が含まれており、ターボポンプを使用した10⁻⁵ torrまでの真空レベル、または酸素に敏感な材料のための制御されたガス濃縮環境をサポートします。
  • 人間工学に基づいたドロップダウンドアシステム: ドロップダウンドアの設計により、安全かつ容易なサンプル装入が可能になると同時に作業台としても機能し、ユーザーへの熱ショックや耐火ライニングへの損傷のリスクを最小限に抑えます。
  • 優れた断熱性: 高純度繊維状アルミナ断熱ブロックを使用することで、熱保持を最大化し外殻温度を最小限に抑え、長時間の高温サイクルにおけるエネルギー効率と研究室の安全性を向上させます。
  • 包括的な安全アラーム: 内蔵の過熱および熱電対故障アラームが継続的な監視を行い、加熱要素や内部コンポーネントを潜在的な損傷から保護するために自動的に動作を停止します。
  • 耐火物の耐久性とメンテナンス: 加熱チャンバーは熱膨張に耐える高級セラミック材料で構築されています。時間の経過とともに発生する小さな表面のひび割れは、アルミナコーティングで簡単に補修でき、耐用年数を延ばすことができます。
  • インテリジェント通信インターフェース: 本ユニットはデフォルトでDB9 PC通信ポートを備えており、オプションのLabviewベースのソフトウェアと統合して、産業監査証跡のための複雑な熱処理レシピの記録、プロット、管理が可能です。
  • 工業認証とコンプライアンス: 本装置はCE認証を取得しており、厳格な安全基準を満たすように設計されています。また、厳格な企業や政府の研究室要件に準拠するため、TUV(UL61010)またはCSA認証を取得することも可能です。

用途

用途 説明 主なメリット
先端セラミックス焼結 高密度で高強度の構造部品を得るための、ボックス構成でのセラミック粉末の高温焼成。 均一な熱分布により、一貫した粒成長と構造的完全性が得られます。
不活性ガスアニール 酸化を防ぐためにアルゴンまたは窒素でパージしながら、管状構成で金属合金や半導体を処理。 精密な雰囲気制御により、材料の純度を確保し、高温での表面劣化を防ぎます。
化学気相成長 (CVD) エレクトロニクス研究用の基板上に薄膜を堆積させるための、ムライト管を用いた気相反応。 高い熱安定性と真空適合性により、再現性の高い薄膜堆積が可能です。
粉末冶金 複雑な工業部品を製造するための、制御された冷却速度下での金属粉末成形体の焼結。 30セグメントPID制御により、目的の金属相を得るための特定の冷却プロファイルが可能です。
結晶成長 光学およびフォトニクス用途向けの単結晶育成のための長時間熱保持。 S型熱電対により、長期間の成長サイクル中も長期的な精度と安定性を提供します。
灰化および焼成 1.7Lマッフルチャンバー内でのバルク原料からの有機バインダーや揮発性成分の除去。 ボックス構成での大量処理により、研究室のスループットを最適化します。
歯科研究 高級歯科補綴物に使用される先端ジルコニアおよびポーセレン材料の試験と焼成。 信頼性の高い1500℃の容量が、現代の歯科材料の熱要件を満たします。
熱応力試験 極限の動作環境をシミュレートするための、航空宇宙部品への急速な昇温および保持。 急速加熱速度(最大20℃/分)により、耐熱材料の効率的なサイクル試験が可能です。

技術仕様

パラメータ TU-HC07の仕様
最高動作温度 1500℃(60分未満)
連続使用温度 1400℃
チャンバー寸法 (LxWxH) 120 x 120 x 120 mm (1.7 リットル)
外形寸法 (WxDxH) 400 x 600 x 670 mm
発熱体タイプ 炭化ケイ素 (SiC) - U字型4本
加熱速度 0 – 20℃ / 分 (推奨 ≤ 10℃/分)
熱電対タイプ S型
温度制御 PID制御(オートチューニング付き)、30セグメントプログラム可能
制御精度 ± 1℃
チューブ材質 ムライト(片端閉鎖)
チューブ寸法 2" 外径 x 1.75" 内径 x 12" 長さ
真空能力 10⁻² torr (メカニカルポンプ) / 10⁻⁵ torr (ターボポンプ)
ガス取り扱い 吸気/排気ポート、メカニカルゲージ付き真空フランジ
電源 AC 208V-240V 単相, 50/60 Hz
最大消費電力 2.5 KW
必要なブレーカー 20A
通信ポート DB9 PCポート(ノートPC/ソフトウェアはオプション)
コンプライアンス CE認証 (UL61010/CSAはオプション)

TU-HC07を選ぶ理由

  • 比類のないラボの汎用性: 本システムは、ボックス炉と管状炉の機能を1つの筐体に統合することで、研究室の機器コストを大幅に削減し、貴重なベンチスペースを節約する2-in-1ソリューションを提供します。
  • 精密な工業エンジニアリング: S型熱電対と高度なPIDロジックで構築されており、再現性の高い熱精度を保証するため、長期的な産業R&Dや品質管理のための信頼できる投資となります。
  • 堅牢な構造と耐久性: SiC発熱体から高純度繊維状アルミナ断熱材に至るまで、すべてのコンポーネントは、性能を低下させることなく連続的な高温動作に耐える能力に基づいて選択されています。
  • 強化された雰囲気の柔軟性: プロセスが高真空、不活性ガスパージ、または酸素富化環境のいずれを必要とする場合でも、本ユニットは正確な結果を得るために必要なシーリングおよびポートインフラストラクチャを提供します。
  • 将来を見据えたソフトウェア統合: オプションのLabviewベースの制御システムとワイヤレスリモートオプションにより、熱処理ワークフローをデジタル化し、現代的な効率で複雑なレシピを管理できます。

このハイブリッド熱システムへの投資は、材料科学の進化する要求に対して研究室が十分な装備を備えていることを保証し、プレミアムな研究に必要な精度と耐久性を提供します。見積もりのご依頼や、特定の産業用途向けのカスタマイズ構成については、今すぐ当社のエンジニアリングチームまでお問い合わせください。

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