2インチチューブと真空ポンプを備えた、1200°C対応のコンパクト自動スライド式PECVD炉

製品概要

この高性能熱処理システムは、先進材料研究および薄膜開発向けに特化して設計された、コンパクトなプラズマ強化化学気相成長（PECVD）ソリューションです。高出力RFプラズマ発生器と高精度スプリットチューブ炉を統合することで、従来のCVDプロセスよりも大幅に低い温度で、研究者が優れた膜質を実現できるようにします。その中核的な価値は独自のスライド機構にあり、加熱ゾーンを試料位置へ迅速に移動できるため、瞬時の高温曝露と加速冷却サイクルが可能となり、微細構造や相形成をかつてない精度で制御できます。

主に研究室でのR&Dおよび産業材料科学向けに設計されており、シリコン酸化膜、窒化膜、アモルファスシリコンなど、さまざまな膜の成膜に最適です。その汎用性により、半導体、太陽光発電、ナノテクノロジー分野の研究室にとって不可欠な装置となります。コンパクトな設置面積により、専門的な材料合成に必要な高真空・高温性能を損なうことなく、既存の研究環境へスムーズに導入できます。

信頼性は本装置設計の中心にあります。堅牢な13.56 MHz RF発生器や高純度石英プロセスチューブなどの産業グレード部品を採用し、厳しい連続稼働条件下でも安定した性能を発揮します。高真空フランジと2段式真空ポンプの統合により、繊細な化学気相成長プロセスに対して清浄で制御された環境を確保し、研究者は複雑な多段階実験手順を再現性高く実行できます。

主な特長

• 一体型自動スライド機構：炉は高耐久の精密レールシステムに搭載されており、加熱ゾーンを迅速に移動できます。この設計により、試料の瞬時加熱・冷却が可能となり、粒成長の制御や準安定相の急冷に不可欠です。
• 高効率RFプラズマ生成：13.56 MHzで動作する300W RF発生器を搭載し、安定したプラズマ放電を生成します。これにより、基板温度を抑えた状態で化学反応を進行させることができ、熱に敏感な材料を保護し、成膜された膜の熱応力を低減します。
• 高精度温度管理：装置は30セグメントのプログラム可能なデジタルPIDコントローラで制御される300W加熱システムを採用しています。これにより±1°Cの精度を実現し、昇温、保持、冷却を含む複雑な熱プロファイルを自動で実行できます。
• 優れた真空密閉性：ダブルOリングシール付きのステンレス304製真空フランジを備え、3 x 10E-3 torrの高真空状態を実現します。デジタルピラニ真空計と高品質ニードルバルブの採用により、プロセス雰囲気を精密に制御できます。
• スプリット炉設計：炉本体はスプリットヒンジ構造で設計されており、試料の出し入れが容易で、処理チューブの交換も簡単です。また、スライド機構を使用しない場合は自然冷却もより迅速になります。
• 高度な化学量論制御：プラズマ出力、ガス流量、圧力を調整することで、成膜材料の化学組成や膜応力を精密に制御できます。これにより、特殊コーティング用途に非常に柔軟に対応できる装置となっています。
• 堅牢な安全性と適合性：本システムはCE認証を取得しており、真空ポンプ用オイルミスト除去装置や、繊細な成膜サイクル中の不要な酸化を防ぐための酸素モニタリングオプションなどの保護機能を備えています。

用途

技術仕様

このPECVDシステムを選ぶ理由

• 比類ない熱的柔軟性：自動スライドレールとプラズマ強化成膜の組み合わせにより、標準的な炉よりも広い実験範囲を提供し、高速熱処理と低温化学反応の両方をサポートします。
• 精密設計：13.56 MHz RF発生器からステンレス製真空アセンブリに至るまで、すべての部品は長期運用において厳格な産業公差を維持できるよう選定されています。
• 包括的な統合：本システムは、炉、プラズマ発生器、真空ポンプ、監視ハードウェアを含む完全なソリューションとして納入され、セットアップ時間を削減し、部品間の互換性を確保します。
• 拡張性とカスタマイズ性：多チャンネルガス混合ステーション、液体気化システム、高度なソフトウェア制御などのオプションにより、研究予算や技術要件に合わせて本装置を調整できます。
• 実証済みの信頼性：研究室基準を上回るよう設計されており、グローバルなサービスネットワークと高品質製造への取り組みによりサポートされています。これにより、R&D投資が確実に保護されます。

お見積りのご依頼や、お客様の薄膜成膜要件に合わせてこのPECVDシステムをどのようにカスタマイズできるかについてのご相談は、今すぐ当社の技術営業チームまでお問い合わせください。