1200°C対応 スライド式チューブ炉(外径80mm石英管、真空フランジ付、急速熱処理・高速昇降温用)

RTP炉

1200°C対応 スライド式チューブ炉(外径80mm石英管、真空フランジ付、急速熱処理・高速昇降温用)

商品番号: TU-KT08

最高動作温度: 1200°C 昇温・降温速度: 最大100°C/分(スライド機構による) 処理管寸法: 外径80mm x 内径75mm x 全長1400mm
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製品概要

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この高性能熱処理システムは、急速な昇温・降温サイクルを必要とする研究室や産業施設向けに設計されています。特殊なスライド機構と精密制御された加熱チャンバーを統合することで、固定式の炉では不可能な熱勾配や急冷速度を実現します。本装置の最大の価値は、従来の専用RTP(急速熱処理)システムよりも低コストでRTPを実現できる点にあり、材料科学の革新やハイスループットなサンプル試験に不可欠なツールとなります。

本システムは、主に先端材料研究、半導体プロセス、相変態研究向けに設計されています。加熱ゾーンを固定された処理管に沿って手動で移動できるため、サンプルの位置とは無関係に炉を予熱でき、高温への瞬時の曝露が可能です。半導体ウェハーのアニール、薄膜堆積、低次元ナノ材料の合成など、材料特性を左右する熱履歴の精密な制御が求められるプロセスで頻繁に使用されています。

過酷なR&D環境に耐えうる堅牢な二重鋼構造と、統合されたデュアル冷却ファンを備えています。この設計により、内部コンポーネントが最高効率で動作する一方で、外装は安全に触れられる温度に保たれます。高純度石英部品と高度なモリブデン添加合金ヒーターにより信頼性がさらに高められており、繰り返しの高速スライド操作下でも安定した熱環境を提供します。最先端の熱処理や金属組織分析に取り組む機関にとって、長期的な投資価値のある装置です。

主な特徴

  • 高速スライド機構: 精密設計されたクロムメッキ鋼製スライドレール上に設置されており、合計600mmの移動が可能です。この手動スライド機能により、予熱された炉をサンプル上に移動させたり、サンプルから離したりすることで、特定の雰囲気条件下で毎分最大100°C、または毎秒最大15°Cの昇降温速度を実現します。
  • 高度なPID温度制御: 30セグメントのプログラムが可能な高度なPID自動コントローラーを採用しています。制御精度は±1°Cで、再現性の高い熱プロファイルを実現します。過熱アラームや自動保護プロトコルを内蔵しており、長時間のサイクルでも無人運転が可能です。
  • デュアル熱電対モニタリング: データの完全性を確保するため、2本のK型熱電対を搭載しています。1本は炉の制御用、もう1本はチューブ内に直接挿入し、サンプルのリアルタイム温度プロファイルを監視します。これは、急速スライド操作中の正確な熱曝露を記録するために不可欠です。
  • 高品質石英処理管: 外径80mm、長さ1400mmの高純度溶融石英管を使用しています。優れた耐熱衝撃性と化学的純度を備えており、デリケートな材料や特殊なガス環境を扱うプロセスに最適です。
  • 優れた真空・雰囲気制御: ステンレス製真空フランジとデジタル真空計を装備しており、直ちに真空または不活性ガス環境で使用可能です。フランジは頑丈なマウントで支えられており、スライド動作中の安定性を確保します。また、統合されたニードルバルブにより精密な雰囲気管理が可能です。
  • 強化されたヒーター化学組成: ヒーターはモリブデン(Mo)を添加したFe-Cr-Al合金製です。この高度なドーピングにより、高温下での構造的完全性が向上し、たわみを防ぎ、頻繁な急速加熱サイクル下でも長寿命を実現します。
  • データロギングとPC接続: 全ユニットにNIST認定温度計とPC制御モジュールが付属しています。RS485インターフェースと付属のWindowsソフトウェアにより、温度プロファイルの記録、分析、エクスポートが可能で、機密性の高い実験データの完全なトレーサビリティを保証します。
  • 二重層安全構造: 炉体は二重シェル鋼構造を採用し、デュアル空冷ファンを内蔵しています。この設計により、電子部品からの放熱を促進し、1100°Cでの連続運転時でも外表面を安全な温度に保ちます。

