製品概要


この高精度熱処理システムは、強磁場環境下での材料アニール用途に特化して設計されています。磁気透過率がほぼゼロの特殊な構造材料を使用することで、超伝導強磁場磁石の内部で熱処理を行っても、磁束の歪みや磁気吸引による機械的応力を発生させません。本装置は、量子材料、超伝導、先端磁気学の研究者にとって不可欠なツールです。
本システムは、加熱エレメントコア、専用サンプルチャンバー、真空/ガス絶縁冷却ジャケットを統合した高度な3層構造を採用しています。この構成により、高温動作を維持しつつ炉の外面を安全な温度に保ち、周囲の超伝導磁石コンポーネントへの熱干渉を防ぎます。極限の電磁条件下で精密な熱制御を必要とする研究室や産業用R&D施設にとって最適なソリューションです。
長期的な信頼性と一貫性を追求し、構造部品には高品質なSS316Lステンレス鋼を、加熱エレメントには先進的な炭化ケイ素(SiC)を採用しています。これらの選択は、過酷な真空および高温サイクル下での耐久性と性能へのこだわりを反映しています。磁気干渉や熱漏れが問題となる繊細な実験セットアップにおいても、本装置は再現性の高い結果を提供します。
主な特長
- 非磁性SS316L構造: 炉体全体に磁気透過率が無視できるほど低い高品質なSS316Lステンレス鋼を使用。強磁場磁石内に直接配置しても、磁場の歪みや変位を引き起こしません。
- 3層熱管理: 独自の3層チューブ構造を採用。内部のSiCフィラメントが熱源となり、中間の石英層がサンプルを保持し、外側のガス冷却ジャケットが外壁温度を30ºC以下に保ち、外部センサーや超伝導磁石を保護します。
- 高効率炭化ケイ素(SiC)加熱: 中心スパイラル型のSiCフィラメントにより、コアゾーンで迅速かつ均一な加熱を実現。高温での安定性と真空ジャケット環境下での有効な動作能力により選定されています。
- 精密PID温度制御: 30セグメントのプログラムが可能な高度な自動PIDコントローラーを搭載。オートチューニング機能と±1ºCの精度により、厳密に制御された条件下での繊細な材料変態を可能にします。
- 統合型安全保護: 熱電対の故障や過熱に対する保護機能を内蔵。装置の完全性とサンプルの安全性が最優先される長時間の熱処理プロセスにおいて不可欠です。
- 優れた真空性能: 高真空システムとの接続を想定しており、分子ポンプとの併用で10^-5 Torrまでの真空度に到達可能です。真空シールされたフランジにより、繊細な材料処理のための汚染のない環境を確保します。
- アクティブ冷却ジャケット: 外径90mmの特殊な外層がガス冷却式の熱バリアとして機能。磁石ボア内への熱放射を防ぎ、超伝導システムの極低温安定性を維持するために不可欠です。
- 柔軟なガスハンドリング: 標準でバーブホース継手を装備。KF25アダプターやSwagelok継手にアップグレードすることで、高純度ガス供給や高スループットの真空要件にも対応可能です。
用途
| 用途 | 説明 | 主なメリット |
|---|---|---|
| 超伝導磁石研究 | 強磁場磁石ボア内で直接サンプルをアニールし、その場(in-situ)で特性を研究。 | 超伝導磁場への磁気干渉がゼロ。 |
| 量子材料合成 | 量子ホール効果やトポロジカル絶縁体特性を示す材料の熱処理。 | 結晶成長や相転移のための精密な昇温制御。 |
| 磁性半導体ドーピング | 制御された雰囲気および強磁場下での希薄磁性半導体の処理。 | 高真空性能によりサンプルの酸化や汚染を防止。 |
| NMRサンプル準備 | 高分解能核磁気共鳴分光法のためのサンプル均質化。 | 均一な加熱ゾーンによりサンプル全体の均一性を確保。 |
| 極低温コンポーネント試験 | 極低温環境で使用されるコンポーネントの応力緩和熱サイクル。 | 低い外壁温度により周囲の極低温ハードウェアを保護。 |
| 薄膜アニール | 真空または不活性ガス中での薄膜の成膜後熱処理。 | 流量制御により石英管への熱衝撃を最小化。 |
技術仕様
| パラメータ | TU-C26の仕様 |
|---|---|
| モデル識別子 | TU-C26 |
| 炉構造 | 3層構造:加熱エレメント層、SiCシース層、サンプル層、外側ガス冷却ジャケット |
| コア加熱エレメント | 中心スパイラル型SiCフィラメント (外径25mm x 内径20mm x 長さ400mm) |
| 中間シース | 石英管 (内径30mm x 外径36mm x 長さ622mm) |
| サンプル層 | 内径36mm x 外径58mm x 長さ622mm (真空シールフランジ付き) |
| 冷却層 | 内径58mm x 外径90mm x 長さ622mm (外壁温度を30ºC未満に維持する設計) |
| 電源 | 208 - 240 VAC、単相、2000W |
| 最高温度 | 300 °C (1時間未満の保持) |
| 連続使用温度 | 250 °C |
| 最大昇温速度 | 10 °C / 分 |
| 加熱ゾーン長 | 1000 mm |
| 均熱ゾーン | 700 mm (±2 °C以内) |
| 温度コントローラー | PID自動制御、30セグメントプログラム可能、オートチューニング機能 |
| 温度精度 | ±1 °C |
| 熱電対タイプ | Kタイプ |
| 真空性能 | 50 mtorr (メカニカルポンプ使用時); 10^-5 torr (分子ポンプ使用時) |
| フランジ構成 | 中心管用1インチフランジおよび特殊3層フランジセットを含む |
| 標準ポート | 3/8インチバーブホース継手 (KF25またはSwagelokへアップグレード可能) |
| 規制準拠 | CE認証取得済み; すべての電気部品はUL/MET/CSA認証済み |
TU-C26が選ばれる理由
この専用チューブ炉を選択することは、強磁場研究というニッチな要件に特化したソリューションに投資することを意味します。磁性合金を使用したり、限られた磁石ボア用の十分な断熱性能を欠く標準的な炉とは異なり、本システムはSS316Lと3層ジャケットを用いてゼロから構築されています。これにより、研究環境の安定性が保たれ、磁石を低温に維持し、迷走磁場の影響を受けない信頼性の高いデータを取得できます。
本装置の優れたエンジニアリングは、その熱的精度と堅牢な真空性能に表れています。700mmの均熱ゾーンと高真空到達能力により、最も繊細な材料アニールプロセスに対して非常に安定したプラットフォームを提供します。UL認証部品の採用とCE準拠は、ラボ機器製造における安全性と国際基準への取り組みを裏付けています。
さらに、チューブサイズのカスタマイズや特殊な継手ポートの提供により、既存の実験セットアップへの最小限の変更で統合が可能です。シームレスな設置と運用のために、包括的な技術サポートとドキュメントを提供します。詳細な見積もりや、お客様の特定の強磁場研究要件については、今すぐ弊社の技術営業チームまでお問い合わせください。
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