デュアルチューブ 100mm/80mm CVDスライド式電気炉(4チャンネルガス混合・真空システム搭載)

RTP炉

デュアルチューブ 100mm/80mm CVDスライド式電気炉(4チャンネルガス混合・真空システム搭載)

商品番号: TU-RT12

最高温度: 1200°C チューブ構成: デュアルクォーツ (外径100mm / 内径80mm) ガス制御: 4チャンネルデジタルMFC混合システム
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製品概要

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この高性能熱処理システムは、高度な化学気相成長(CVD)アプリケーション向けに設計されており、特に金属箔上への薄膜やグラフェンの成長を促進するように最適化されています。独自のデュアルチューブ構造を採用することで、反応環境を精密に制御することが可能です。本システムの最大の価値は、次世代のエネルギー貯蔵および電子機器研究において不可欠な、金属基板上のフレキシブル電極の製造に対応できる点にあります。加熱、ガス供給、真空制御を単一のプラットフォームに統合しており、材料科学者のワークフローを効率化します。

本装置は、二次元材料やナノテクノロジーに注力する産業用R&D環境や学術研究室に最適です。主な用途には、グラフェン膜の大量生産や、厳密な雰囲気制御を必要とする複雑なナノ構造の合成が含まれます。同心円状の石英チューブ間の狭い10mmの反応空間に反応ガスを精密に供給できるため、前駆体の効率と膜の均一性を最大化します。スライド機構により装置の有用性がさらに高まり、特定の相変態や高スループット実験に不可欠な迅速な熱サイクルを実現します。

工業グレードのコンポーネントで構築されたこの電気炉は、過酷な条件下でも比類のない信頼性を提供します。高純度アルミナ断熱材と堅牢なステンレス製真空フランジは、高温下での連続運転に耐えるよう設計されています。デジタルマスフローコントローラーから高耐久真空ステーションに至るまで、システムのあらゆる側面が精密工学へのこだわりを反映しています。研究者は、ルーチンの熱処理から制御された雰囲気下での複雑な多段階CVD合成プロセスまで、一貫した再現性の高い結果を得ることができます。

主な特徴

  • 同心デュアルチューブ構造: 外径100mmの外部チューブと吊り下げ式の内径80mmの内部チューブを採用。10mmの反応ギャップを作り出し、金属箔基板を巻き付けることで、CVDの表面積とガス相互作用を最適化します。
  • ダイナミック・スライドレールシステム: 電気炉底部に高耐久スライドレールを統合し、加熱チャンバーをサンプルゾーンから迅速に移動させることが可能です。これにより、固定式電気炉では不可能な急速冷却や高速昇温を実現します。
  • 精密4チャンネルガス供給: 4つのデジタルマスフローコントローラー(MFC)を備えた統合型ガス混合ステーション(100〜500 SCCMの範囲)により、前駆体とキャリアガスの複雑な混合を±1%のフルスケール精度で実現します。
  • 高度なPID温度制御: 30セグメントのプログラム可能なPIDコントローラーを使用し、昇温速度、保持時間、冷却曲線を緻密に制御して、±1°Cの温度安定性を維持します。
  • 統合型真空・圧力モニタリング: 2段式ロータリーベーンポンプと10^-4〜1000 Torrを測定可能なデジタル真空計を含む包括的な真空ステーションが付属しており、クリーンで制御された反応環境を保証します。
  • 堅牢な水冷フランジ: ステンレス鋼(SUS304)製フランジには水冷ジャケットが統合されており、高真空シールを保護し、長時間の高温運転中も構造的完全性を維持します。
  • 最適化された断熱材: 加熱チャンバーは高純度Al2O3繊維断熱材で構成されており、熱損失を最小限に抑え、定温ゾーン全体で優れた温度均一性を提供します。
  • 拡張可能な加熱構成: シングルゾーンおよびデュアルゾーン構成の両方に対応しており、温度勾配を独立して制御できるため、前駆体の輸送や多段階反応の管理に不可欠です。
  • 安全性と自動化: 過熱アラームと自動保護機能を内蔵しており、常時監視なしで安全にシステムを運用できるため、研究室の効率を高め、運用リスクを低減します。
  • 工業用Swagelok接続: すべてのガス入出力口に1/4インチのSwagelokチューブコネクタを採用し、漏れのない性能と標準的な工業用ガスインフラとの互換性を確保しています。

