製品概要

この先進的なプラズマ增强熱処理システムは、薄膜堆積技術の最高峰であり、高純度コーティングを必要とする研究者や産業メーカー向けに特別に設計されています。傾斜回転機構とプラズマ增强化学気相成長(PECVD)機能を統合することで、従来の熱CVDよりも大幅に低い温度で気相前駆体から固体膜を生成することができます。この機能は、低融点材料や複雑な複合構造を含む温度に敏感な基板の加工に不可欠であり、下地材料の完全性を損なうことはありません。
本システムは材料科学、マイクロエレクトロニクス、ナノテクノロジー向けの多目的なワークステーションとして設計されています。熱だけでなくプラズマによって原料ガスを活性化する精密に制御された環境を通じて、高品質な誘電体、半導体、金属膜の成長を促進します。本装置は特に、LED照明、パワー半導体、MEMSデバイスの製造用途で効果を発揮し、要求の厳しい実験室およびパイロットスケールの生産環境において、標準化プロセスと実験的な材料開発の両方に堅牢なプラットフォームを提供します。
長期運用の信頼性を考慮して製造された本装置は、高品質な316ステンレス鋼製真空構造と先進的なオートメーションを備えています。高性能真空ポンプと精密質量流量コントローラを統合することで、数千回のサイクルにわたって安定した再現性のある結果を保証します。グラフェンのような2次元材料の合成や保護光学コーティングの堆積のいずれに使用される場合でも、本システムは厳格な産業研究開発に必要な技術的精度と機械的耐久性を提供します。
主な特長
- 低温堆積の精度: 化学反応を促進するために高エネルギープラズマを利用することで、本システムは200°C~450°Cという低い温度で優れた膜形成を実現します。これにより繊細な基板を保護し、製造プロセス全体の熱負荷を削減します。
- 傾斜回転機構: 0~20rpmで調整可能な独自の回転式サンプルホルダー構造により、基板表面全体で非常に優れたコーティング均一性を確保します。これは複雑な形状に特に有益で、高速堆積中の局所的な前駆体枯渇を防止します。
- 高性能真空構造: チャンバーは316ステンレス鋼で製造され、大容量ターボ分子ポンプを含む2段階排気システムによって支持されています。この構成により到達真空度≤5×10-5Paを達成し、敏感な材料成長のための汚染のない環境を確保します。
- 先進的なプラズマ出力制御: DCとRFの両方の出力オプション(500W~1000W)を備えた本システムは、誘導結合または平板容量結合を含む柔軟な結合モードを提供します。これによりユーザーは特定の前駆体の要件に合わせてプラズマ密度とエネルギーを調整することができます。
- 4チャンネル質量流量制御: 4つの独立したMFCチャンネルを備えた高度なガス供給システムにより、前駆体ガスとキャリアガスの精密な混合が可能になり、正確な化学量論比で複雑な3元および4元化合物を合成することができます。
- 高精度PID熱管理: 高精度な島田製作所のPIDコントローラを利用することで、本システムは±0.5℃以内の温度安定性を維持します。このレベルの制御は、堆積サイクル全体を通じて反応速度と膜モルフォロジーを一定に保つために極めて重要です。
- 堅牢なチャンバー設計: 500mm×550mmの真空チャンバーには、保護バッフル付きの全視野観測ポートを備えており、オペレーターは熱的および真空の完全性を損なうことなく、プラズマ放電と堆積プロセスをリアルタイムで安全に監視することができます。
- 優れた膜の密着性と品質: プラズマ堆積プロセスのエネルギー特性により、基板に対する密着性が優れ、高密度でピンホールの少ない膜が得られ、最終製品の割れや剥離のリスクを大幅に低減します。
用途
| 用途 | 概要 | 主なメリット |
|---|---|---|
| パワー半導体 | GaNまたはSiCウェーハへの絶縁層、ゲート酸化膜、SiNxパッシベーション膜の堆積 | 低熱負荷プロセスによりデバイスの完全性を保護 |
| MEMS製造 | マイクロアクチュエーター、センサー、構造部品向け高品質薄膜の生産 | 複雑な3D微細構造上に均一で耐クラック性のあるコーティングを提供 |
