制御雰囲気下での薄膜堆積および材料昇華研究向け 1200℃ スライド式内部るつぼ管状炉

RTP炉

制御雰囲気下での薄膜堆積および材料昇華研究向け 1200℃ スライド式内部るつぼ管状炉

商品番号: TU-RT15

最高温度: 1200°C 位置決め機構: 磁気駆動式内部るつぼスライドシステム 温度精度: ±1°C
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製品概要

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この高性能熱処理システムは、制御雰囲気内での正確な試料移動を必要とする先端材料科学用途向けに設計されています。洗練された内部スライド機構を統合することで、研究者は真空または雰囲気シールを破ることなく、特定の温度勾配に沿って試料や昇華源を移動させることができます。この機能は、温度と位置の関係が膜のモルフォロジーと成長速度にとって重要である高品質な物理気相成長(PVD)および二重気相成長(DVD)を達成するために不可欠です。

厳しい産業研究開発環境向けに設計された本装置は、高温安定性と機械的柔軟性の両方を要求する複雑な熱処理サイクルに対応します。本システムは、半導体開発、ナノテクノロジー、冶金相研究に取り組む研究室にとって基盤となる装置です。堅牢な構造により、真空または不活性ガス条件下でも再現性のある精度で敏感な実験を実施でき、長時間の実験プロトコルに必要な信頼性を提供します。

高品質な熱部品を使用し、ユーザーの安全性を重視して設計された本装置は、要求の厳しい連続運転下でも安定した性能を発揮します。高度なPID制御と磁気ドライブ位置決めシステムの融合により、内部るつぼの非侵襲的操作が可能となり、内部環境の完全性が損なわれることはありません。本装置は熱処理の柔軟性において大きな進歩を遂げており、蒸発、堆積、正確な熱プロファイリングのための統合ソリューションを提供します。

主な特長

  • 一体型磁気スライド機構:本システムは独自の複式磁気ドライブシステムを採用しており、外部磁石が内部磁性ブロックを制御し、石英管の長軸に沿って試料ホルダーを正確に移動させることができます。この設計により、手動介入や真空損失を伴うことなく、蒸発または堆積に最適な温度位置を見つけることができます。
  • 高度なNIST認証済みモニタリング:すべての装置に、高真空フィードスルーを介して試料ホルダーに直接接続されたNIST認証済み精密温度モニターが搭載されています。これにより、炉の周囲温度ではなく、試料位置での実際の温度が測定され、重要な薄膜成長において比類のないデータ精度を提供します。
  • 高精度PID温度制御:本装置には30区画のプログラマブルコントローラーが搭載されており、PID(比例積分微分)ロジックを活用して±1℃の温度精度を維持します。この高水準の制御は、繊細な材料合成に必要な昇温速度とソーク時間を管理するために不可欠です。
  • 高性能加熱エレメント:本炉はモリブデン(Mo)でドープされたFe-Cr-Al合金加熱エレメントを使用しています。この特定の冶金組成は、優れた耐酸化性と耐熱疲労性を提供し、1200℃までの長い耐用年数と急速加熱性能を保証します。
  • 柔軟な雰囲気・真空制御:KF25真空ポートと1/4インチバーブフィッティングを標準装備しており、機械ポンプを使用して10-2Torrまでの真空レベルを達成できます。これにより、不活性ガスまたは特定の真空圧力下での処理が可能となり、高温サイクル中の酸化を防止するために重要です。
  • 特殊な断熱構造:管状炉には2つの繊維質セラミックチューブブロックが組み込まれており、チャンバー端部からの熱放射を効果的に遮断します。この設計により真空フランジを保護し、管中央部に安定した均一な恒温ゾーンを確保します。
  • 堅牢な石英部品:本システムには高純度石英管とるつぼが付属しており、優れた耐熱衝撃性と化学純度を提供するため、1200℃までの処理中に試料に不純物が混入することはありません。
  • 包括的な安全システム:過熱条件および熱電対故障に対する保護モジュールが標準で内蔵されています。パラメータがプログラムされた安全範囲から逸脱した場合、自動的に電源を切断し、装置の損傷を防止して研究室の安全を確保します。