アプリケーション

アプリケーション 説明 主な利点
グラフェン成長 内部チューブに巻き付けた銅またはニッケル箔上への大面積グラフェンのCVD合成。 透明電極向けの高い均一性と拡張性のある生産。
フレキシブル電極R&D フレキシブルバッテリーやスーパーキャパシタ研究に使用する金属箔への薄膜コーティング。 金属基板上の膜厚と密着性の精密制御。
遷移金属ダイカルコゲナイド 制御された気相輸送を用いたMoS2、WS2およびその他の2D半導体の合成。 デュアルゾーン構成により、前駆体と基板温度を独立して制御可能。
カーボンナノチューブ合成 様々な触媒表面上への配向またはランダムなカーボンナノチューブアレイの成長。 スライド機構による急速熱処理で、チューブの形態を精密に制御。
リンの堆積 上流でリン源を独立加熱し、下流でターゲットサンプルを保持。 複雑な3D構造における均一な堆積と深い化学反応。
中空ナノウォール作製 高活性触媒用途向けのリン化コバルトベース構造の調製。 均一な組成制御により高い触媒活性を維持。
熱急冷研究 電気炉をスライドさせることで、高温から室温までサンプルを急速冷却。 高温相や急速凝固プロセスの研究が可能。
保護コーティングCVD 工業部品へのセラミックまたは金属保護層の堆積。 高真空環境により、高純度で優れたコーティング密着性を確保。

技術仕様

仕様カテゴリ パラメータ TU-RT12-S (シングルゾーン) TU-RT12-D (デュアルゾーン)
電気炉構造 断熱材 高純度Al2O3繊維 高純度Al2O3繊維
チューブ材質 高純度溶融石英 高純度溶融石英
外側チューブ寸法 外径100 x 内径96 x 1400 mm 外径100 x 内径96 x 1400 mm
内側チューブ寸法 外径80 x 内径75 x 1800 mm 外径80 x 内径75 x 1800 mm
スライド機構 ストップクランプ付き手動レール 双方向スライドレール
温度性能 最高使用温度 1200°C 1200°C
常用温度 1100°C 1100°C
温度精度 ±1°C ±1°C
加熱ゾーン長 440 mm 200 mm + 200 mm (計400 mm)
均熱ゾーン 120 mm (±1°C) 250 mm (ゾーン同期時)
ガス・真空システム MFCチャンネル1 0 ~ 100 SCCM 0 ~ 100 SCCM
MFCチャンネル2 0 ~ 200 SCCM 0 ~ 200 SCCM
MFCチャンネル3 0 ~ 200 SCCM 0 ~ 200 SCCM
MFCチャンネル4 0 ~ 500 SCCM 0 ~ 500 SCCM
ガス混合タンク 80 mL 80 mL
真空度 10^-2 Torr (メカニカル) 10^-2 Torr (メカニカル)
真空継手 KF25 アウトレット KF25 アウトレット
制御・電気 コントローラータイプ 30セグメントPID (RS485付) デュアル30セグメントPIDコントローラー
通信ポート RS485 RS485
電圧 208-240VAC, 50/60Hz 208-240VAC, 50/60Hz
消費電力 2.5 KW (20A ブレーカー) 4.0 KW (50A ブレーカー)
電源接続 10フィートケーブル (プラグなし) 10フィートケーブル (プラグなし)
冷却システム フランジ冷却 水冷ジャケット 水冷ジャケット
内部冷却 底部ファン 底部ファン

TU-RT12を選ぶ理由

  • グラフェン研究のための優れた設計: デュアルチューブ設計は、ロール・ツー・ロール方式の箔巻きに最適化されており、研究室規模で利用可能な大面積グラフェンおよび2D材料合成において最も効率的な構成を提供します。
  • 比類のない熱的俊敏性: スライド式電気炉設計により、超高速冷却速度の達成や、温度ゾーン間でのサンプルの即時移動が可能となり、結晶粒成長や相純度の制御に不可欠です。
  • ターンキー型のガス・真空統合: 大規模な組み立てが必要なモジュール式セットアップとは異なり、本システムは完全に統合された4チャンネルMFCステーションと適合する真空ポンプステーションを備えており、導入初日から高純度な雰囲気制御が可能です。
  • 長期的な産業利用を想定: 高耐久モバイルカートから高品質ステンレス製フランジ、Al2O3断熱材に至るまで、すべてのコンポーネントが、高負荷サイクルなR&D環境での耐久性と一貫した性能を基準に選定されています。
  • 精度とカスタマイズ性: シングルまたはデュアルゾーン制御の選択肢に加え、Eurothermコントローラーやカスタムガス構成の統合も可能であり、お客様の特定のCVDプロセスの要件に合わせて調整できます。

技術的なご相談や、貴社の研究室のカスタム熱処理要件に関する正式な見積もりについては、THERMUNITSまで今すぐお問い合わせください。

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