製品概要

この高精度熱処理システムは、先端材料科学研究向けに設計されており、特に直接蒸着堆積(DVD)および高速熱処理(RTP)の複雑な要件に対応しています。手動式磁気サンプルスライド機構を統合することで、プロセスの真空または雰囲気の完全性を損なうことなく、加熱ゾーン内でサンプルの正確な位置決めを可能にします。この機能は、遷移温度相を極めて高い精度で制御する必要がある2次元材料、薄膜堆積、熱アニーリングの研究に携わる研究者にとって不可欠です。
本装置は最高1200℃までの動作に対応し、高温合成および産業研究開発のための堅牢なプラットフォームを提供します。コンパクトな2インチチューブ設計により、限られた設置面積で高性能を必要とする実験室環境に最適です。対象産業としては半導体製造、ナノテクノロジー、先端セラミックスなどがあり、安定した温度勾配に対するサンプル位置の操作能力が、再現性のある実験結果を得るための重要な要素となっています。
産業グレードのコンポーネントを使用し、長期信頼性を重視して設計された本ユニットは、過酷な条件下でも安定した性能を発揮します。高導電性アルミナサンプルホルダー、NIST認証温度モニター、高度なPID制御システムの組み合わせにより、繊細な材料成長作業においてもオペレーターの信頼に応えます。制御雰囲気下または高真空環境下での合成に使用される場合でも、本システムは最新の材料特性評価および生産ワークフローに必要な熱安定性と機械的精度を提供します。
主な特長
- 革新的な磁気式サンプル移動機構: 本システムは外部磁石によって駆動される内部移動機構を採用し、加熱ゾーン全体でサンプルホルダーを滑らかに移動させることができます。これにより、真空シールを破ることなく、堆積速度および熱暴露の正確な制御が可能になります。
- 高導電性アルミナ製サンプルホルダー: 本装置には最適な熱接触を実現する平面サンプルホルダーが搭載されており、一体型K型熱電対で監視される温度が、高い忠実度でサンプルの実際の状態を反映するよう設計されています。
- NIST認証による高精度監視: 各ユニットには専用の真空フィードスルーを介して接続されたNIST認証の高精度温度モニターが標準搭載されており、ミッションクリティカルな研究やコンプライアンス要求に対して追加の検証レイヤーを提供します。
- 高度な30区画プログラム可能PID制御: 温度コントローラーは昇温、保持、降温サイクルを含む複雑な温度プロファイルの設定に対応しており、過昇温防止や熱電対故障保護機能を標準搭載し、装置の安全を確保します。
- デュアルゾーン対応の雰囲気自由度: 真空または低圧雰囲気下での動作に対応した設計により、各種ガスとの互換性を持ち、CVD、DVDをはじめとする化学気相プロセスに汎用的に対応します。
- 堅牢な発熱体構成: モリブデンドープ処理された高品質Fe-Cr-Al合金を発熱体に採用し、高温での長寿命化と高速応答性を実現し、最高1200℃の温度を維持します。
- 最適化された断熱構造: 高純度繊維質セラミックチューブブロックを使用することで真空フランジへの熱放射を最小限に抑え、シールを保護すると同時に、作業ゾーン内の安定した温度プロファイルを確保します。
- モジュール式真空統合: 標準KF25真空ポートと1/4インチバーブ継手により、メカニカルポンプまたはターボポンプへの迅速な接続が可能で、急速な排気と清浄なプロセス環境を実現します。
用途
| 用途 | 説明 | 主なメリット |
|---|---|---|
| 2次元材料成長 | 制御された蒸着堆積によるグラフェン、MoS2、その他の遷移金属ジカルコゲナイドの合成 | 正確なサンプル移動により、特定の核形成速度および成長速度を実現可能 |
| 高速熱処理 | ドーパントの活性化または膜特性の変更のために、半導体ウェーハに急速な加熱冷却サイクルを実施 | 磁気駆動スライド機構により、高温ゾーンと低温ゾーンの間を迅速に移行可能 |
| 直接蒸着堆積 | 固体前駆体を高温で気化させ、より低温の勾配に配置された基板に堆積 | 温度勾配内での正確なサンプル位置決めにより、膜品質を最適化 |
| 薄膜アニーリング | 結晶性および電気特性を向上させるための薄膜の堆積後熱処理 | 安定したPID制御により、基板全体で均一な結晶構造を確保 |
| 触媒研究 | 多様なガス雰囲気および高温条件下での触媒材料の試験および活性化 | 高真空および雰囲気制御により、清浄で再現性のある反応環境を実現 |
| セラミック焼結 | 小規模セラミック部品または粉末の高温処理 | 安定した1200℃対応能力により、緻密な材料形成に必要な熱を供給 |
技術仕様
| 仕様カテゴリ | パラメータ詳細 (TU-RT02) |
|---|---|
| モデル識別子 | TU-RT02 |
| 電源 | 110VAC または 208-240 VAC、50/60Hz (1.5 KW) |
| 最高温度 | 1200℃(1時間未満の連続運転) |
| 連続使用可能温度 | 1100℃ |
