CVDシステム向け スライドフランジ搭載 1200℃高温 4インチチューブ炉

RTP炉

CVDシステム向け スライドフランジ搭載 1200℃高温 4インチチューブ炉

商品番号: TU-RT25

最高温度: 1200°C チューブ寸法: 外径4.33インチ × 内径4.05インチ × 長さ29.13インチ 加熱ゾーン: 440mm(全体)/ 100mm(恒温部)
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製品概要

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この高性能熱処理システムは、先端材料合成および化学気相成長(CVD)向けに設計された特殊ソリューションです。大口径石英管と柔軟なスライドフランジ機構を統合することで、本装置は研究者に精密熱処理のための適応性の高いプラットフォームを提供します。本製品のコアバリューは、1200℃までの安定した熱環境を維持しつつ迅速なサンプル交換を可能にする点にあり、薄膜コーティング、ナノテクノロジー、半導体開発に取り組む研究室の基盤装置として活躍します。

信頼性を最適化した本ユニットは、電子機器、航空宇宙、エネルギー分野で広く活用されています。グラフェンやカーボンナノチューブといった次世代材料の開発において主要なツールとして機能し、これらの分野では雰囲気制御と熱均一性が必須要件となります。堅牢な構造により、真空下または制御されたガス条件下での繰り返し加熱サイクルにおいても、高純度な結果が一貫して得られます。

要求の厳しい研究開発環境向けに設計された本システムは、性能と運用安全性の両方を優先しています。精密加工された水冷フランジからインテリジェントな安全インターロック機構まで、実験リスクを最小化しスループットを最大化するために、すべてのコンポーネントが厳選されています。本装置は研究室の生産性への有意な投資であり、長期的な産業研究に必要な耐久性と、最先端の科学発見に必要な精度を両立しています。

主な特長

  • 先進的なスライド式フランジシステム:右側フランジはスライドレールアセンブリに搭載されており、オペレーターが最小限の労力でホットゾーンにサンプルを出し入れすることができます。この設計は急速冷却が必要な要件に対応する上で極めて重要であり、サンプル装填プロセスを大幅に効率化すると同時に、石英管の汚染や熱衝撃のリスクを低減します。
  • 精密PID温度制御:自己調整機能を備えたデジタルコントローラーと30のプログラム可能セグメントを搭載し、本システムは±1℃の温度安定性を維持します。この精度は、再現性のあるCVD成長や精密なアニーリングプロセスに必須であり、わずかな温度変動でも材料特性が損なわれる工程で真価を発揮します。
  • 高い完全性を備えた真空・ガス管理:本システムは低圧環境および複雑なガス雰囲気に対応しています。左側フランジにはガス入口用に4つのSwagelok継手を備え、右側フランジにはKF25真空ポートと耐食性静電容量隔膜ゲージを搭載しており、高純度真空プロセスに必要な包括的なモニタリングを提供します。
  • 統合水冷保護機構:高温運転中にシールOリングの完全性を維持するため、フランジには内部水冷流路が設計されています。この機能により、炉が定格最高温度の1200℃で運転されている場合でも真空シールの密着性が確保されます。
  • 安全を優先した分割カバー設計:炉筐体は統合安全インターロックを備えた分割カバー構造を採用しています。運転中にカバーが開かれた場合、発熱体への電源が即座に切断され、オペレーターを保護すると同時に内部コンポーネントの偶発的な損傷を防止します。
  • 最適化された恒温ゾーン:加熱構造は、全加熱面積440mmの中に100mmの恒温ゾーンを提供するよう設計されています。これによりサンプルが均一な熱プロファイルに曝されることが保証され、基板表面全体に均質な薄膜堆積を実現するための前提条件が満たされます。
  • 大口径処理チューブ:4インチ(内径100mm)の石英管により、より大きな基板の処理や複数のサンプルを同時に処理することが可能です。この処理容量は、小規模な発見からパイロットレベルの材料生産へのスケールアップを目指す研究において極めて重要です。
  • インテリジェントなモニタリングとPC統合:オプションのLabviewベースソフトウェアとWiFi制御機能により、ユーザーは熱処理レシピをリモート管理したり、リアルタイムデータを記録したり、熱プロファイルを描画したりすることができ、機密性の高い産業実験のためのデジタル監査証跡を提供します。