アプリケーション

アプリケーション 説明 主なメリット
急速熱処理 (RTP) スライド機構を利用し、設定温度に達した炉をサンプル上に移動させる。 熱収支を最小限に抑え、半導体サンプル内の不要な拡散を防ぐ。
相変態研究 加熱ゾーンを素早く移動させ、高温から室温へ急冷する。 準安定相を捕捉し、冶金学における急冷速度論の研究を可能にする。
化学気相成長 (CVD) 熱ゾーンとガス流量の精密制御による薄膜やナノ構造の成長。 高純度石英と真空シールにより、高品質で汚染のない成長環境を確保。
半導体アニール シリコンウェハーや化合物半導体の高速熱サイクルによるドーパント活性化。 スループットを向上させ、恒温ゾーン全体で均一な熱分布を確保。
触媒試験 触媒材料を急速な熱衝撃や多様なガス環境に曝露させる。 極限条件下での材料の耐久性と性能に関する高負荷試験が可能。
カーボンナノチューブ合成 制御されたガス流量と急激な温度スパイクを用いたCNT成長。 80mmのチューブ径により、一度に複数の基板やバルク粉末の処理が可能。
薄膜結晶化 アモルファス膜を急速加熱し、基板を劣化させることなく結晶化を誘発。 高い昇温速度(15°C/秒)により、繊細な基板材料を保護。

技術仕様

仕様項目 パラメータ詳細 (モデル: TU-KT08)
モデル番号 TU-KT08
炉構造 二重鋼構造、デュアル空冷ファン付、1200mmスライドレール上で手動移動可能
スライド距離 有効移動距離 600 mm
最高温度 1200°C(1時間未満)
常用温度 1100°C
加熱ゾーン長 440 mm(シングルゾーン)
均熱ゾーン 150 mm(±3°C @ 1000°C)
電力 / 電圧 2.5 KW; AC 208-240V 単相, 50/60 Hz
ヒーター モリブデン添加Fe-Cr-Al合金
処理管 高純度溶融石英; 外径: 80 mm; 内径: 75 mm; 長さ: 1400 mm
温度コントローラー PID自動制御, 30プログラムセグメント, 精度±1°C
熱電対 デュアルK型(1本は炉制御用、1本はサンプル監視用)
データインターフェース RS485インターフェース(WindowsソフトウェアおよびNIST認定温度計付)
真空フランジ ステンレス製、高耐久サポート付、ニードルバルブおよびデジタル真空計を含む
最大昇温速度 15°C/秒 (RT-150°C); 10°C/秒 (150-250°C); 7°C/秒 (250-350°C); 4°C/秒 (350-500°C)
最大降温速度 15°C/秒 (1000-950°C); 10°C/秒 (950-900°C); 7°C/秒 (900-850°C); 4°C/秒 (850-750°C)
真空度 10E-4 torr (分子ポンプ使用時); 10E-2 torr (メカニカルポンプ使用時)
雰囲気安全基準 < 0.2 bar / 3 psi / 0.02 MPa (ガス流量 < 200 SCCM 推奨)

本製品を選ぶ理由

  • 比類なき熱的俊敏性: 精密な手動スライド機構と高出力ヒーターにより、標準的な長時間熱処理と超高速熱処理の両方を柔軟に実行できます。
  • 包括的な文書化能力: 標準的な実験炉とは異なり、デュアル熱電対モニタリングとNIST認定データロギングを備えており、すべての熱サイクルを論文発表や産業品質管理要件のために記録可能です。
  • 堅牢なエンジニアリングと安全性: 低い表面温度を維持する二重鋼シェルから、スライド中の石英管を保護する高耐久フランジサポートまで、すべてのコンポーネントが産業グレードの耐久性とオペレーターの安全性を考慮して設計されています。
  • 真空対応ソリューション: 高品質ステンレス製フランジ、デジタル真空計、必要なすべての継手が付属しており、設置後すぐに高真空および不活性ガス実験を開始できます。
  • 汎用性と拡張性のある設計: 外径80mmのチューブにより、多様なサンプルサイズやボート構成に対応しており、冶金学から半導体薄膜まで、幅広い研究分野に適しています。

当社のエンジニアリングチームが、お客様の特定の材料研究ニーズに最適な熱構成の選択をサポートいたします。本高性能スライド炉システムに関する技術相談や正式な見積もりについては、今すぐお問い合わせください。

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