用途

用途 説明 主な利点
物理気相成長(PVD) 真空環境下での基板上への材料の制御された昇華 加熱ゾーンに対する原料の正確な位置決めにより、均一な蒸気圧を確保
半導体ドーピング 制御されたガスフロー下での高温でのシリコンウェーハへのドーパント拡散 高精度PID制御により、ウェーハ表面全体で均一なドーパント分布を維持
材料昇華研究 特殊合金および化合物が気体に遷移する際の相変化の分析 NIST認証済みフィードスルーによる試料温度のリアルタイムモニタリングで実験データを取得可能
薄膜成長(DVD) 内部スライド機構を使用した二元源気相成長プロトコルの管理 熱場内で基板を移動させることで、多層膜または傾斜薄膜の作製が可能
先進セラミックの焼鈍 セラミック部品の高温応力除去と結晶粒径構造の調整 30区画プログラマブルコントローラーにより、複雑な冷却曲線を実現し、割れを防止
触媒合成 不活性または還元性雰囲気下での触媒粉末の熱処理 気密フランジとガス供給ポートにより、化学環境を正確に制御可能
冶金相研究 急速焼入れまたは制御冷却中の金属の遷移点の研究 試料を高温ゾーンから迅速に取り出すことができ、焼入れ実験を容易にする

技術仕様

パラメータ TU-RT15 の仕様詳細
モデル番号 TU-RT15
最高温度 1200°C(1時間未満)
連続使用温度 1100°C
加熱ゾーン長さ 8インチ (200mm) シングルゾーン
恒温ゾーン 2.3インチ (60mm) [1000℃にて±1℃]
温度精度 ±1°C
昇温速度 ≤ 20°C / 分
加熱エレメント Moドープ Fe-Cr-Al合金
温度コントローラー PID自動制御、30ステッププログラム可能、NIST認証済みモニター
管寸法 外径50mm × 内径44mm × 長さ1000mm(石英製)
真空度 10-2 Torr(機械ポンプ使用時)
真空フランジ 2インチ フランジ(KF25ポート + 1/4インチバーブフィッティング付き)
試料ホルダー アルミナフラット試料ホルダー(長さ2インチ × 幅1インチ・K型熱電対付き)
入力電圧 110VAC または 208-240VAC、50/60Hz
総電力 1.5 KW
認証 CE認証済み(NRTL/CSA認証はオプション)

当社を選ぶ理由

  • 精密堆積向けに設計された設計:磁気スライド機構は薄膜研究における推測を排除し、複数回の実験にわたって熱環境を正確に再現できる特殊なツールです。
  • 妥協のない製品品質:Moドープ加熱エレメントから高純度アルミナ試料ホルダーまで、すべてのコンポーネントは劣化することなく産業研究の厳しさに耐えられるものを選定しています。
  • 検証済みのデータ完全性:NIST認証済みモニタリングを標準搭載しているため、査読付き研究や産業品質管理に必要なトレース可能なデータ精度を提供します。
  • モジュール式でカスタマイズ可能:本システムは研究ニーズに合わせて拡張できる設計で、PCベースの制御モジュール、多チャネルガス供給システム、さまざまな真空構成に対応しています。
  • 優れた熱効率:高熱伝導性アルミナと繊維質セラミック断熱材によりエネルギー損失を最小限に抑え、必要な場所に正確に熱を集中させ、敏感な外部部品を保護します。

当社のエンジニアリングチームは、お客様固有の堆積または昇華要件に合わせて最適な熱ソリューションを構成するお手伝いをいたします。本先進スライド式管状炉システムについて、技術相談または正式な見積もりをご希望の場合は、今すぐお問い合わせください。

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