用途

用途 説明 主なメリット
グラフェン合成 銅またはニッケル触媒上での高品質グラフェン層の熱CVD成長 正確なガス流量と温度制御により、均一な格子構造を確保
カーボンナノチューブ(CNT)成長 炭化水素分解による単層または多層ナノチューブの製造 スライド式フランジにより急速熱クエンチングが可能で、ナノチューブの成長状態を固定
半導体ドーピング シリコンまたは化合物半導体ウェハへの不純物拡散による電気特性の改質 4インチ口径で、学術・産業研究における標準ウェハサイズに対応
薄膜堆積 CVDまたはPECVD技術による機能性金属膜またはセラミック膜の基板へのコーティング 真空完全性により酸化を防止し、高純度な膜の密着性を確保
セラミック焼結 先進セラミック粉末および複合材料の高温固化 1200℃の対応能力により、工業用セラミックの幅広い高密度化プロセスに対応
電池材料のアニーリング 不活性雰囲気下でのリチウムイオン電池電極材料の熱処理 正確なPID制御により相分離を防止し、電気化学性能を維持
太陽電池開発 制御された雰囲気条件下でのペロブスカイトまたは薄膜太陽光材料の処理 モジュール式フランジ設計により、in-situモニタリング用のカスタマイズされたフィードスルーに対応
冶金研究 真空環境下での特殊合金サンプルの応力除去およびアニーリング 信頼性の高い冷却システムが、長時間の加熱サイクル中に装置を保護

技術仕様

パラメータ区分 TU-RT25の仕様詳細
モデル識別子 TU-RT25
チューブ材質 寸法 高純度石英管;外径4.33インチ(110mm) × 内径4.05インチ(103mm) × 長さ29.13インチ(740mm)
最高温度 1200℃(30分未満の継続運転の場合)
連続使用可能温度 200℃ ~ 1100℃
加熱ゾーン長さ 全加熱ゾーン:440mm;恒温ゾーン:100mm
昇温・降温速度 毎分最大20℃
温度コントローラー 自己調整機能付きデジタルPID;30プログラム可能セグメント;精度±1℃
熱電対タイプ K型、右側フランジから挿入
定格電圧 単相 AC220V 50/60Hz
消費電力 最大3600W(20Aのブレーカーが必要)
真空継手 右側フランジにKF25ポート;耐食性静電容量隔膜ゲージ付属
ガス入口継手 左側フランジに1/8インチSwagelok継手4個
冷却要件 水冷式フランジ(12mmクイックコネクター);チラー推奨
雰囲気制限 1000℃まで真空使用可;正圧 < 0.2バール(3psi)
認証 CE認証済み(ご要望に応じてNRTL/CSA/TUV認証も提供可能)
安全機能 電源遮断インターロック保護付き分割カバー

当社を選ぶ理由

本熱処理システムを選ぶことは、精度と運用効率へのコミットメントを意味します。スライドフランジ設計は大きな差別化ポイントであり、標準的な固定管炉では実現できない柔軟性とスループットを提供します。このため、真空シールや石英管自体の完全性を損なうことなく、毎日複数の実験を実施する必要がある利用頻度の高い研究室に最適です。

設計の観点から言えば、本システムは産業研究開発の厳しい条件に耐えられるよう作られています。高品質石英と水冷ステンレス鋼部品の使用により、1200℃の限界温度付近で運転しても長期的な耐久性が確保されています。統合インターロックシステムとCE認証が示す通り、安全性への当社の取り組みは、施設管理者と研究者の双方に安心を提供します。

さらに、本システムのモジュール性により大幅なカスタマイズが可能です。特定のガスフィードスルー、アップグレードされた真空ポンプ、リモートモニタリング用の統合ソフトウェアのいずれが必要な場合でも、お客様のCVDまたは熱処理プロセスの正確な要件に合わせて本ユニットを調整することができます。当社は本装置をプレミアムな投資と位置づけ、今後数年にわたって一貫した高純度な結果を提供いたします。

研究目標に合わせた正式な見積もり、またはカスタマイズされた熱ソリューションについては、本日中に当社のテクニカルセールスチームまでお問い合わせください。

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