高温1700℃管状炉(4インチ外径アルミナ管および真空シールフランジ付き)

管状炉

高温1700℃管状炉(4インチ外径アルミナ管および真空シールフランジ付き)

商品番号: TU-73

最高使用温度: 1700 °C 加熱管材質: 99.8% 高純度アルミナ (4インチ 外径) 温度制御精度: ± 1 °C (PIDプログラム制御)
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製品概要

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この高温卓上炉システムは、最大1700℃までの極限熱処理を必要とする材料科学および化学研究室向けに、多用途かつ堅牢なソリューションを提供します。精度と安定性を重視して設計されており、高真空や不活性ガス環境など、さまざまな雰囲気下での先端材料サンプルの焼結を容易にします。コンパクトな設置面積と高性能な加熱プロファイルにより、セラミックス、冶金、半導体開発に注力する機関や産業用研究開発センターにとって不可欠なツールとなります。

本システムの主な用途は、雰囲気の純度が重要となる精密制御された熱処理です。高純度アルミナ処理管と洗練されたシールアセンブリを統合することで、相変態、結晶成長、化学気相成長(CVD)プロセスの研究を可能にします。炉の構造は急速な熱サイクルと長期的な温度維持に最適化されており、要求の厳しい実験プロトコルを再現性のある精度で実行できます。

信頼性は、この熱処理ユニットの設計の中核です。高度な空冷技術を備えた二重層鋼製ケーシングを採用しており、ピーク動作時でも安全な表面温度を維持します。1800グレードの二ケイ化モリブデン(MoSi2)発熱体の統合により、高温負荷下でも長寿命と安定した性能を保証します。調達チームは、本システムの産業グレードのコンポーネントと、継続的な高温科学研究の厳しさに耐えうる能力を信頼していただけます。

主な特徴

  • 高度な1800グレードMoSi2発熱体: 本炉は、システムの動作限界を超える温度に耐えられる8本の高性能二ケイ化モリブデン発熱体を使用しており、1700℃サイクルにおいて大きな安全マージンとコンポーネントの長寿命化を保証します。
  • 精密アルミナ耐火チャンバー: 内部加熱ゾーンは高純度アルミナ繊維断熱材で裏打ちされており、熱損失を最小限に抑え、熱均一性を向上させ、処理中の敏感なサンプルの汚染を防ぎます。
  • アクティブ冷却付き二重層ケーシング: 統合された冷却ファンを備えた頑丈な鋼製外殻により、外部表面温度を60℃以下に保ち、研究室のスタッフや周辺機器を保護すると同時に、内部電子機器の寿命を延ばします。
  • 洗練されたPID温度制御: ±1℃の精度を提供するプログラム可能なデジタルコントローラーを搭載しています。ユーザーは、位相角制御SCR電力制御によりサポートされる複雑な昇温、保持、冷却プロトコルのために最大30のプロセスセグメントを設定できます。
  • 統合真空シールフランジキット: KF25真空ポートと1/4インチガスパイプアダプターを備えた完全なステンレス鋼製シールアセンブリが含まれており、真空、不活性ガス、周囲雰囲気の間の即時切り替えが可能です。
  • 安全監視および過熱保護: 内蔵の過熱アラームと自動遮断メカニズムにより、無人運転が可能となり、長時間の焼結やアニールプロセス中でも安心を提供します。
  • 米国製高純度アルミナ管: 100mm外径バリエーションでは、極限の熱下での優れた耐熱衝撃性と化学的不活性を実現するために設計された、耐薬品性アルミナ管を採用しています。
  • 多用途な雰囲気制御: 2つのステンレス鋼製ニードルバルブとダイヤル式真空計を利用することで、ガス入力と真空レベルを細かく制御でき、敏感な化学気相成長(CVD)ワークフローに不可欠です。
  • 位相角制御SCR技術: 標準的なソリッドステートリレーとは異なり、シリコン制御整流器(SCR)電力制御は発熱体へのよりスムーズな電力供給を実現し、熱ストレスを軽減して温度精度を高めます。
  • スケーラブルなデジタル通信: RS485通信ポートを装備しており、PCベースの監視とデータロギングが可能で、厳格な品質管理コンプライアンスと実験文書化を促進します。