| 昇温速度 | ≤ 20℃/分 |
| 加熱ゾーン長 | 8インチ (200mm) シングルゾーン |
| 恒温ゾーン | 2.3インチ (60mm) / 1000℃時に±1℃以内 |
| 温度コントローラ | PID自動制御、30ステッププログラム可能、SSR駆動 |
| 温度精度 | ± 1℃ |
| 発熱体 | モリブデンドープ Fe-Cr-Al合金 |
| 処理チューブ | 高純度石英; 外径50mm × 内径44mm × 長さ1000mm |
| サンプルホルダー | アルミナ平面ホルダー(長さ2インチ × 幅1インチ)K型熱電対付き |
| 移動機構 | 磁気式手動スライド機構 内部/外部磁気結合 |
| 真空フランジ | 2インチステンレス鋼 KF25ポート、1/4インチバーブ継手、1/4インチフィードスルー付き |
| 真空度 | 標準メカニカルポンプ使用時 10^-2 torr |
| 認証 | CE認証取得済(NRTL/CSA認証は別途リクエストに応じて提供可能) |
| 寸法 & 安全性 | 過昇温保護機能および熱電対故障警報を標準搭載 |
当社を選ぶ理由
本熱処理システムに投資することで、お客様の施設は最新のナノテクノロジーおよび材料合成の過酷な要件に対応したツールを備えることになります。内部移動機構の最大の利点は、サンプル移動の際に真空を破る必要がないことで、これにより実験のスループットが飛躍的に向上し、サンプルの汚染を防止することができます。当社のエンジニアリングチームは熱の精度を最優先し、NIST認証コンポーネントを使用することで、収集されるデータが正確かつ出版に適したものであることを保証しています。
技術仕様を超えて、本炉は長寿命を実現するよう設計されています。高品質石英、モリブデンドープ合金素子、堅牢なステンレス鋼フランジの組み合わせにより、長年の連続運転後も性能を維持することが保証されています。さらに、真空およびガス供給ポートのモジュール性により、多チャンネルガスミキサーやPCベースの高度な制御モジュールを追加する場合でも、将来的な拡張性に対応しています。本装置を選ぶことは、技術的卓越性へのコミットメントと迅速なカスタマーサポートを背景とした、研究におけるパートナーを選ぶことを意味します。
包括的な見積もり、またはお客様の特定のプロセス要件に合わせたカスタムソリューションについては、今日当社のテクニカルセールスチームまでお問い合わせください。
引用を要求
弊社の専門チームが 1 営業日以内にご返信いたします。 お気軽にお問い合わせ下さい!
関連製品
制御雰囲気下での薄膜堆積および材料昇華研究向け 1200℃ スライド式内部るつぼ管状炉
この1200℃スライド式管状炉は、制御雰囲気下での正確な試料位置決めのための自動内部るつぼ機構を備えています。PVDやDVD用途に最適化されており、先端材料研究ラボにおいて優れた膜成長の均一性と熱処理効率を実現します。
1200°C対応 スライド式チューブ炉(外径80mm石英管、真空フランジ付、急速熱処理・高速昇降温用)
最高温度1200°Cのスライド式チューブ炉で、急速熱処理を実現します。外径80mmの石英管と手動スライド機構を備え、毎分最大100°Cの昇降温速度により、先端材料研究や産業用R&Dに最適です。
1200℃ 高温 5インチ スライディングチューブ炉(RTP・ウェハーアニール用)
材料研究を加速させる、急速熱処理(RTP)対応の1200℃スライディングチューブ炉です。5インチ石英管とデュアルPIDコントローラーを搭載し、先端半導体アプリケーション向けに精密な加熱・冷却レートを実現します。
1200°C スライディングチューブ炉(外径100mm対応、急速熱処理およびCVDグラフェン成長用)
急速熱処理(RTP)およびCVD用途向けに設計された1200°Cスライディングチューブ炉で、研究を加速させましょう。高精度PLC制御と電動スライドレールを備え、先端材料科学や産業用R&Dラボにおける超高速加熱・冷却サイクルを実現します。
CVDシステム向け スライドフランジ搭載 1200℃高温 4インチチューブ炉
この1200℃高温4インチチューブ炉は、迅速なサンプルローディングと高真空適合性を実現するスライド式フランジを搭載しています。精密CVDプロセスおよび先端材料研究向けに設計されており、要求の厳しい実験環境下で極めて信頼性の高い性能を提供します。
2次元材料成長およびTCVD合成用 1200℃デュアル温度ゾーンスライド式チューブ炉
超高速冷却を可能にするスライド式加熱ゾーン、独立したPID温度制御、高純度石英処理環境を備えたこの1200℃デュアル炉システムにより、高度な2次元材料合成を最適化します。精密な熱化学気相成長(TCVD)および研究開発向けに設計されています。
CVD用 50mmチューブフランジ付き 1200℃対応デュアルスライド式チューブ炉