| 薄膜太陽電池 | 高効率光起電力デバイス向けアモルファスシリコンおよび微結晶シリコン膜の成長 | 電子特性を一定に保ちながら、大面積で高い堆積速度を実現 |
| 光学コーティング | ガラスまたはプラスチック基板への反射防止層および光学フィルターの施工 | 低温下でも正確な膜厚制御と高い光学的透明性を確保 |
| ナノテクノロジー | カーボンナノチューブ、ナノワイヤー、グラフェン成長を含むナノ材料の合成 | 金属触媒を必要とせずにモルフォロジーを分子レベルで制御 |
| 表面改質 | 産業部品への耐摩耗性または生体適合性のダイヤモンドライクカーボン(DLC)膜による機能強化 | 過酷な環境下での部品寿命と性能を大幅に向上 |
| LED製造 | 高輝度発光ダイオード向けの誘電体膜および半導体膜の堆積 | 高純度な膜層により光取り出し効率とデバイスの信頼性を最適化 |
技術仕様
| パラメータ分類 | 仕様項目 | 技術データ(型式: TU-PE02) |
|---|---|---|
| 基板ハンドリング | サンプルホルダーサイズ | 1~6インチ |
| 回転速度 | 0~20rpm 調整可能 | |
| 熱性能 | 最大加熱温度 | ≤800℃ |
| 制御精度 | ±0.5℃(島田製作所PIDコントローラ) | |
| ガス管理 | 流量制御方式 | 質量流量コントローラ(MFC) |
| ガスチャンネル | 4独立チャンネル | |
| ガス入口ポート | φ6 VCRコネクタ | |
| 真空システム | チャンバー寸法 | Φ500mm x 550mm |
| チャンバー材質 | 316ステンレス鋼 | |
| 到達真空度 | ≤5×10-5Pa | |
| 1次ポンプ | 15L/S ベーン真空ポンプ | |
| 高真空ポンプ | ターボポンプ(1200L/s または 1600L/s) | |
| 真空センサー | 電離真空計 / 抵抗真空計 / 隔膜真空計 | |
| 真空ポート | CF200(ポンプ)、KF25(リリーフ) | |
| プラズマ源 | 電源タイプ | DC電源 または RF電源 |
| 出力範囲 | 500W — 1000W | |
| バイアス電力 | 500V | |
| 結合モード | 誘導結合 または 平板容量結合 | |
| 設備要件 | 電源 | AC 220V / 380V; 50Hz |
| 定格消費電力 | 5kW | |
| 冷却方式 | 循環水冷 | |
| 物理的特性 | 寸法 | 900mm x 820mm x 870mm |
| 装置重量 | 200kg | |
| アクセス方式 | 前面開放式ドア 304ステンレスキャップ付き |
当社の製品を選ぶ理由
- 先進的な低熱負荷設計: 当社のシステムは、敏感な基板の特性を維持できる温度で産業グレードの膜を製造するように特別に最適化されており、次世代エレクトロニクスにとって重要な優位性を提供します。
- 産業グレードの信頼性: 高真空対応の316ステンレス鋼と島田製作所コントローラーのような高品質部品で製造された本装置は、要求の厳しいR&Dおよび生産環境での連続運転向けに設計されています。
- 比類のないプロセス多目的性: 4チャンネルガス混合とハイブリッドRF/DCプラズマオプションにより、ユーザーは最小限の再構成で誘電体、半導体、硬質コーティングの堆積を切り替えることができます。
- 精度重視の結果: 回転基板運動と高精度質量流量制御の組み合わせにより、現代の材料科学が要求する最も厳しい公差に応じて膜の均一性と厚みを維持することが保証されます。
- 拡張可能でカスタマイズ可能なサポート: 標準仕様を超えて、当社のエンジニアリングチームはハードウェアとソフトウェアの両方で包括的なカスタマイズサービスを提供し、装置がお客様の特定のプロセスフローに完全に統合されることを保証します。
お客様の特定の薄膜要件に合わせた詳細なコンサルティングまたは正式な見積もりをご希望の場合は、今日すぐに当社の技術営業チームまでお問い合わせください。
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