用途

用途 説明 主な利点
先端セラミックス焼結 最大1700℃の温度でセラミック粉末を緻密な物体に固化。 高い熱均一性により、一貫した材料密度と機械的特性を確保。
粉末冶金 酸化を防ぐため、真空または不活性雰囲気下で金属粉末や合金を焼結。 精密な雰囲気制御により、金属マトリックスの純度を維持。
結晶成長 光学および電子機器用の単結晶の合成と成長のための制御された温度勾配。 安定した温度保持により、成長中の結晶内の内部応力を最小化。
化学気相成長(CVD) 気体化学反応を通じて基板上に薄膜を堆積。 ガス混合ステーションおよび真空ポンプとのシームレスな統合。
アニールおよび応力除去 半導体ウェハーや金属サンプルの熱処理による物理的特性の変更。 プログラム可能な冷却速度により、熱衝撃やマイクロクラックを防止。
触媒試験 高温流動条件下での触媒の熱安定性と効率の評価。 アルミナ管の堅牢な耐食性が、多様な化学蒸気を処理。
電池材料研究 特定の雰囲気下での焼成を必要とする正極および負極材料の合成。 比較研究のための信頼性の高い再現性。

技術仕様

炉の主要パラメータ(アイテム:TU-73)

パラメータ 仕様詳細
加熱ゾーン長 457 mm (18インチ)
均熱ゾーン 150 mm (6インチ)
最高使用温度 1700 ºC (1時間未満)
連続使用温度 800 ºC ~ 1600 ºC
昇温/冷却速度 最大 10 ºC/分
温度精度 ± 1 ºC (プレミアムコントローラー使用時はオプションで ± 0.1ºC)
定格電力 最大 7 kW
入力電圧 単相、220V AC、50/60 Hz (40Aブレーカーが必要)
発熱体 8本 スーパー1800ºCグレード MoSi2 (30 x 330 mm)
熱電対タイプ Bタイプ熱電対

処理管およびシール(TU-73バリエーション)

コンポーネント 仕様詳細
管材質 99.8% 高純度 Al2O3 セラミック (米国製)
標準管寸法 101 mm 外径 × 92 mm 内径 × 1200 mm 長
オプション管径 60 mm 外径、80 mm 外径
真空シール ステンレス製フランジ付き二重シリコン高温Oリング
フィッティングポート 1/4インチバーブ継手 (オプションでSwagelokまたはKF25)
真空度 (メカニカル) 標準メカニカルポンプで50 mtorr到達可能
真空度 (ターボ) 分子ポンプステーションで10^-5 torr到達可能
最大内部圧力 < 0.02 MPa (絶対圧)

コントローラーおよび安全コンプライアンス

機能 詳細
標準コントローラー 30プログラムセグメント付きPID自動制御
SCRインターフェース 高精度電力変調のための位相角制御SCR
オプションコントローラー Eurotherm 3000シリーズ (1プログラム、24セグメント)
通信 RS485ポート (PC制御モジュールはオプション)
構造 二重空冷ファン付き二重層鋼製ケーシング
冷却制限 動作中のケース温度は < 60 ºC を維持
コンプライアンス CE認証取得済み (ご要望によりNRTL/CSA対応可能)

高温1700℃管状炉を選ぶ理由

  • 比類なき熱精度: スーパー1800ºCグレードのMoSi2発熱体と位相角制御SCRを採用することで、業界基準を超える温度安定性を実現し、熱変動による研究成果への影響を排除します。
  • 堅牢な真空工学: 多くの標準的な管状炉とは異なり、当社のシールアセンブリは二重シリコンOリングとニードルバルブを標準装備しており、高真空や厳密に制御された雰囲気下での研究にターンキーソリューションを提供します。
  • 強化された運用安全性: アクティブ冷却ファン、二重壁ケーシング、内蔵の過熱アラームの組み合わせにより、安全な研究室環境を作り出し、他の分析活動と並行して高温プロセスを実行できます。
  • 優れた材料の完全性: 99.8%の高純度アルミナ管と耐火チャンバーを使用しており、1700℃でサンプルに汚染物質が溶け出さないことを保証します。これは高純度化学および半導体研究において不可欠な要件です。
  • モジュール式で拡張可能な設計: PC制御統合、マスフローメーターガスステーション、高真空ターボポンプユニットなどのオプションにより、本装置は研究ニーズに合わせて進化し、長期的な設備投資を保護します。

当社のエンジニアリングチームは、カスタムフランジ構成や特殊な制御ソフトウェアの統合など、お客様の特定のプロセス要件についてご相談に応じます。研究室のアップグレードに関する技術相談や正式な見積もりについては、今すぐお問い合わせください。

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