この1200℃デュアルスライド式チューブ炉は、高精度CVDプロセス専用に設計された50mm石英チューブフランジを備えています。スライド機構による急速加熱・冷却で産業用R&Dを加速させ、優れた材料合成、一貫した結果、そして最高レベルの薄膜堆積性能を実現します。
1200℃ 5面加熱式引戸付きマッフル炉 125L 大容量高温熱処理システム 大規模焼結・焼鈍用途
5面加熱と急速冷却引戸を搭載した1200℃ 125Lマッフル炉で、大容量材料処理を最適化します。優れた温度均一性と産業用信頼性を実現するよう設計されたこの先進システムは、要求の厳しい研究開発ラボにおける高精度な焼結と焼鈍を保証します。
急速熱処理・真空管式ハイブリッド機能搭載 1200℃高温縦型スライディング炉
急速熱処理機能を備えたこの1200℃縦型スライディング炉で、研究効率を最大化できます。このハイブリッドシステムは箱型炉と真空管式炉の両方の機能を提供し、高度な材料科学用途に向けた正確な温度制御と超高速の加熱・冷却を実現します。
PECVDプロセス用デュアルチューブ・フランジ付き1200Cデュアルスライド式チューブ炉
精密なPECVDプロセス向けに設計されたこの1200Cデュアルスライド式チューブ炉で、材料研究を加速させましょう。高出力RFプラズマジェネレーターと急速熱処理(RTP)機能を備え、高度な産業用R&Dアプリケーションにおいて、卓越した膜の均一性と一貫した結果を提供します。
HPCVDおよび結晶成長研究用内部移動機構付き1200℃高温スプリットチューブ炉
この1200℃スプリットチューブ炉は、HPCVDおよび結晶成長中の精密なサンプル位置決めを可能にする統合型内部移動機構を備えています。急速熱処理用に設計されており、先端材料科学研究に求められる優れた温度均一性と真空安定性を提供します。
研究用 1200℃ 高温分割型チューブ炉(ヒンジ式真空フランジ・4インチ石英管付)
この1200℃分割型チューブ炉は、ヒンジ式真空フランジと4インチ石英管を備え、サンプルのセットアップを簡素化します。精密な熱処理のために設計されており、先端材料科学や産業用R&D用途において、優れた温度均一性と真空性能を提供します。
材料研究用 1200℃ ハイブリッドマッフル・管状炉(デュアル雰囲気制御石英管付き)
7.2Lのマッフルチャンバーと、真空または不活性雰囲気処理が可能な2インチ石英管を2本備えた、高性能1200℃ハイブリッド炉で材料研究を加速させます。産業用R&D用途に最適な精密な温度制御と優れた熱効率を提供します。
1200°C 雰囲気制御式自動ボトムローディング炉(6インチ石英管付き)
6インチ石英管とデュアルゾーン加熱を備えた、高度な1200°C雰囲気制御式自動ボトムローディング炉です。一貫した精度と完全な自動化統合機能を必要とする研究開発ラボでの材料研究や産業用熱処理アプリケーションに最適です。
高速加熱・冷却対応 自動スライド式管状炉 外径2インチ 1100℃対応
この高性能な自動スライド式管状炉で材料研究を最適化します。毎分100℃の超高速加熱・冷却を実現するこの1100℃対応システムは、半導体、ナノテクノロジー、および急速熱サイクルを必要とする産業用R&Dアプリケーションにおいて、精密な熱処理を保証します。
急速IR加熱と4インチ外径石英管を備えた900℃最大スライド式RTPチューブ炉
この900°Cスライド式RTPチューブ炉は、急速IR加熱、50°C/sの昇温速度、自動冷却機能を備え、グラフェン成長、CNT合成、真空または大気条件下での先進的な半導体ウェハーアニーリングにおける研究開発効率を最大化します。
1100℃材料研究用 高磁場対応チューブ炉(雰囲気制御・水冷非磁性筐体仕様)
二重螺旋加熱エレメントと非磁性SS316水冷筐体を備えた、1100℃対応のチューブ炉です。不活性雰囲気下での高度な材料特性研究や高性能な実験用途向けに設計されており、超高磁場環境下での精密な熱処理を実現します。
800°C 高磁場対応チューブ炉(内径100mm、外径190mm、不活性雰囲気研究用システム)
高磁場環境(>10T)に最適化された高性能800°Cチューブ炉。二重スパイラル巻線ヒーター、非磁性SS316構造、±0.1°Cの精密制御を備え、実験室での過酷な磁気条件下における高度な材料研究をサポートします。
材料アニール用3層真空ジャケット・非磁性SS316L製高磁場対応チューブ炉
高磁場環境向けに設計されたこの300°C対応チューブ炉は、磁気透過率ゼロのSS316Lステンレス鋼構造を採用しています。3層真空ジャケットにより、超伝導磁石内での安定したアニール処理を実現し、外部温度を低く保ちながら高度な材料研究に必要な精密な熱制御を可能にします。
8インチ加熱ゾーンとプログラマブルコントローラーを備えた1250Cコンパクト分割型チューブ炉
この1250Cコンパクト分割型チューブ炉は、精密な30セグメントプログラマブルコントローラーと8インチ加熱ゾーンを備え、厳しい実験室や産業研究開発環境、科学的パイロット研究において、高精度でエネルギー効率の良い熱処理を実現し、先進材料研究を最適化します。