高速熱処理(RTP)炉 1100℃ 雰囲気制御ボトムローディング式 ウェハアニール・触媒研究用システム

管状炉

高速熱処理(RTP)炉 1100℃ 雰囲気制御ボトムローディング式 ウェハアニール・触媒研究用システム

商品番号: TU-C30

最大加熱速度: 50°C/s 最高温度: 1100°C 加熱エレメント: 短波赤外線ランプ12個 (18kW)
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製品概要

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この高性能熱処理システムは、極端な温度勾配と精密な雰囲気管理を必要とする高速熱処理(RTP)アプリケーション向けに設計されています。短波赤外線技術と自動ボトムローディング構成を採用することで、微細構造の完全性を維持し、独自の相変態を実現するために急速な加熱・冷却サイクルが不可欠な先端材料研究に、多目的なプラットフォームを提供します。ボトムローディング設計により、サンプルの取り扱いが容易になり、ロードおよびアンロードサイクル中の加熱ゾーンへの熱的影響を最小限に抑えます。

対象産業には、半導体製造、材料科学研究、触媒開発などが含まれます。本装置は高スループットが求められる環境に優れており、ロボットハンドリングシステムとのシームレスな統合により自律的な運用が可能です。これにより、複雑な熱プロファイルを再現性のある精度で実行でき、人的ミスを減らし、研究室の生産性を向上させます。シリコンウェハのアニールから高度な触媒の合成まで、本システムは最先端のイノベーションに必要な熱的柔軟性を提供します。

工業グレードのコンポーネントと二層冷却アーキテクチャで構築されたこの炉は、過酷なデューティサイクル下でも安定性を保証します。堅牢な設計と高度なソフトウェア制御が組み合わさることで、繊細な産業プロセスや重要なR&Dプロジェクトに必要な信頼性を提供します。高純度アルミナ繊維断熱材と効率的な空冷システムの組み合わせにより、あらゆる研究室やパイロット生産環境において信頼できる資産であり続けます。

主な特長

  • 超高速赤外線加熱: 12本の短波赤外線ランプが最大50℃/秒の急速加熱を実現し、高速アニールプロセス中の熱動力学を精密に制御して、不要な拡散を最小限に抑えます。
  • 自動ボトムローディング機構: モーター駆動のサンプルステージにより、振動のないスムーズなロード・アンロードが可能で、サンプルの安定性を確保し、外部自動化装置やロボットアームとの統合を容易にします。
  • 高度な雰囲気制御: 内蔵のマスフローコントローラーと高精度真空計により、安定した微陽圧管理(103,000~120,000 Pa)と、保護雰囲気焼結のための複雑なガスパージシーケンスが可能です。
  • 精密PID温度制御: インテリジェントな50セグメントプログラムコントローラーが温度精度±1℃を維持し、超高精度な研究室要件向けに±0.1℃へのアップグレードも可能です。
  • 高スループットなロボット適合性: オープンソースプロトコルおよびTCP/IPを介してロボットアームと通信するように設計されており、スケールアップされた処理のための継続的な複数ユニット自律運用をサポートします。
  • 効率的な熱管理: アクティブ空冷システムを備えた二層チャンバー設計により、高温運転中でも外殻を安全な温度に保ち、内部電子機器を保護します。
  • 包括的なデータ収集: 専用ソフトウェアが圧力、温度、ガス流量のデータをリアルタイムで記録・表示し、品質管理および研究文書化のための完全なトレーサビリティとデータログを保証します。
  • 工業グレードのシーリング: ステンレス製の水冷フランジシステムが真空の完全性と雰囲気の純度を保持し、1100℃の最高温度での運転時でも一貫した結果を保証します。
  • 多目的なサンプルステージ: 高純度石英管とカスタマイズ可能なサンプルステージを備えており、最大6インチまでのウェハを含む多様なサンプルサイズに対応し、幅広い研究ニーズに応えます。

アプリケーション

アプリケーション 説明 主な利点
半導体ウェハアニール シリコンまたは化合物半導体ウェハ(最大6インチ)を急速加熱し、ドーパントの活性化や結晶損傷の修復を行う。 最小限の熱予算と精密な結晶格子修復。
単原子触媒 前駆体材料の高温処理を行い、様々な基板上で単原子触媒を合成・安定化させる。 原子スケールの変態における卓越した均一性と制御。
高スループット焼結 ロボットアームを使用し、材料ライブラリのスクリーニングのために複数のサンプルを連続して迅速に処理する。 サイクルタイムの大幅な短縮と研究速度の向上。
薄膜結晶化 機能性薄膜の高速熱処理を行い、電気的・光学的特性を向上させる。 制御された粒成長と優れた膜質。
真空熱処理 酸化を防ぐため、制御された真空レベル(最大10⁻⁴ Torr)下で繊細な材料を処理する。 酸素に敏感な材料のための高純度環境。
材料相進化 極端な温度変化下での材料の急速な変態を研究する。 動力学研究のための高度に再現可能な加熱・冷却速度。
自律パイロット生産 特殊電子部品の生産ラインへの自動化統合。 人件費の削減とプロセスの一貫性向上。

技術仕様

項目 仕様詳細 (TU-C30)
モデル識別子 TU-C30
電源 三相 AC 208V, 50/60Hz
最大電力 18 kW
最高動作温度 1100℃ (30分以内)
長期動作温度 1000℃
加熱エレメント 短波赤外線ランプ12本(各1.5 kW)
加熱ゾーン寸法 Φ210mm × 100mm
加熱速度 (室温~900℃) 推奨: 10℃/秒; 最大: 50℃/秒
冷却速度 (密閉時) 800℃~350℃: 55℃/分; 350℃~200℃: 5℃/分
冷却速度 (チャンバー開放時) 800℃~350℃: 200℃/分; 350℃~50℃: 35℃/分
温度制御 PID自動制御、50セグメントプログラム可能
温度精度 ±1℃ (オプションのEurothermアップグレード: ±0.1℃)
熱電対タイプ Kタイプ
真空の完全性 10⁻² Torr (メカニカルポンプ) ~ 10⁻⁴ Torr (分子ポンプ)
チャンバー材質 高純度アルミナ繊維断熱材
チューブ材質 Φ200mm 高純度石英管
サンプルステージ Φ105mm(76×58mmの凹部付き、カスタマイズ可能)
マスフローコントローラー (MFC) 範囲: 0-5000 sccm
雰囲気制御 微陽圧 (103,000–120,000 Pa)
インターフェース・データ DB9 PC通信, TCP/IP, Modbus, 無線
ソフトウェア機能 真空、ガス流量、熱サイクルの遠隔制御; 複数ユニットサポート
オプションのロボットシステム 可搬重量5kg、リーチ1096mm、繰り返し精度±0.02mm
水冷チラー (オプション) 冷却能力51880 BTU/h; 三相電源

TU-C30を選ぶ理由

  • 比類のない熱性能: 18kWの短波赤外線加熱と高度なPID制御の組み合わせにより、従来の抵抗加熱炉を桁違いに上回る加熱速度を実現し、現代の材料科学に最適です。
  • 自動化のための設計: 高スループット環境向けに特別に設計されており、ロボットアームの統合とPCによる複数ユニット制御をネイティブサポートする数少ないクラスのシステムであり、手作業による介入を大幅に削減します。
  • 優れた製造品質: ステンレス製の水冷フランジから高純度石英の内部コンポーネントに至るまで、本ユニットのあらゆる側面が長期的な耐久性と高純度処理環境の維持のために設計されています。
  • プロセスのトレーサビリティ: 包括的なソフトウェアスイートが、すべての加熱サイクル、圧力変化、ガス流量調整の完全なデジタル記録を提供し、産業品質保証および研究検証の最も厳しい要件を満たします。
  • 柔軟なカスタマイズ: 特定の真空レベル、特殊なサンプルステージ、またはカスタムガスハンドリング構成が必要な場合でも、当社のエンジニアリングチームがお客様の正確な技術要件に合わせてシステムを調整します。

包括的なお見積り、またはお客様の研究・生産ニーズに合わせてこの高速熱処理システムをどのようにカスタマイズできるかについては、当社の技術営業チームまで今すぐお問い合わせください。

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